تحقیق درباره امواج مغناطیسی در شناسایی مین ها

اختصاصی از فایل هلپ تحقیق درباره امواج مغناطیسی در شناسایی مین ها دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 24

بسم الله الرحمن الرحیم

عنوان پروژه :

استفاده همزمان ازامواج کشسانی والکترومغناطیسی برای شناسایی مین های زیرزمینی

نام دانشجو : ابراهیم یکتاری

شماره دانشجویی : 8212841934

درس : الکترومغناطیس

کد کلاس : 102

نام استاد : جناب آقای شیخانی

تابستان 1385

خلاصه

روش چند گانه ای که ازامواج کشسانی والکترومغناطیسی به یک شکل همکارکرد ، برای شناسایی مین های زیرزمینی استفاده می کند ، ایجاد شده است . این سیستم ، شامل یک رادارالکترومغناطیسی سیارویک منبع ثابت امواج کشسانی می باشد . این منبع ، امواج کشسانی را درزمین ایجاد می کند . این امواج با مین های زیرزمین فعل وانفعال کرده وباعث می شوند که هم مین وهم زمین جابجا شوند . از آنجایی که مشخصه های مکانیکی مین های با مشخصه های مکانیکی زمین متفاوت هستند ، جابجایی های منطقه فعل وانفعال ،‌با جابجایی هایی که مربوط به تکثیر امواج محوطه باز هستند ، متفاوت می باشند . ازرادار برای شناسایی این جابجایی ها ،‌ بدین ترتیب ، شناسایی مین ها ، استفاده می شود . بررسی های اولیه ، امکان اجرای این طرح را تحت شرایط کنترل شده ، اثبات کرده است . کارتجربی حاضر ، برروی درک وغلبه بر موضوع مربوط به استفاده ازاین سیستم درشرایط میدان ، متمرکز است .

مقدمه

درروشهای لرزه ای / کشسانی ، امید زیادی به شناسایی موثق ومعتبرهمه انواعغ مین ها، وحتی مین های ضد نفر دارای مقادیرکم فلز ، وجود دارد . دلیل این امر ، آنست که مین ها ، مشخصات مکانیکی دارند که کاملا متفاوت از خاک ها واشکال معمولی اجسام زباله ای ( آشغال ) ، می باشد .بعنوان مثال ، سرعت موج برش درمواد انفجاری وپلاستیک استفاده شده درمین های معمولی ، نسبت به خاک های مجاور ،حدودا 20 برابر بیشتراست . بعلاوه ، مین ها ، ساختارهای مکانیکی پیچیده ای به همراه یک جعبه انعطاف پذیر ، یک قطعه ضامن ،‌بسته های هوا و....دارند .

این ساختار پیچیده ، منجربه رزوناسن ساختاری ، فعل وانفعال های غیرخطی وپدیده دیگری خواهد شد که برای اشکال طبیعی ومصنوعی آشغالها ، نامعمول است . بدین ترتیب ، این پدیده می تواند برای تشخیص یک آشغال ازیک مین ، مورد استفاده قرارگیرد .

درGeorgia Tech ،‌سیستمی ایجاد شده است که ازیک سنسور جابجایی براساس رادار ، به منظوراندازه گیری عمومی جابجایی های لرزه ای ، بدون تماس فیزیکی با سطح خاک ، استفاده می کند { 3-1 } . ماهیت غیرتماسی این سنسور ، سیستم را قادر می سازد که سطح خاک را درنزدیکی یک مین ویا دقیقا دربالای آن ، بررسی کند .

این مورد ، تاثیرات قابل برآورد وجود مین را دربرنامه هایی که برامواج کشسانی منتشر شده ازمین متکی هستند ، بطور چشمگیری افزایش می دهد تا آن را به محل یک سنسور دوردست ، انتقال دهد . شکل 1 ، وضعیت سیستم کنونی را مشخص می کند . این سیستم ، شامل یک رادارالکترومغناطیسی ویک منبع لرزه ای است . این منبع ، ( که یک لرزنده ( Shaker) الکترودینامیکی است که بایک پایه باریک به زمین متصل شده است ، ترجیحا ، یک موج کشسانی سطحی ( ragieigh) را درزمین ایجاد می کند . این موج ریلی ، پس از گذر ازمین ، باعث می شود که هم خود مین وهم سطح زمین ، جابجا شوند . ازآنجا که دامنه جابجایی های موج ریلی ، با افزایش عمق ،با افزایش عمق ، بطور تصاعدی کاهش می یابد . تنها زمینی که به سطح نزدیک است به منظور تشخیص وجود مین مورد بررسی قرارخواهد گرفت . برای مین های دارای اندازه وعمق معمولی ، این موج دردامنه ای بین Hz100 تا Hz1000 قرار دارد . حرکت مین ، با خاک پیرامون آن متفاوت است ، واین بدان دلیل است که مشخصه های کشسانی مین ، کاملا متفاوت با مشخصه های خاک می باشد .

جابجایی سطح زمین ، درهنگامی که یک مین درزیرآن وجود دارد ،‌با مواقعی که مینی وجود ندارد متفاوت است ، واین بدلیل موج های عمومی ومنتشره ازطرف زمین ، می باشد . ازرادار الکترومغناطیسی ،‌به منظور شناسایی این جابجایی وبدین ترتیب ، برای شناسایی مین ، استفاده می شود . ایده استفاده ازامواج کشسانی والکترومغناطیسی بصورت همکارکرد ، بیشتر پیشنهاد شده است { 6-4} اما تاکنون بصورت جدی مورد بررسی قرارنگرفته است .

سنسور جابجایی براساس رادار، به منظورتعیین لرزش های کوچک خاک ومین طراحی وساخته شده است . این سنسور ، امواج الکترومغناطیسی رابه طرف زمین ساطع می کند . این امواج ، ازسطح زمین ومین ، درجائیکه آنها نوسان یافته وتسوط جابجایی های موقت زمین ومین تغییر حالت می دهند . ( یا مدولاسیون فاز انجام می دهند) ، منعکس می گردند . این امواج انعکاسی ،‌دریافت وپیاده سازی ( دمدوله ) می شوند .سیگنال های دمدوله شده حاصل ، با جابجایی سطح ، متناسب هستند . رادارمی تواند لرزش های به کوچکی nm1( 10-9m ) را تعیین نماید ، همانطور که نشان داده شده است . انتهای موج بر ( Waveguide) ، ( که برای انتقال ودریافت استفاده می گردد .

تحقیق درباره اجزای ترانسفور ماتور د

اختصاصی از فایل هلپ تحقیق درباره اجزای ترانسفور ماتور د دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 35

اجزای ترانسفور ماتور

با اصول مقدماتی و ساختمان ترانسفورماتورها باید توجه داشته باشید که به علت تلفات و مسائل اقتصادی و عوامل دیگر که در طراحی و ساختمان ترانسفورماتور هاموثرند، نمی توان به سادگی از فرمول هایی که تا بهحال ارائه شده است برای ساختمان ترانسفورماتور استفاده کرد . بنابراین ، در این جا به بررسی ساختمان و محاسبه ی عملی ترانسفورماتورها ی کوچک می پردازیم .

لازم به تذکر است که ترانسفورماتور ها را با توجه به کاربرد و خصوصیات آنها بهسه دسته کوچک ، متوسط و بزرگ دسته بندی می کنند .

ساختمان ترانسفورماتور های بزرگ و متوسط به دلیل مسائل حفاظتی و عایق بندی و امکانان موجود ، کار ساده ای نیست . لذا دراین جا ما فقط ترانسفورماتورهای کوچک ( تا قدرت 16 کیلو ولت آمپر تا 1000 ولت ) را بررسی خواهیم کرد .

موارد استفاده ی این ترانسفورماتورها امروز بسیار زیاد است ؛ مثلاً در یک سو سازها ، مصرف کننده های کم قدرت که به ولتاژ کم وصلمی شوند ، وسایل الکترونیکی ، اسباب بازی ها و ... از این ترانسفورماتورها استفاده می شود .

برایساختن ترانسفورماتورها ی کوچک ، اجزای آن مانند ورقه های آهن ، سیم و قرقره را به سادگی می توان تهیه کرد .

برای محاسبه و ساخت یک ترانسفورماتور می توان با استفاده از عوامل و روابط موجود ، مجهولات مطلوب را محاسبه کرد . علاوه بر این برای ترانسفورماتورهای مشخص و استاهدارد شده نیز جداول یا منحنی هایی وجود دارد که به سادگی می توان از روی آن ها مجهولات را به دست آورد .

در این جا به بررسی هر یک از این روش ها برای ساختن یک ترانسفورماتور یکفاز می پردازیم .

اجزای تشکیل دهنده ی یک ترانسفورماتور به شرح زیر است .

1- هسته ی ترانسفورماتور :

هسته ی ترانسفورماتور متشکل از ورقه های نازک است که سطح آن ها با توجه به قدرت ترانسفورماتور محاسبه می شود . برای کم کردن تلفات آهنی ، هسته ی ترانسفورماتور را نمی توان به طور یک پارچه ساخت . بلکه معمولا آن ها را از ورقه های نازک فلزی که نسبت به یک دیگر عایق اند ، می سازند .

این ورقه ها از آهن بدون مماسند ( ورق دیناموبلش ) با آلیاژی از سیلیسیم ( حداکثر 5/4 درصد ) که دارای قابلیت هدایت الکتریکی کم و قابلیتهدایت مغناطیسی زیاد است ساخته می شوند . در اثر زیاد شدن مقدار سیلیسیم ، ورقه های دیناموبلش شکننده میشوند . برای عایق کردن ورقه های ترانسفورماتور ، قبلاً از یک کاغذ نازک مخصوص که در یک سمت این ورقه چسبانیده می شد ، استفاده می کردند اما امروزه بدین منظور در هنگام ساختن و نورد اینورقه ها یک لایه ی نازک اکسید ، فسفات یا سیلیکات به ضخامت 2 تا 20 میکرون به عنوان عایق در روی آن ها می مالند و با آن روی ورقه ها را می پوشانند . علاوه بر این ، از لاک مخصوص نیز برای عایق کردن یک طرف ورقه ها استفاده می شود . ورقه های ترانسفورماتور دارای یکلایه عایق هستند ؛ بنابراین ، در موقع محاسبه یسطح مقطع هسته باید سطح آهن خالص را منظور کرد . ورقه های ترانسفورماتور را به ضخامت های 35/0 و 5/0 میلی متر و در اندازه های استاندارد به شکل های مختلف می سازند .

معمولی ترین ورقه های استاندارد شده به شکل های El و M هستند . این ورقهها به صورت یک تکه ساخته شده و دور ریز آن ها زیاد است . لذا از این فرم تا استاندارد 102M ( ارتفاع 102 میلی متر ) ساخته می شود . در ضمن ، این نوع ورقه ها دارای شکاف هوایی 3/0 ، 5/0 یا 2 میلی متر هستند . ورقه های ترانسفورماتور به فرم El را به علت دورریز کم تر برای استانداردهای بالا نیز درست می کنند . این ورقه ها را باید در داخل قرقره به طور متناوب از دو طرف جا زد تا بدین ترتیب فاصله ی هوایی در نتیجه ، تلفات پراکندگی کم شود . باید دقت کرد که سطح عایق شده ی ورقه های ترانسفورماتور همگی در یک جهت باشند . علاوه بر این ، تاحد امکان نباید در داخل قرقره فضای خالی بماند . لازم است ورقه ها با فشار داخل قرقره جای بگیرند تا از ارتعاش و صدا کردن آن ها نیز جلوگیری شود .

2- سیم پیچ ترانسفورماتور :

معمولا برای سیم پیچ اولیه و ثانویه ی ترانسفورماتور از هادی های مسی با عایق ( روپوش ) لاکی استفاده می کنند . این هادی ها با سطح مقطع گرد و در اندازه های استاندارد وجود دارند و با قطر مشخص می شوند . درترانسفورماتورهای پرقدرت از هادی های مسی که به صورت تسمه هستند ، استفاده می شود . ابعاد این گونه هادی ها نیز استاندارد است .

سیم پیچی ترانسفورماتور های کوچک بر روی قرقره در طبقات مختلف پیچیده می شود . در صورتی که ماکزیمم ولتاژ بین دو حلقه بیش از 25 ولت باشد ، باید بین طبقات عایق قرار داد . بین سیم ها ی مجزا از یک دیگر – مثلاً سیم پیچی های اولیه و ثانویه – نیز حتماً باید عایق قرار گیرند . در روی آخرین لایه نیز باید نوار عایق پیچیده شود و مشخصات ترانسفورماتور بر روی این لایه ثبت گردد . برای استفاده از حداکثر فضای قرقره ، سیم ها تا حد ممکن باید پهلوی یک دیگر پیچیده شوند و بین آنها فضای خالی نباشد . چگالی جریان که برای ترانسفورماتور های کوچک انتخاب می شود ، بین A/mm 1 تا A/mm 4 است . سر سیم پیچی ها را باید به وسیله ی روکش ها ی عایق ( وارنیش یا ماکارونی ) از سوراخ های قرقره خارج کرد تا بدین ترتیب سیم ها قطع ( خصوصاً در سیم های نازک و لایه های اول ) یا زخمی نشوند . یکطرف این روکش ها باید در داخل قرقره زیر سیم قرار گیرند و خوب محکم شوند . علاوه بر این ، بهتر است رنگ روکش ها نیز متفاوت باشد تا در ترانسفورماتورهای دارای چندین سیم پیچ ، به راحتی بتوان سر هر سیم پیچ را مشخص کرد .

بعد از اتمام سیم پیچی یا تعمیر سیم پیچ های ترانسفورماتور باید آن ها را با ولتاژهای بالاتر از ولتاژ نامی خودشان برای کنترل و کسب اطمینان از سالم بودن عایق بین بدنه و سیم پیچ اولیه ، بدنه و سیم پیچ ثانویه و هم چنین سیم پیچ اولیه و سیم پیچ ثانویه آزمایش کرد جدول 1 مقدار ولتاژ آزمایش را نشان می دهد .

3- قرقره ی ترانسفور ماتور :

برای حفاظت و نگهداری از سیم پیچ ها ی ترالنسفورماتور – خصوصاً در ترانسفور ماتور های کوچک – باید از قرقره استفاده کرد .

تحقیق درباره اختراع تلفن 20 ص

اختصاصی از فایل هلپ تحقیق درباره اختراع تلفن 20 ص دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 21

اختـــراع تلفـــن

1892 هنگامی که گراهام بل بین شیکاگو و نیویورک ارتباط تلفنی برقرار کرد.

مقدمه:

یکى از آثار رسانه هاى جمعى خصوصاً انواع امروزى آن سرگرم کردن مردم در کنار اطلاع رسانى و آگاهى دهى است. منتقدان رسانه هاى مدرن معتقدند که بعد سرگرمى برنامه هاى رسانه اى آن قدر پررنگ و جلا شده است که بیشتر باعث ایجاد حواس پرتى در مردم مى شود. عارضه اى که حاصل سپردن هوش و حواس خود به برنامه هایى است که از نظر محتوایى چیزى براى گفتن ندارند. این نوشتار که به نحوى مکمل بحث آغازین صفحه ارتباطات در شماره پیش است، تغییر در شیوه انتقال پیام را در گذر تاریخ و با پیدایش کاغذ، تشریح مى کند. مارسل دانسى، ضمن برشمردن روش هاى ثبت نوشته ها در دوران باستان، تاریخچه اى مختصر از پیدایش رسانه هاى جمعى را ارایه مى دهد و معتقد است که اختراع کاغذ اولین جرقه رسانه هاى ارتباط جمعى را زده است، اما به تدریج وسایل الکترونى و دیجیتالى نیز در کنار آن پدید آمدند و به زیست نسبتاً مصالحه آمیز خود با رقیبان قدیمى ادامه داده اند. پیدایش تلگراف، تلفن، تلکس، رادیو و تلویزیون از جمله وسایل مورد بحث این نوشتار است که در شماره آینده با تشریح رایانه و سایر رسانه ها ادامه مى یابد.

یکى از تمدن هایى که نوشتن پیکتوگرافیک را به عنوان وسیله اى براى ثبت عقاید، پیگیرى معاملات تجارى و انتقال دانش مورد استفاده قرار داد، تمدن چین باستان بود. براساس برخى تخمین هاى باستان شناختى، پیکتوگرافى چینى ها ممکن است قدمتى برابر با قرن پانزدهم قبل از میلاد داشته باشد. این پیکتوگرافى، به شکلى ویژه لوگوگرافیک بود، زیرا براى ارایه (بازنمایى) کلمات کامل (بدون ارجاع به تلفظ آن ها) از نمادهاى تصویرى بهره مى گرفت. سیستم پیکتوگرافیک باستانى کاملاً پیشرفته، خط میخى نامیده مى شد زیرا از نمادهاى تصویرى گوه مانند تشکیل شده بود. این نوع خط متعلق به سومرى ها- بابلى ها بود که حدود ۵۰۰۰ سال پیش به وجود آمد. سومرى ها، بازنمایى هاى خود را بر روى خشت هاى گلى ثبت مى کردند که باعث مى شد نوشته خط میخى به یک وسیله ارتباطى بسیار گران و غیرعملى تبدیل شود. به این دلیل در آغاز فقط حاکمان و روحانیان آن را مى ساختند، مى آموختند و مورد استفاده قرار مى دادند. از حدود سال ۲۷۰۰ تا ۲۵۰۰ قبل از میلاد نوع دیگرى از نوشته هاى پیکتوگرافیک به نام [خط] هیروگلیف در مصر اختراع شد. مصرى هاى براى ثبت نوشته هاى خود از پاپیروس (نوعى کاغذ اولیه که از نى ساخته مى شد) استفاده مى کردند. سیستم هیروگلیفى سرانجام در درون خود عناصر فونوگرافى را به وجود آورد. فونوگراف‌ها، اشکالى هستند که معرف بخش هایى از کلمات مانند بخش ها یا صداهاى منفرد هستند.

یک سیستم کامل براى بازنمایى صداهاى واحد، سیستم الفبایى نامیده مى‌شود. اولین سیستم الفبایى در خاورمیانه ظهور یافت و به وسیله فنیقى ها (مردمى که در منطقه ساحل شرق دریاى مدیترانه زندگى مى کردند که امروزه بیشتر آن در لبنان واقع شده است) به یونان انتقال یافت. این الفبا فقط داراى نمادهایى براى صداهاى صامت (حروف بى صدا) بود. هنگامى که به یونان رسید، نمادهاى صداهاى مصوت (حروف صدادار) به آن اضافه شد و سیستم الفباى یونانى را به اولین سیستم الفبایى تمام عیار تبدیل کرد. همان گونه که پیشتر اشاره شد، پیدایش نوشته الفبایى یک تغییر پارادایم واقعى به وجود آورد، زیرا براى جوامع امکان ذخیره و حفظ دانش به شکلى پایدارتر فراهم آورد.

آلکساندر گراهام بل (Alexander Graham Bell) در سال 1847 در اسکاتلند بدنیا آمد. او پدر و مادری تحصیل کرده داشت و تحصیلات اولیه را نزد والدین خود آموخت، مادر او تقریبا ناشنوا بود و برعکس پدرش گفتار درمان. شاید به همین دلیل بود که آلکساندر از ابتدا علاقمند به مسائل صوتی بود و در باره آن بسیار تحقیق کرد. وی علاوه بر دانش صدا به هنر عمومی، موسیقی و سرودن شعر علاقه بسیار داشت. پس از انجام تحصیلات اولیه نزد والدین در انگلستان به دانشگاه رفت و در سال 1870 به ایالات متحده مهاجرت کرده از دانشگاه بوستون (Boston) درجه پروفسوری در فیزیولوژی صدا (Vocal Physiology) گرفت.

الکساندر در دانشگاههای ادینبورگ و لندن تحصیل میکرد. در سال 1870 خانواده اش به کانادا مهاجرت کرد، پدر بزرگ وی روشی را ابداع کرده‌بود که با استفاده از آن به افراد ناشنوا آموزش لبخوانی می داد. با کمک این روش، افراد ناشنوا یاد می گرفتند که با مشاهده حرکت لبها، سخنان دیگران را بفهمند. این خانواده در مورد نحوه صحبت کردن و اصوات، اطلاعات زیادی داشتند. بل نیز این کار را از پدرش آموخته بود او اوقات فراغتش را صرف ساختن دستگاهی کرد که با استفاده از آن مردم بتوانند از فاصله دور با یکدیگر گفتگو کنند. همکارش واتسن او را یاری کرد، یکی مشغول تنظیم فرستنده و دیگری مشغول تنظیم گیرنده بود. نخستین کلمات که از طریق تلفن گفته شد چنین بود: «آقای واتسن لطفاً بیایید اینجا، با شما کار دارم.

عدالت ترمیمی و حقوق بزه دیده

اختصاصی از فایل هلپ عدالت ترمیمی و حقوق بزه دیده دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 33

« به نام خدا »

عدالت ترمیمی و حقوق بزه دیده:

اصلاح تدریجی نظام عدالت کیفری یا تغییر الگو؟

1- مقدمه

در اوایل دو دهه اخیر همه رویکردهای نظام‌های جدید عدالت کیفری نسبت به بزه دیدگان جرم اصلاح شده‌اند. در اغلب حوزه‌های قضایی، تغییرات شامل معرفی حقوق شکلی جدیدی برای بزه دیدگان بود. بررسی تشابهات حقوق بزه‌دیدگان که در نظام‌های عدالت کیفری معرفی شده‌اند امری قابل توجه است چون در غیر اینصورت حقوق افراد تقریباً با یکدیگر قابل مقایسه نیستند. نظام‌های معارض آنگلوساکسون آمریکایی از یک سو و اغلب نظام‌های معارض تفتیشی در قاره اروپا مقررات یکسانی را در خصوص منافع بزه دیدگان از جرم تعیین نموده‌اند. در کشورهایی از هر دو گروه حقوق فوق‌الذکر، به موجب قانون، مامورین ملزم گردیده‌اند که بر حسب مقامشان به بزه دیدگان مساعدت نمایند. پلیس و اداره دادستانی باید با دادن اطلاعات و توضیحاتی در خصوص روند پیشرفت پرونده به بزه دیده، به وی مساعدت نمایند. در اغلب حوزه‌های قضائی، بزه دیده حق دارد اطلاعات به مامورانی بدهد که مسئول اتخاذ تصمیم در مورد بزهکار می‌باشند. صرفنظر از استطاعت بزه دیدگان، به آنها حق داشتن مشاور حقوقی داده شده است. همچنین حق بزه دیدگان مورد حمایت واقع شده است که شامل حق داشتن زندگی خصوصی و حق داشتن سلامت جسمانی است. نهایتاً بسیاری از ملل نظام‌های خود را برای انجام جبران خسارت تغییر داده‌اند. در تحلیل نهایی، مسئله شناسایی انواع جدید حقوق بزه دیدگان معادل با اختلافی است در خصوص اینکه آیا عدالت ترسیمی به عنوان الگوئی جدید در معنای فنی آن است یا خیر. در بخش بعدی این مقاله موقعیت کسانی که دارای چنین احساسی هستند، بیان خواهد شد.

سپس بخش سوم به ارزیابی انتقادی دیدگاه مذکور می‌پردازد. مشخصه‌های عمده عدالت ترمیمی تا حد زیادی در مدرنیزه کردن ویژگی‌های نظام‌های عدالت کیفری سنتی نقش دارد. نهایتاً در بخش چهارم، نشان داده شده که تدابیری به منظور اصلاح تدریجی نظام جاری اندیشیده شده که مافوق تدابیر معارض دیگر هستند که هدف آنها جایگزین نمودن الگوی عدالت کیفری با الگوی جدید عدالت ترمیمی است.

2- تجزیه و تحلیل آنچه که مانع اجرای موثر حقوق جدید بزه دیدگان در نظام عدالت کیفری سنتی می‌باشد

طبق یک مکتب فکری، الگوی کیفری که بیانگر نظام عدالت کیفری حاضر می‌باشد، مسئول عواقب مهلکی است که به دنبال دارد. الگوی کیفری (در مقابل الگوی ترمیمی) به عنوان الگوئی ناکارآمد قلمداد می‌شود. این الگو نه بیشترین منافع را برای دولت در بر داشته (چون از وقوع جرم جلوگیری ننموده و یا آن را کاهش نداده است) و نه منافعی را برای موکلان اصلی ان یعنی بزهکاران و بزه دیدگان ایجاد نموده است. از نظر بزه دیده‌شناسی در نظامی که مبتنی بر الگوی کیفری می‌باشد مقرر نمودن حقوق جدید برای بزه دیدگان نسبت به ایده‌های عدالت ترمیمی تنها ممکن است. سیاست تقنینی موجود به عنوان سیاستی مورد انتقاد قرار گرفته که به احساسات بزه دیدگان توجهی ندارد. در همین حال از منافع اساسی که در معرض خطر قرار دارند، چشم‌پوشی شده است.

معرفی نمودن حقوق بزه دیدگان در نظام سرکوبگر عدالت کیفری سنتی نقض غرض می‌باشد چون خود نظام اجازه نمی‌دهد دیدگاه دیگری خارج از قلمرو تعامل بین مقام تعقیب و بزهکار اتخاذ گردد.

عزت فتاح یکی از برجسته‌ترین رهبران حامی مکتب بزه دیده مداری بود. انتقادات عمیق وی نسبت به الگوی جاری عدالت کیفری و الگوی مبنائی آن، سختیگرانه بود. به نظر وی نظام

تحقیق درباره ارتیاط الکترون

اختصاصی از فایل هلپ تحقیق درباره ارتیاط الکترون دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 5

ارتباط الکترون خواهی با انرژی یونش

الکترون خواهی یا آفینیته مربوط به فرآیندی است که در آن ، از اتم خنثی یک یون منفی (از طریق بدست آوردن الکترون) بوجود می‌آید. در حالیکه انرژی یونش مربوط به فرآیند تولید یک یون مثبت از اتم خنثی بسبب از دست دادن الکترون است.

علامت قراردادی الکترون خواهی

در فرآیند الکترون خواهی معمولا (ولی نه همیشه) انرژی آزاد می‌شود. اولین الکترون خواهی بیشتر عناصر ، علامت منفی دارد. بعنوان مثال ، الکترون خواهی فلوئور برابر است با 328Kj/mol- = اولین الکترون خواهی و اما برای برخی عناصر مقدار آن مثبت است. مثلا برای نئون عبارت است از 29Kj/mol = اولین الکترون خواهی. علامت مثبت برای الکترون خواهی نشانه آن است که برای تحمیل یک الکترون به اتم مربوط باید کار انجام شود، (یعنی سیستم انرژی جذب کند) تا اتم مورد نظر قادر به جذب الکترون اضافی شود.

علت آزاد شدن انرژی یا جذب انرژی توسط اتم در الکترون خواهی

الکترونی که به اتم خنثی نزدیک می‌شود، از سوی هسته مثبت اتم جذب می‌شود. اما از سوی الکترونهای منفی آن دفع می‌گردد. اگر جاذبه بیش از دافعه باشد، وقتی یون منفی بوجود می‌آید، انرژی آزاد می‌شود. برعکس اگر دافعه بیش از جاذبه باشد، برای تشکیل یون منفی باید به سیستم انرژی داده شود.

تغییرات الکترون خواهی در یک تناوب از جدول تناوبی

قاعدتا یک اتم کوچک باید تمایل بیشتری برای بدست آوردن الکترون از خود نشان دهد تا یک اتم بزرگ، زیرا الکترون افزوده شده به یک اتم کوچک ، بطور متوسط به هسته مثبت نزدیکتر خواهد بود. با توجه به اینکه شعاع اتمی عناصر از یک تناوب از چپ به راست کوچکتر و بار مثبت هسته در همان جهت افزایش می‌یابد، باید انتظار داشت که الکترون خواهی عناصر مربوط ، از چپ به راست در یک تناوب ، مقادیر منفی بیشتری نشان دهد.

موارد استثنایی

مواردی که عناصر از تعمیم بالا تبعیت نمی‌کنند، باید مورد توجه قرار گیرند. مثلا در دوره دوم مقدار الکترون خواهی بریلیوم (دارای پوسته فرعی 2s پر شده) ، نیتروژن (دارای پوسته فرعی 2p نیمه پر شده ) و نئون (با تمام پوسته‌های فرعی پر شده) از قاعده بالا پیروی نمی‌کنند. این عناصر ، آرایش الکترونی نسبتا پایدار دارند و به آسانی الکترون اضافی نمی‌پذیرند.موارد استثنایی همانند را می‌توان در مورد عناصر مشابه به دوره‌های دیگر نیز مشاهده کرد. در هر دوره ، بیشترین تمایل پذیرش الکترون (الکترون خواهی بزرگتر با علامت منفی) در عنصر عضو گروه VIIIA دیده می‌شود. آرایش الکترونی همه اینها از آرایش گاز نجیب یک الکترون کم دارد.

تغییرات الکترون خواهی در یک گروه از جدول تناوبی

در این مورد ، برای تمام گروهها ، نمی‌توان الگوی واحد پیدا کرد. در مورد عناصر گروه VIIIA الکترون خواهی فلوئور ظاهراً غیر عادی است.حجم اتم فلوئور از بقیه عناصر گروه کوچکتر است و می‌توان انتظار داشت که بر اثر جذب الکترون ، بیشترین انرژی را آزاد کند. اما در حالی‌که الکترون افزوده شده به اتم کوچک بشدت توسط هسته ، جذب می‌شود. به همان ترتیب نیز از سوی بقیه الکترونهای موجود در اتم بشدت دفع می‌شود.زیرا هرچه حجم کوچکتر باشد، چگالی بار الکترونهای والانس نیز بیشتر خواهد بود. اعتقاد بر این است که در اتم فلوئور این اثر دافعه اثر جاذبه قوی ناشی از کوچکی اتم را تا حدی خنثی می‌کند.

دومین الکترون خواهی

این فرآیند ، فرآیندی است که در آن یک الکترون به یک یون منفی افزوده می‌شود. برای نمونه در مورد اکسیژن برابر است با 845Kj/mol+ =دومین الکترون خواهی. از آنجا که یک یون منفی و یک الکترون یکدیگر را دفع می‌کنند، در فرآیند افزودن یک الکترون به یک یون منفی نه‌تنها انرژی آزاد نمی‌شود بلکه انجام فرآیند انرژی گیر است و دومین الکترون خواهی تمامی عناصر ، مقدار مثبت دارد.

انرژی تبادل شده در فرآیند تولید یون

انرژی تبادل شده در فرآیند تولید یونی که دو یا چند بار منفی دارد، حاصل جمع جبری تمام الکترون خواهی مربوط است. این حاصل جمع برای تمام یونهای دارای چند بار منفی همیشه مثبت و فرآیند انرژی گیر است.

مقدار انرژی که در فرایند افزایش یک الکترون به یک اتم منفرد گازی شکل در حالت اصلی مبادله می شود، الکترون گیری آن اتم نامیده می شود. در این فرایند، معمولا، انرژی آزاد می شود و بنابراین، الکترون گیری بیشتر عناصر دارای علامت منفی است. ولی الکترون گیری را اغلب به صورت انرژی آزاد شده تعریف می کنند ؛ در منابع علمی که از چنین تعریفی استفاده شده است، مقادیر الکترون گیری که مربوط به آزاد شدن انرژی است، با علامت ثبت نشان داده می شود. تعیین مستقیم الکترون گیری دشوار است و تنها برای معدودی از عناصر انجام شده است. الکترون گیری برخی از عناصر دیگر به طور غیر مستقیم از داده های ترمودینامیکی محاسبه شده اند. بنابراین ، مقادیر الکترون گیری فقط برای معدودی از عناصر در دست است و اغلب این مقادیر دقت زیادی ندارند. تمایل یک اتم کوچک برای پذیرش الکترون بایستی بیشتر از یک اتم بزرگ باشد زیرا در یک اتم کوچک، الکترون افزوده شده، به طور متوسط، به هسته مثبت نزدیک تر است. این گرایش در هر دوره از چپ به راست ، تقریبا پیروی می شود. ولی در دوره دوم ، موارد استثنائی درباره بریلیم (با لایه فرعی2s پر شده)، نیتروژن( با پوسته فرعی 2p نیمه پر) و نئون (با مام لایه های فرعی پر شده) مشاهده می شوند. چنین مواردی برای عناصر نظیر آنها در دوره سوم نیز وجود دارد. عناصری که آرایش الکترونی آنها نسبتا پایدار است، الکترونهای اضافی را به سهولت نمی پذیرند. چون آرایش الکترونی هر یک از عناصر گروه هالوژنها یک الکترون کمتر از آرایش الکترونی گاز نجیب بعدی دارد، هر یک از عناصر این گروه در دوره خود، بیشترین تمایل را برای به دست آوردن یک الکترون را داراست. مقادیر الکترون خواهی هالوژنها، روند کلی الکترون خواهی را در یک گروه نشان می دهد. توانایی جذب الکترون در عناصر گروه هالوژنها، به استثنای فلوئور، از پایین به بالا با کوچک شدن اندازه اتمی افزایش می یابد. ولی تأثیر کوچک شدن اندازه اتم، ممکن