دانلود فایل فلش تبلت چینی با مشخصه زیر و مدل پردازنده allwinner a23
a23cpu-xw_q8_a23_v2.0-7pctp-gt818-rtl8188etv-premium_spidertab_3version-ddr528-4.2.2_2013122501_1131-info.zip
مدل پردازنده : allwinner a23
کاملا سالم و تست شده
این بسته شامل موارد زیر است :
- بسته آموزش مهارت های هفت گانه ICDL
- جزوه طبقه بندی شده کامپیوتر با پاسخ کلیدی
- نمونه سوالات کامپیوتر با پاسخ کلیدی
- سوالات احکام با پاسخ تشریحی
- سوالات چهارگزینه ای آمار با پاسخ کلیدی
- سوالات ریاضیات آزمون جامع استخدامی با پاسخ تشریحی
- سوالات زبان انگلیسی با پاسخ کلیدی
- سوالات زبان و ادبیات فارسی آزمون جامع استخدامی با پاسخ کلیدی
- سوالات عمومی استخدامی آموزش و پرورش ... زبان و ادبیات فارسی با پاسخ
- سوالات عقیدتی با پاسخ تشریحی
- سوالات فناوری اطلاعات با پاسخنامه
- سوالات هوش و استعداد تحصیلی آزمون جامع استخدامی با پاسخ کلیدی
- مجموعه سوالات جامع استخدامی با پاسخ تشریحی
- نمونه سوال مسائل اجتماعی، سیاسی و مبانی قانونی همراه با پاسخنامه
- سوالات تخصصی آموزش و پرورش - حسابداری
************************
این پکیج جهت آمادگی برای آزمون استخدامی آموزش و پرورش می باشد
کاری از حسابداران برتر
پاییز95
فرمت فایل : word(قابل ویرایش)تعداد صفحات130
فصل اول : ساختارهای دورآلاییده 1
مقدمه 2
1-1 نیمه رسانا 3
1-2 نیمه رسانا با گذار مستقیم و غیر مستقیم 4
1-3 جرم موثر 4
1-4 نیمه رسانای ذاتی 6
1-5 نیمه رسانای غیر ذاتی و آلایش 7
1-6 نیمه رساناهای Si و Ge 10
1-7 رشد بلور 13
1-7-1 رشد حجمی بلور 15
1-7-2 رشد رونشستی مواد 15
1-7-3 رونشستی فاز مایع 16
1-7-4 رونشستی فاز بخار 18
1-7-5 رونشستی پرتو مولکولی 19
1-8 ساختارهای ناهمگون 20
1-9 توزیع حالتهای انرژی الکترونها در چاه کوانتومی 21
1-10 انواع آلایش 23
1-10-1 آلایش کپه¬ای 24
1-10-2 آلایش مدوله شده (دورآلاییدگی) 24
1-10-3 گاز الکترونی دوبعدی 25
1-10-4 گاز حفره¬ای دوبعدی 26
1- 11 ویژگی و انواع ساختارهای دور آلاییده 27
1-11-1 انواع ساختارهای دورآلاییده به¬¬لحاظ ترتیب رشد لایه¬ها 27
1-11-2 انواع ساختار دور آلاییده به لحاظ نوع آلاییدگی ( n یا p ) 28
1-11-3 انواع ساختار دور آلاییده دریچه¬دار 29
1-12 کاربرد ساختارهای دور آلاییده 33
1-12-1 JFET 33
1-12-2 MESFET 34
1-12-3 MESFET پیوندگاه ناهمگون 35
فصل دوم : اتصال فلز نیمه رسانا (سد شاتکی) 38
مقدمه 39
2-1 شرط ایده آل و حالتهای سطحی 41
2-2 لایه تهی 44
2-3 اثر شاتکی 47
2-4 مشخصه ارتفاع سد 51
2-4-1 تعریف عمومی و کلی از ارتفاع سد 51
2-4-2 اندازه گیری ارتفاع سد 57
2-4-3 اندازه گیری جریان – ولتاژ 57
2-4-4 اندازه گیری انرژی فعال سازی 60
2-4-5 اندازه گیری ولتاژ- ظرفیت 60
2-4-6 تنظیم ارتفاع سد 62
2-4-7 کاهش سد 62
2-4-8 افزایش سد 63
2-5 اتصالات یکسوساز . 64
2-6 سدهای شاتکی نمونه 64
فصل سوم : انتقال بار در ساختارهای دورآلاییده 66
مقدمه 67
3-1 ساختار دور آلاییده معکوس p-Si/Si1-XGeX/Si . 68
3-2 ساختار نوار ظرفیت ساختار دور آلاییده معکوسp-Si/SiGe/Si 69
3-3 محاسبه انتقال بار در ساختارهای دور آلاییده. 71
3-3-1 آلایش مدوله شده ایده¬آل 71
3-3-2 محاسبات خود سازگار چگالی سطحی حاملها 74
3-3-3 اثر بارهای سطحی بر چگالی گاز حفره¬ای 74
3-4 روشهای کنترل چگالی سطحی حاملها 76
3-4-1 تاثیر تابش نور بر چگالی سطحی حاملها 77
3-4-2 تاثیر ضخامت لایه پوششی بر چگالی سطحی حاملها 78
3-4-3 دریچه دار کردن ساختار دور آلاییده 79
3-5 ساختارهای دورآلاییده معکوس p-Si/SiGe/Si با دریچه بالا 79
3-6 انتقال بار در ساختارهای دورآلاییده معکوس با دریچه بالا 82
3-7 تاثیر بایاسهای مختلف بر روی چگالی سطحی ¬حفره¬ها 83
3-8 ملاحظات تابع موج. 86
3-9 وابستگی Zav به چگالی سطحی حاملها در ساختارهای بی دریچه 87
3-10 وابستگی Zav به چگالی سطحی حاملها در ساختارهای دریچه¬دار 87
فصل چهارم : نتایج محاسبات 89
مقدمه 90
4-1 محاسبات نظری ساختارهای دورآلاییده بی دریچه Si/SiGe/Si 91
4-1-1 محاسبات نظری ns برحسب Ls 91
4-1-2 محاسبات نظری ns برحسب NA 96
4-1-3 محاسبات نظری ns برحسب nc 99
4-1-4 محاسبات نظری کلیه انرژیهای دخیل برحسب Ls 100
4-2 محاسبات نظری ساختارهای دورآلاییده دریچه¬دار Si/SiGe/Si 100
4-2-1 محاسبات نظری ns برحسب vg 100
4-2-2 بررسی نمونه ها با nsur متغیر و تابعی خطی از vg با شیب مثبت 107
4-2-3 بررسی نمونه ها با nsur متغیر و تابعی خطی از vg با شیب منفی 114
چکیده
در ساختارهای Si/SiGe/Si که بوسیله روش رونشانی پرتو مولکولی رشد می¬یابند به دلیل ناپیوستگی نوار ظرفیت یک چاه کوانتومی در نوار ظرفیت و در لایه SiGe شکل می¬گیرد اگر لایه¬های مجاور با ناخالصی¬های نوع p آلاییده شده باشند حفره¬های لایه آلاییده به داخل چاه کوانتومی می¬روند و تشکیل گاز حفره¬ای دوبعدی در میانگاه نزدیک لایه آلاییده می¬دهند اینگونه ساختارها را ساختار دورآلاییده می نامند .به دلیل جدایی فضایی بین حاملهای آزاد دوبعدی و ناخالصی¬های یونیده در ساختارهای دورآلاییده برهمکنش کولنی کاهش یافته و درنتیجه پراکندگی ناشی از ناخالصی¬های یونیده کاهش و به تبع آن تحرک¬پذیری حاملهای آزاد دوبعدی افزایش می¬یابد .چگالی سطحی گاز حفره¬ای دوبعدی به پارامترهای ساختار مثلاً ضخامت لایه جداگر ، چگالی سطحی بارهای لایه پوششی ، ضخامت لایه پوششی ، و غیره وابسته است. علاوه بر این در ساختارهای دورآلاییده دریچه¬دار با تغییر ولتاِژ دریچه چگالی سطحی گاز حفره¬ای قابل کنترل می¬باشد . این ساختارها در ساخت ترانزیستورهای اثر میدانی مورد استفاده قرار می¬گیرند .
در این پایان نامه ابتدا به تشریح ساختار دورآلاییده Si/SiGe/Siمی¬پردازیم و سپس مدلی نظری که بتواند ویژگیهای الکتریکی گاز حفره¬ای دوبعدی درون چاه کوانتومی ساختارp-Si/SiGe/Si و همچنین میزان انتقال بار آزاد به درون چاه و بستگی آن به پارامترهای ساختار را توجیه کند ارائه می دهیم . در ساختار دورآلاییده معکوس p-Si/SiGe/Si دریچه¬دار با دریچه Al/Ti/Si از این مدل نظری استفاده می¬کنیم و با برازش نتایج تجربی تغییرات چگالی سطحی گاز حفره¬ای بر حسب ولتاژ دریچه توانسته¬ایم چگالی سطحی بارهای میانگاه Ti/Si در این ساختارها را در محدوده (m-2) 1015 × 78/1 تا (m-2) 1015 × 63/4 ارزیابی کنیم .
فرمت فایل : word(قابل ویرایش)تعداد صفحات89
مقدمه
امروزه وب به عنوان یک واقعیت انکارناپذیر سایه خود را در تمامی زندگی اجتماعی، اقتصادی و بشریت انداخته و دارای رشد بسیار سریع در زمینه بکارگیری تکنولوژیهای جدید است.
همزمان با این رشد اعجازگونه وب سایتها از حالت اولیه خود که کوچک و عمدتا ایستا بودند خارج شده و به سمت حجیم شدن و پویایی حرکت کردند.
امروزه روی یک وب سایت نرمافزارهای متعددی اجرا میشوند تا پاسخ وی نیاز کاربران خود بوده و در این دنیای رقابت، دلیلی برای بودن خود داشته باشند.
در این مسیر تکنولوژیهای متعددی نظیر تکنولوژی Dynamic Scripting مانند ASP بوجود آمد تا طراحان را جهت طراحی یک وب سایت پویا یاری کند. استفاده از مزایای کلاسهای Vb script، استفاده از متدها و نمونههایی از این تدابیر جهت طراحی صفحات ASP ماجولار با قابلیت استفاده مجدد Reusable است.
شرکت ماکروسافت در سال 1996 تکنولوژی (Active Server page) را معرفی نمود. تکنولوژی فوق اولین بار به همراه سرویس دهندة اطلاعاتی اینترنت
(IIS: Internet Information server) نسخة 3.0 ارائه شد. با بکارگیری تکنولوژی فوق امکان طراحی و پیادهسازی نرمافزارهای بزرگ و بانکهای اطلاعاتی به همراه صفحات وب فراهم شد، هسته اولیه ASP زبان Vbscript است. صفحات ASP همراه کدهای نوشته شده توسط زبان فوق ایجاد میشود. Vbscript به عنوان زبان استاندارد برای پیادهسازی صفحات ASP در نظر گرفته شده است. بنا به اظهارات شرکت مایکروسافت در ماه مه سال 2000، قریب به 800000 نفر در این زمینه فعالیت داشتند و به طراحی صفحات وب با بهرهگیری از تکنولوژی فوق مشغول بودند. آمار فوق نشان دهنده سرعت رشد تصاعدی و استقبال عموم از تکنولوژی فوق در سطح جهان دارد. قریب به 500 شرکت کامپیوتری در سطح جهان بصورت کاملا تخصصی صرفا به تولید قطعات و اجزای متفاوت بصورت گیتهای آماده نرمافزاری به کمک ASP فعالیت داشته و محصولات آنها در وب سایتهای متعدد عرضه میشود.
جزوه برق پژو 206 MUX
فهرست مطالب جزوه :
فصل اول : ساختار الکتریکی
مشخصات شبکه CAN
مشخصات شبکه VAN
فصل دوم : تجهیزات
مدول غربیلک فرمان
صفحه نمایش چندمنظوره
فصل سوم : ارتباطات
تصحیح اتوماتیک صدای رادیو
روشن کردن رادیو پخش
فصل چهارم : سیستم های آسایشی - رفاهی
سیستم گرمایشی تهویه
تنظیم دماهی هوا
سیستم تهویه مطبوع ساده
فعال سازی سیستم
گرم کن شیشه عقب
کنترل دما
فصل پنجم : سیستم حفاظتی - امنیتی
عمل کرد ریموت کنترل
فصل ششم : سیستم های ایمنی غیر فعال
فصل هفتم : روشنایی و علایم
تنظیم ارتفاع نور چراغ ها
فصل هشتم : اطلاع رسانی به راننده کنترل
دمای هوا خارج از اتاق سرنشین
میزان سوخت
سرعت خودرو
و...