
برای دانلود کل پاورپوینت از لینک زیر استفاده کنید:
دانلود پاورپوینت اصل توجیه امور در سیره مدیریتی - 3 اسلاید

برای دانلود کل پاورپوینت از لینک زیر استفاده کنید:
246 صفحه pdf
ANSI/API 17A:2011
Design and Operation of Subsea Production Systems—General Requirements and Recommendations
معادل استاندارد
ISO 13628-1:2005, (Identical) Petroleum and natural gas industries—Design and operation of subsea production systems
Part 1: General requirements and recommendations

دانلود رام رسمی اندروید 5 برای هواوی G8 (RIO-L01) با بیلد نامبر B130
دانلود رام رسمی اندروید 5 برای هواوی G8 RIO-L01 با بیلد نامبر B130
دانلود رام رسمی اندروید 5 برای هواوی G8 RIO-L01
دانلود رام رسمی اندروید 5 برای هواوی G8
این رام دارای کیبورد فارسی می باشد
1 از داخل رام دانلود شده با پسوند ZIP یا RAR ، فایل اصلی UPDATE.APP را پیدا کنید. ( معمولا داخل فولدر Software و سپس dload قرار دارد. )
2 UPDATE.APP را از طریق کامپیوتر (توصیه شده) یا گوشی با فایل منیجر X-Plore اکسترکت و به مسیر زیر در رم (SD Card) یا حافظه داخلی منتقل کنید.
SD Card/dload/UPDATE.APP
اگر فولدر dload وجود نداشت خودتان آن را ایجاد کنید (به کوچکی و بزرگی حروف توجه کنید)
داشتن فضای کافی در گوشی بسیار مهم هست (باید فضای خالی بیش از حجم فایل UPDATE.APP داخل فایل فشرده باشد)
با نرم افزار X-Plore قبل از اکسترکت می توانید فایل فشرده را باز کرده و حجم UPDATE.APP را متوجه شوید.
استفاده از فایل منیجر خود گوشی یا فایل منیجر های دیگر مثل Es File Explorer در اکسترکت فایل به دلیل حجم بالا ناموفق خواهد بود.
3 به سه طریق آپدیت انجام می شود.
1- کد دیالر : کد *#*#2846579#*#* را گرفته و Sofware Update را انتخاب کنید. مسیر در اندروید 4 ProjectMenu > Upgrade > Sd Card Upgrade است.
در این روش اطلاعات حافظه داخلی شما حذف خواهد شد. (اطلاعات روی MicroSD مانند عکس و فیلم ها حذف نمی شود)
این روش توصیه شده ایران موبایل می باشد.
2- لوکال آپدیت : به مسیر Settings >Updater > Menu >Local update رفته سپس Full package :UPDATE.APP را انتخاب و Install بزنید.
در اندروید 6 این روش حذف شده است.
در این روش اطلاعات موجود روی حافظه داخلی شما حذف نخواهد شد. (اما اگر به منظور دانگرید از آن استفاده شود اطلاعات حذف می شود)
3- سه دکمه ای : گوشی را خاموش کنید. سه کلید Power + Volume UP + Volume Down با هم گرفته و بعد از روشن شدن گوشی رها کنید تا وارد صفحه آپدیت شود.
این روش برای وقتی گوشی شما بالا نمی آید (Break) مناسب است.
در این روش اطلاعات حافظه داخلی شما حذف خواهد شد. (اطلاعات روی MicroSD مانند عکس و فیلم ها حذف نمی شود)
4 بعد از نصب محتوای فولدر dload را با فایل منیجر خود گوشی حذف کنید.

لینک پرداخت و دانلود *پایین مطلب*
فرمت فایل: Word (قابل ویرایش و آماده پرینت)
تعداد صفحه :14
بخشی از متن مقاله
مقدمه
همان گونه که میدانیم افزایش ظرفیت انتقال توان نیروگاه ها و ترانسفورماتور کاهش موثر تلفات انتقال ،مستلزم افزایش ولتاژ[1] انتقال شبکه های قدرت می باشد . در عمل ،ساخت ژنراتور[2]های با ولتاژ خروجی بسیار بالا امکان پذیر نمی باشد و عموماً به خاطر مشکلات عایق بندی ژنراتورها این ولتاژ با مقدار ، 25 تا 30 کیلو ولت محدود می شود . این مشکل باعث می شود که جریان خروجی ژنراتورها بسته به مقدار قدرت تولیدی آنها بسیار زیاد می شود در نتیجه بری رسیدن به قابلیت انتقال مورد نیاز و کاهش سطح مقطع خطوط انتقال باید از ولتاژ یا انتقال بالا استفاده نمود در اینجا است که اهمیت ترانسفورماتورها ی قدرت آشکار می شود بدین معنی که این وسایل با افزایش ولتاژ نیروگاه ها جریان خطوط انتقال را کاهش می دهند . و علاوه برآن ترانسفورماتور های قدرت نیروگاه ها هم چون حائلی ژنراتورهای گران قیمتی را از خطوط هوایی ( که همواره در معرض اضافه ولتاژ و خطرات جانبی می باشند ) . جدا می سازند . همچنین با توجه به اینکه عایق بندی سیم پیچ ها ترانسفورماتور در مقابل امواج سیار ،ارزانتر و ساده تر از عایق بندی سیم پیچ های ژنراتور است در نتیجه با استفاده از ترانسفورماتورها میتوان صدمات احتمالی وارد شده را از امواج سیار خطوط انتقال را بر روی ژنراتورها به حداقل خود کاهش داد.
ترانسفورماتورهای قدرت از نظر توان نامی محدوده وسیعی را در بر میگیرند که از ترانسفورماتور های توزیع یا قدرت های نامی چند کیلو ولت آمپر شروع می شود. و تا ترانسفورماتورهای بزرگ با قدرت نامی بیش از MVA 1000 ختم میگردد . ( اصول ترانسفورماتور، حمید لسانی، انتشارت اندیشه، 1382 ،ص 1-3 )
اصول کار ترانس[3] فورماتور :
- 1 تعریف ترانس فورماتور:
ترانس فورماتور از دو قسمت اصلی هسته و دو یا چند قسمت سیم پیچ که روی هسته پیچیده می شود تشکیل می شود , ترانس فورماتور یک دستگاه الکتریکی است که در اثرالقای مغناطیسی بین سیم پیچ ها انرژی الکتریکی را ازمدارسیم پیچ اولیه به ثانویه انتقال می دهد بطوری که در نوع انرژی و مقدار آن تغییر حاصل نمی شود ولی ولتاژ و جریان تغییر می کند بنابراین باصرف نظراز تلفات ترانس داریم :
P1=P2 --- V1 I1 = V2 I2= V1/V2 = I2/I1 = N1/N2
که اصول کار ترانس فورماتور براساس القای متقابل سیم پیچ ها است .
2ـ اجزاء ترانس فورماتور:
هسته , سیم پیچ ها , مخزن روغن , رادیاتور[4] , بوشینگ های فشار قوی وضعیف , تپ چنجر[5] و تابلوی مکانیزم آن , تابلوی فرمان , وسایل اندازه گیری و حفاظتی , شیرها و لوله های ارتباطی , وسایل خنک کننده ترانس جریان , شاسی و چرخ , ...
3ـ انواع اتصّال سیم پیچ:
اتصال سیم پیچ های اولیه و ثانویه در ترانس معمولاً به صورت ستاره مثلث , زیکزاک است .
4ـ ترانس فورماتور ولتاژ[6](PT,VT):
چون ولتاژهای بالاتر از V600 را نمی توان به صورت مستقیم بوسیله دستگاه های اندازه گیری اندازه گرفت , بنابراین لازم است که ولتاژ را کاهش دهیم تا بتوان ولتاژ را اندازه گیری نمود و یا اینکه در رله هایحفاظتی استفاده کرد ترانس فورماتور ولتاژبه این منظوراستفاده می شودکه ترانس فورماتور ولتاژ از نوع مغناطیسی دارای دو نوع سیم پیچ اولیه و ثانویه می باشد که برای ولتاژهای بین V 600 تا KV132 استفاده می شود.
5ـ ترانس فورماتورجریان(CT):
جهت اندازه گیری و همچنین سیستم های حفاظتی لازم است که از مقدار جریان عبوری از خط اطلاع پیدا کرده و نظر به اینکه مستقیماً نمی شود از کل جریان خط دراین نوع دستگاه ها استفاده کرد و در فشار ضعیف و فشار قوی علاوه بر کمییت , موضوع مهم ایزوله کردن وسایل اندازه گیری و حفاظتی از اولیه است لزا بایستی به طریقی جریان را کاهش داده و از این جریان برای دستگاه های فوق استفاده کنیم واین کار توسط ترانس جریان انجام می شود .
ـــ پارامترهای اساسی یک : [7]CT
نقطه اشباع , کلاس ودقت CT , ظرفیتCT , نسبت تبدیل CT .
6 ـ نسبت تبدیل ترانس جریان:
جریان اولیه Ct طبق IEC 185 مطابق اعداد زیرمی باشد که اصولاً باید در انتخاب جریان اولیه یکی از اعداد زیر انتخواب شود:
10-15-20-25-30-40-50-60-75-100-125-150 [8] Amp
درصورتیکه نیاز به جریان اولیه بیشتر باشد باید ضریبی از اعداد بالا انتخواب شود . جریان ثاویه Ct هم طبق IEC 185 مطابق اعداد زیرمی باشد : 1-2-5
برای انتخاب نسبت تبدیل Ct باید جریان اولیه را متناسب با جریان دستگاه های حفاظت شونده و یا دستگاه هایی که لازم است بار آنها اندازه گیری شود انتخاب کرد .
در موردCt تستهای مختلفی انجام می شودکه رایج ترین آنهاعبارت اند:
تست نطقه اشباع , تست نسبت تبدیل , تست عایقی اولیه و ثانویه .
7ـ حفاظتهای ترانس:
الف : حفا ظتهای دا خلی :
-1 اتصال کوتاه : A دستگاه حفاظت روغن (رله بوخهلتز, رله توی ب) , B دستگاه حفاظت
درمقابل جریان زیاد( فیوز, رله جریان زیادی زمانی ) , C رله دیفرانسیل( [9]
-2 اتصال زمین :
A مراقبت روغن با رله بوخهلتز, B رله دیفرانسیل, C سنجش جریان زمین
-3افزایش فلوی هسته :
A اورفلاکس
ب : حفا ظتهای خارجی :
-1 اتصالی در شبکه :
A فیوز, B رله جریان زیاد زمانی , C رله دیستانس
-2 اضافه بار :
A ترمومتر روغن و سیم پیچ , B رله جریان زیاد تاخیری , C رله توی ب , D منعکس کننده حرارتی
متن کامل را می توانید بعد از پرداخت آنلاین ، آنی دانلود نمائید، چون فقط تکه هایی از متن به صورت نمونه در این صفحه درج شده است.


دانلود فایل
![]()

لینک پرداخت و دانلود *پایین مطلب*
فرمت فایل: Word (قابل ویرایش و آماده پرینت)
تعداد صفحه :9
بخشی از متن مقاله
مقدمه:
در چند دهه ی اخیر سیستم های ذخیره ساز انرژی با انگیزه های متفاوتی به منظور بهبود عملکرد سیستم قدرت، مورد توجه قرار گرفته اند.بطورمعمول در سیستم قدرت بین قدرتهای الکتریکی تولیدی و مصرفی تعادل لحظه ای برقرار است و هیچگونه ذخیره انرژی در آن صورت نمی گیرد .بنابراین لازم است میزان تولید شبکه، منحنی مصرف منطقه را تغقیب کند. واضح است بهره برداری از سیستم بدین طریق، با توجه به شکل متعارف منحنی مصرف غیر اقتصادی است.
استفاده از ذخیره ساری های انرژی با ظرفیت بالا به منظور تراز ساری منحنی مصرف و افزایش ضریب بار، از اولین کاربردهای ذخیره انرژی در سیستم قدرت در جهت بهره برداری اقتصادی می باشد.
علاوه بر این،اغتشاشهای مختلف در شبکه ( تغییرات ناگهانی بار، قطع و وصل خطوط انتقال،...) خارج شدن سیستم از نقطه تعادل را به دنبال دارد. در این شرایط ابتدا از محل انرژی جنبشی محور ژنراتورهای سنکرون انرژی برداشت می شود، سپس حلقه های کنترل سیستم فعال شده و تعادل را بر قرار می سازند. این روند، نوسان متغیرهای مختلف مانند فرکانس، توان الکتریکی روی خطوط و...را موجب می شود که مشکلات مختلفی را در بهره برداری از سیستم قدرت به دنبال دارد. هر گاه در سیستم مقداری انرژی ذخیره شده باشد،با مبادله سریع آن با شبکه در مواقع مورد نیاز به حد قابل توجهی می توان مشکلات فوق را کاهش داد.به عبارت دیگر، ذخیره ساز انرژی را می توان در بهبود عملکرد دینامیکی سیستم نیز بکار برد.
از اوایل دههً هفتاد مفهوم ذخیره سازی انرژی الکتریکی به شکل مغناطیسی مورد توجه قرار گرفت. با ظهور تکنولژی ابر رسانایی، کاربردهای گوناگونی برای این پدیده فیزیکی مطرح شد. از معروف ترین این کاربردها می توان به SMES اشاره کرد. در SMES انرژی در یک سیم پیج با اندوکتاس بزرگ که از ابر رسانا ساخته شده است، ذخیره می شود. ویژگی ابر رسانا یی سیم پیچ موجب می شود که راندمان رفت و برگشت فرایند ذخیره انرژی بالا و در حدود 95% باشد. ویژگی راندمان بالای SMES آن را از سایر تکنیکهای ذخیره انرژی متمایز می کند. همچنین از آنجایی که در این تکنیک انرژی از صورت الکتریکی به صورت مغناطیسیو یا بر عکس تبدیل می شود، SMES دارای پاسخ دینامیکی سریع می باشد. بناراین می تواند در جهت بهبود عملکرد دینامیکی
نیز بکار رود. معمولا واحدهای ابر رسانایی ذخیره سازی انرژی را به دو گونه ظرفیت بالا( MWh 500 ( جهت ترا سازی منحنی مصرف، و ظرفیت پایین (چندین مگا ژول) به منظور افزایش میرایی نوسانات و بهبود پایداری سیستم می سازند.
بطور خلاصه مهم ترین قابلیت SMESجدا سازی و استقلال تولید از مصرف است که این امر مزایای متعددی از قبیل بهره برداری اقتصادی، بهبود عملکرد دینامیکی و کاهش آلودگی را به دنبال دارد.
ابررسانایی:
در سال 1908 وقتی کمرلینگ اونز هلندی در دانشگاه لیدن موفق به تولید هلیوم مایع گردید حاصل شد که با استفاده از آن توانست به درجه حرارت حدود یک درجه کلوین برسد.
یکی از اولین بررسی هایی که اونز با این درجه حرارت پایین قابل دسترسی انجام داد مطالعه تغییرات مقاومت الکتریکی فلزات بر حسب درجه حرارت بود. چندین سال قبل از آن معلوم شده بود که مقاومت فلزات وقتی دمای آنها به پایین تر از دمای اتاق برسد کاهش پیدا می کند. اما معلوم نبود که اگر درجه حرارت تا حدود کلوین تنزل یابد مقاومت تا چه حد کاهش پیدا می کند. آقای اونز که با پلاتینیم کار می کرد متوجه شد که مقاومت نمونه سرد تا یک مقدار کم کاهش پیدا می کرد که این کاهش به خلوص نمونه بستگی داشت. در آن زمان خالص ترین فلز قابل دسترس جیوه بود و در تلاش برای بدست آوردن رفتار فلز خیلی خالص اونز مقاومت جیوه خالص را اندازه گرفت.او متوجه شد که در درجه حرارت خیلی پایین مقاومت جیوه تا حد غیر قابل اندازه گیری کاهش پیدا می کند که البته این موضوع زیاد شگفت انگیز نبود اما نحوه از بین رفتن مقاومت غیر منتظره می نمود.موقعی که درجه حرارت به سمت صفر تنزل داده می شود به جای اینکه مقاومت به ارامی کاهش یابد در درجه حرارت 4 کلوین ناگهان افت می کرد و پایین تر ازاین درجه حرارت جیوه هیچگونه مقاومتی از خود نشان نمی داد. همچنین این گذار ناگهانی به حالت بی مقاومتی فقط مربوط به خواص فلزات نمی شد و حتی اگر جیوه ناخالص بود اتفاق می افتاد.آقای اونز قبول کرد که پایین تر از 4 کلوین جیوه به یک حالت دیگری از خواص الکتریکی که کاملا با حالت شناخته شده قبلی متفاوت بود رفته است و این حالت تازه (( حالت ابر رسانایی )) نام گرفت.
بعدا کشف شد که ابررسانایی را می توان از بین برد ( یعنی مقاومت الکتریکی را می توان مجددا بازگردانید.) و در نتیجه معلوم شد که اگر یک میدان مغناطیسی قوی به فلز اعمال شود این فلز در حالت ابررسانایی دارای خواص مغناطیسی بسیار متفاوتی با حالت درجه حرارتهای معمولی می باشد.
تاکنون مشخص شده است که نصف عناصر فلزی و همچنین چندین آلیاژ در درجه حرارت های پایین ابر رسانا می شوند. فلزاتی که ابررسانایی را در درجه حرارت های پایین از خود نشان می دهند ( ابر رسانا ) نامیده می شوند. سالهای بسیاری تصور می شد که تمام ابررسانا ها بر طبق یک اصول فیزیکی مشابه رفتار می کنند. اما اکنون ثابت شده است که دو نوع ابررسانا وجود دارد که به نوع I و II مشهور می باشد. اغلب عناصری که ابررسانا هستند ابررسانایی از نوع I را از خود نشان می دهند.در صورتی که آلیاژها عموما ابررسانایی از نوع II را از خود نشان می دهند. این دو نوع چندین خاصیت مشابه دارند. اما رفتار مغناطیسی بسیار متفاوتی از خود بروز می دهند.
پدیده ی ابر رساناییدر تکنولوژی از توانایی گستردهای بر خوردار است زیرا بر پایه ی این پدیده بارهای الکتریکی می توانند بدون تلفات گرمایی از یک رسانا عبور کنند. به طور مثال جریان القا شده در یک حلقه ی ابر رسانا بدون وجود هیچ باطری در مدار به مدت چند سال بدون کاهش باقی می ماند.برای نمونه در واشنگتن از یک خلقه ابر رسانای بزرگ برای ذخیره کردن انرژی الکتریکی در ت کوما استفاده می شود. ذخیره ی انرژی در این حلقه تا 5 مگاوات بالا می رود و انرژی در مدت مورد نظر آزاد می شود.
عمده مشکل ایجاد کردن شرایط برای این پدیده دمای بسیار پایین آن می باشد که باید دماهای بسیار پایین را محیا کرد . اما در سال 1986 مواد سرامیکی جدیدی کشف شد که در دماهای بالاتری توا نایی ابر رسانایی را داشته باشد.
متن کامل را می توانید بعد از پرداخت آنلاین ، آنی دانلود نمائید، چون فقط تکه هایی از متن به صورت نمونه در این صفحه درج شده است.


دانلود فایل
![]()