فایل هلپ

مرجع دانلود فایل ,تحقیق , پروژه , پایان نامه , فایل فلش گوشی

فایل هلپ

مرجع دانلود فایل ,تحقیق , پروژه , پایان نامه , فایل فلش گوشی

تحقیق در مورد رسوب دهی لایه های نازک سخت ویا نرم

اختصاصی از فایل هلپ تحقیق در مورد رسوب دهی لایه های نازک سخت ویا نرم دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

تحقیق در مورد رسوب دهی لایه های نازک سخت ویا نرم


تحقیق در مورد رسوب دهی لایه های نازک سخت ویا نرم

لینک پرداخت و دانلود *پایین مطلب*

فرمت فایل:Word (قابل ویرایش و آماده پرینت)

 تعداد صفحه47

بخشی از فهرست مطالب

مقدمه

 

  1. 2.1 طبقه بندی فناوریهای CVD
  2. 2.2 روش تحت فشار اتمسفر رسوب شیمیایی بخار (APCVD)
  3. 2.3 فرایند درجه حرارتهای متوسط (MT- CVD)
  4. 2.4 روش کمکی پلاسما (ACVD) CVD
  5. 3.3 تکنیکهای Spottering

 

5.3.2 تکنیکهای تبخیر رسوب دهی لایه های نازک سخت ویا نرم

مقدمه

مورفولوژی یک پوشش بطور عمده به فناوری بکار گرفته شده بستگی دارد. بطور کلی روشهایی که در آن پوشش از فاز بخار رسوب داده می‌شوند. را می‌توان دو گروه اصلی تقسیم کرد روش رسوب شیمیایی بخار CVD و روش رسوب فیزیکی PVD بعلاوه از روشهایی به نام روشهای کمکی یا تحریک شده نیز استفاده می‌شود. بعنوان مثال روش کمکی پلاسمای رسوب شیمیایی بخار PA-CVD یا فرآیندهای دما توسط مانند روش دما متوسط CVD که با MT-CVD نمایش داده می‌شود نیز گسترش پیدا کرده است. همانطور که در شکل 5.1 نشان داده شده است بعنوان مثال به روشهای فوق مواردی مثل پرایدهای نسوز، کارمیدها، نیتریدها ،اکسیدها وترکیب های مختلفی از این گونه پوششها را میتوان رسوب داد.

5.2 روشهای رسوب شیمیایی بخار

  1. 2.1 طبقه بندی فناوریهای CVD

در روش رسوب شیمیایی بخار واکنش کننده ها بصورت گاز تامین شده و واکنشهای شیمیایی در اثر گرما در سطح زیر لایه گرم شده انجام می‌شوند. در روشهای CVD معمولا فرآیند در درجه ر600 تا 1100 درجه سانتیگراد انجام می‌شود هزینه فرآیندهایی که در درجه وارستای پایین تر نیز کار می کنند بکار گرفته شده است. در جدول 5.1 می‌توان روشهایی از CVD که بیشتر در صنعت ارز برش بکار می رود را ملاحظه کرد.

In به شکل سنتی خود فناوری CVD بدون فرآیندهای کمکی در فشار محیط مثل پوشش دهی در فشار محیط APCVD ,CVD یا در فشار پایین مثل پوشش دهی به فشار کم CVD استفاده میشود. از فناوری APCVD که به پوشش دهی با دمای بالای (HT-CVD) CVD نیز معروف است بعنوان پرمصرف ترین روش پوشش می‌توان نام برد.

در روش کلاسیک پوشش دهی CVD که از سال 1969 در صنعت بکارگرفته شد از در یک لحظه ای حفاظت شده از اتمسفر محیط،تحت گاز هیدروژن فشار 1 اتمسفر یا کمتر تا 1000C گرم می‌شود. همچنین ترکیبات تبخیر شدنی به اتمسفر هیدروژن اضافه می‌شوند. تا بتوان ترکیبات فلی وغیرفلزی را رسوب داد. یک جنبه مشترک تمام فناوریهای CVD افزودن عنصر مورد نظر در پوشش به شکل یک هالوژن مثل Tic4 در ورد لایه های Ti(cN)  یا TiN ,Tic یا مخلوطی از هالوژنها مثل Ticl4 +Bcl3 در مورد لبه های TiB2 می‌توان نام برد.

  1. 2.2 روش تحت فشار اتمسفر رسوب شیمیایی بخار (APCVD)
وسایل بکار گرفته شده برای رسوب دهی لایه TiN به روش CVD در شکل 5.2 ارائه شده است در این روش یک محفظه واکنش گرم شده و وسایل انتقال گاز مورد نیاز است. در بیشتر موارد زیر لایه به روش هرفت یا تشعشعی ازداخل محفظه پوشش دهی گرم می‌شود. فرآیند با تغییر دادن درجه حرارت

 


دانلود با لینک مستقیم


تحقیق در مورد رسوب دهی لایه های نازک سخت ویا نرم

تاثیر پیش تیمار مایکروویو بر انرژی مصرفی در خشک کردن لایه نازک دانه انار

اختصاصی از فایل هلپ تاثیر پیش تیمار مایکروویو بر انرژی مصرفی در خشک کردن لایه نازک دانه انار دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

تاثیر پیش تیمار مایکروویو بر انرژی مصرفی در خشک کردن لایه نازک دانه انار


تاثیر پیش تیمار مایکروویو بر انرژی مصرفی در خشک کردن لایه نازک دانه انار نویسند‌گان: سعید مینایی ، علی متولی ، محمدهادی موحدنژاد ، سارا غریبی
خلاصه مقاله:
تحلیل انرژی میتواند به عنوان یک ابزار لازم برای طراحی، آنالیز و بهینه سازی سامانه گرمایی بکار رود. در این پژوهش به تحلیل انرژی مصرفی در خش ککردن لایه نازک دانه انار ترش با استفاده از پیش تیمار مایکروویو می پردازد. آزمایشات در سه تیمار شاهد و پیش تیمار مایکروویو با توان 100 وات و پیش تیمار مایکروویو با توان 200 وات و سه سطح دمایی ( 50 60 و 70 درجه سلسیوس) در سه سطح سرعت باد 0/5و1و1/5 متر بر ثانیه) انجام شد. انرژی مصرفی و نسبت انرژی مصرفی با افزایش زم ان افزایش یافت. با انجام پیش تیمار مایکروویو( 200 وات)، انرژی مصرفی و زمان خشک شدن نسبت به تیمارهای دیگر به طور قابل توجهی کاهش یافت
کلمات کلیدی: انرژی مصرفی، خشک کردن لایه نازک، پیشتیمار مایکروویو، دانه انار

دانلود با لینک مستقیم


تاثیر پیش تیمار مایکروویو بر انرژی مصرفی در خشک کردن لایه نازک دانه انار

40 سوال رشته نازک دوزی زنانه درجه 2 آزمونهای کتبی فنی و حرفه ای

اختصاصی از فایل هلپ 40 سوال رشته نازک دوزی زنانه درجه 2 آزمونهای کتبی فنی و حرفه ای دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

40 سوال رشته نازک دوزی زنانه درجه 2 آزمونهای کتبی فنی و حرفه ای


40 سوال رشته نازک دوزی زنانه درجه 2 آزمونهای کتبی فنی و حرفه ای

تعداد 40 سوال از 1 دوره آزمون کتبی رشته نازکدوزی زنانه درجه 2  آزمونهای سازمان فنی و حرفه ای کشور با پاسخنامه مربوطه در این فایل ارائه شده است .


دانلود با لینک مستقیم


40 سوال رشته نازک دوزی زنانه درجه 2 آزمونهای کتبی فنی و حرفه ای

دانلودمقاله جایگاه علم و تکنولوژی لایه های نازک و مهندسی سطح در توسعه

اختصاصی از فایل هلپ دانلودمقاله جایگاه علم و تکنولوژی لایه های نازک و مهندسی سطح در توسعه دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

جایگاه علم و تکنولوژی لایه های نازک و مهندسی سطح در توسعه نانو تکنولوژیچکیده

در سالهای اخیر به دلیل اهمیت بنیادی و کاربردهای بالقوه مواد نانوساختاری در علوم شیمی، فیزیک ، زیست شناسی و مواد توجه زیادی به این مقوله معطوف گشته است . تمایل به مینیاتوری کردن ابزار و بالا بردن ظرفیت ذخیره اطلاعات به ویژه در ساخت قطعات الکترونیکی و اپتیکی ، زمینه های تحقیقاتی وسیعی از نانو تکنولوژی را به بخش مواد نانوساختاری اختصاص داده است .تکنیک های مختلفی برای ساخت نانو ساختارها توسعه یافته است که از علم لایه های نازک نشات گرفته اند و می توان به روش های رشد اپیتاکسی ، لیتوگرافی با باریکه های الکترونی ، رسوب از بخار و روشهای خاص self-Assembly اشاره نمود . مواد نانوساختاری یک گروه جدید از مواد را با خواص متفاوت نسبت به گونه های مولکولی و ساختارهای حالت جامد توده ای ارائه می دهد .این مواد با داشتن اثرات حدی کوانتومی ، رفتار بی همتایی را ایجاد می کنند که می توانند در ساخت دستگاهای جدید اپتیکی ، مغناطیسی ، الکترونیکی ، و ترمو الکتریکی نقش مهمی را ایفا نماید . در این جا سعی می شود رشد علم لایه های نازک و مهندسی سطح در سال های اخیر و تکنولوژی توسعه یافته مرتبط از جمله نانوتکنولوژی مورد بحث قرار گیرد .

مقدمه

علوم نانوبه کلیه پژوهش ها ، بحث ها مطالعات برهمکنشها ، مشاهدات ، اندازه گیری ها و کنترلماده در مقیاس نانو متری اطلاق می شود که در گسترش علوم فیزیک ، شیمی ، مواد ، زیست شناسی و مهندسی تاثیر بسزایی داشته است . علوم نانو دارای پتانسل موثری در تحقیق و تحول علوم و رشد آن ها می باشند .
نانو تکنولوژی به روشی اطلاق می شود که بتوان ابزار و سیستم هایی نظیر نانو مکانیک ، نانو ربات ها ، سنسور ها ، بیو تراشه ها و ... را با کنترل مواد در مقیاس نانو متری ساخت ، مقیاسی که شامل اتم ، مولکول و ساختارهای مولکولی است . نانوتکنولوزی با به واقعیت رساندن اکتیویته ها و فرایند ها در مقیاس نانو، ساختارهای بزرگتری با نظم مولکولی جدید را توسعه می دهد. براساس این ساختارها ، تحت عنوان نانوساختارها ، ابزاآلات کوچکتری ساخته می شود که خواص و قابلیت های فیزیکی ، شیمیایی و بیولوژیکی جدید را ارائه می دهند . هدف ازعلوم نانو و نانوتکنولوژی شناسایی دقیق این خواص و در نتیجه دستیابی به توان تولید نانو ساختارها و راندمان بالا می باشد. شکل های 1 و2 برخی ازانواع نانوساختارهای اولیه ساخته شده را نشان می دهند .
نظریه جایگزین شدن مولکول ها یا اتم ها که می تواند به عنوان یک انقلاب علمی محسوب شود درسال 1959 توسط ریچارد فینمن برنده جایزه نوبل ارائه گردیده است.
وی معتقد بود با وجود فقدان ابزار تجربی هیچ گونه مانعی برای بررسی در ابعاد نانومتری وجود ندارد . حتی قوانین فیزیک هم محدودیتی را اعمال نمی کنند.بنابراین برای رسیدن به ابعاد کوچکتر نیاز به طراحی مجدد دستگاههای تجربی وجود دارد که البته باید در تصحیح و تطبیق پارامتر ها هم تغییر صورت پذیرد . به عنوان مثال نیروی جاذبه پدیده مهمی است اما نیروهای واندروالس و کشش سطحی نقش فوق العاده ای خواهد داشت . شکل 3 تحول تکنولوژی صورت گرفته درقرن گذشته را نشان می دهد . ملاحظه می شود که شروع قرن بیست و یکم یک بازه زمانی شبه پایدار از تکنولوزی نیمه هادی به نانوتکنولوژی می باشد .

علم لایه های نازک

لایه نازک زیرساختاری است که از نشست لایه های اتمی یک ماده بر روی زیر لایه جامد حاصل می شود . لایه های نازک با ضخامت های بین چند نانومتر تا میکرومتر دارای خواص متفاوتی از مواد بایک می باشند . این تفاوت ها به ویزه در ضخامت های بسیار کم یا در مراحل اولیه رشد مهم جلوه می نماید و اساسا به اجزای میکروساختاری و تجمع صورت گرفته در طول تحول نشست اتم های ازآزاد از فاز گازی به فاز جامد تحت شرایط تعادل ترمودینامیکی بستگی دارد .
درسال های اخیر ، علم لایه های نازک به عنووان یک رشته تحقیقاتی مهم در سراسر دنیا مطرح شده است . اهمیت پوشش ها و سنتزمواد جدید در صنایع سبب جهش ناگهانی در تکنولوژی فرآوری لایه های نازک گردیده است . امروزه این پیشرفت ها با جهش های علمی و تکنولوژیکی صنایع مایکرو الکترونیکی ، اپتیک و نانو تکنولوژی همراه گشته است . تغییرات سریع مورد نیاز درمواد و ابزار متشکل از لایه های نازک، جایگاه های جدیدی در توسعه فرآیند ها ، مواد وتکنولوژی های جدیدی را ایجاد نموده است . شکل 4 ، عناصر اصلی تاثیرگذار برعلم لایه های نازک نشان می دهد .
عمده پیشرفت های صورت گرفته در علم لایه های نازک در صنایع ماکرو الکترونیک می باشد . البته کاربرهای روبه رشدی نیز در لایه های نازک اپتیکی ، مغناطیسی ، الکتروشیمی ، پوشش های محافظ و تزئینی و کاتالیزورها در حال شکل گرفتن می باشند . بیشتر اکتیویته های لایه نازک در رشته تحقیقاتی جدیدی تحت عنوان مهندسی سطح مطرح می گردد . مهندسی سطح یکی از مهمترین رشته های رشد یافته در سال گذشته بوده است که شامل طراحی و فرآوری لایه های سطحی ، فصل مشترک های داخلی و مشخصه های آن ها می باشد . مهندسی سطح با توسعه لایه های نازک و مشخصه های سطحی مواد ارتباط مستقیم دارد.


تکنولوژی لایه های نازک و نانو تکنولوژی

افزایش تحقیقات علمی به موازات فراهم آوردن کشفیات بشری ، جهش های تکنولوژیکی حاصل از آن یافته ها را نیز به همراه دارد . تکنولوژی ، علم را از طریق استفاده از ابزار آلات علمی و حل مشکلات تحت تاثیر قرار می دهد در حالی علم با تئوری و تعیین پارامترهای مجزای برهمکنش ها وتاثیرمتقابل آنها سبب توسعه تکنولوژی می شود . نتیجه این فرآیندهای در حال تغییر ، پیشرفت هر دوی آن ها می باشد . در حال حاضر توسعه علمی و تکنولوژیکی باعث رشد علوم نانو و نانوتکنولوژیکی گردیده است .
فاصله بین حل کردن مسائل بنیادی مواد وتوسعه ابزار لایه های نازک جدید در کاربردهای میکرو الکترونیک و نانو تکنولوژی به سرعت در حال افزایش است . به عنوان مثال در بسیاری از کاربردها ، توسعه سیستم لایه های نازک با مشکلات فرآوری و بنیادی مواد همراه است که نیاز دارد در آینده تلاش های زیادی صرف حل آن ها گردد . مثال های واضح در این مورد چسبندگی و پایداری حرارتی و اتمسفری لایه های نازک است . پیشرفت های آ ینده برای از رو برداشتن موانع در جهت مینیاتوری کردن اندازه ابزار در مقیاس نانومتری بسیار بحرانی و حساس است . تحقیقات بنیادی دراین زمینه درحوزه توسعه ابزارتجربی لازم برای مشخصه یابی
In-Situ (for example methods ELLIPSOMETRY,SPM,RHEED,
بررسی PLASMA-ASSISED TECHNIQUES) ساختار لایه های نازک و همچنین توسعه تکنیک های نویین سنتز و ساخت می باشد .این تکنیک ها باید قابل اطمینان تر ، ارزان تر و با قابلیت تولید لایه هایی با خواص نو و اصلاح شده باشند .

نا نوابزار های ساخته شده از لایه های نازک

نیازهای ضروری اخیربه ابزارو تکنیک های ساخت که قابلیت توسعه ساختارهایی با ابعاد 0.1تا 50nmرا دارا باشند ، زمینه های تحقیقاتی گوناگونی را فراهم آورده است .)شکل 5(

الف (صنایع الکترونیک (ترانزیستورها)

مدارات مجتمع پایه سلیسیومی رشد واقعی ویژه ای را از طریق اختراع و توسعه آن هااز خود نشان داده اند .از ترانزیستور های دو قطبی اولیه در سال 1948، مدار مجتمع صفحه ای در سال1961وهدف اولیهMOSFETدرسال 1964 ، امروزه صنعت نیمه هادی دارای پیشرفتهای تکنیکی با تولید قطعاتی نظیر میکروپرسسورها )با محدوده کاری 1GHzو (بیشتر ،میکروپرسسورهای با بیشتر از صد میلیون ترانزیستور، تراشه های حافظه و غیره می باشد . رشد تکنولوژیکی سریع آنها در سال1965 توسط گوردن مور تحت عنوان قانون مشهور موری پیشبینی شده است که بر این اساس چگالی و عملکرد مدار مجتمع در هر 18 ماه دوبرابر می گردد . پیشبینی وی با پیشرفت های واقعی صورت گرفته در شکل های 6 الی 8 مقایسه شده است . این پیشرفت ها از طریق کاهش ابعاد ترانزیستور ، افزایش چگالی ترانزیستور و فرکانس عملیاتی حاصل گردیده است .
MOSFET در 40طولسال گذشته از نظر مغیاس رشد قابل ملاحظه ای نشان داده و در صنعت مدارات مجتمع بسیار موفق بوده است . اما محدودیت های مقیاسی و در پی آن محدودیت های تکنولوژیکی مانع از رشد آن ها گردیده است . اگرچه امروزه MOSFET در مقیاس نانو متری تولید می شود ولیکن نانوتکنولوژی محسوب نمی گردد. نانو تکنولوژی قطعات الکترونیکی میتواند تحول عظیمی گردد که MOSFETرا متوقف سازد . در این راستا نانوتکنولوژی نظیر تولید نانوتیوب های کربنی برای ساخت ترانزیستور زمینه تحقیقاتی وسیعی را گشوده است که چگالی ، سرعت ، انرژی و... و سایر نیازمندی های قطعات الکترونیکی را می تواند براورده سازد .

جایگاه علم و تکنولوژی لایه های نازک و مهندسی سطح در توسعه نانو تکنولوژیچکیده

در سالهای اخیر به دلیل اهمیت بنیادی و کاربردهای بالقوه مواد نانوساختاری در علوم شیمی، فیزیک ، زیست شناسی و مواد توجه زیادی به این مقوله معطوف گشته است . تمایل به مینیاتوری کردن ابزار و بالا بردن ظرفیت ذخیره اطلاعات به ویژه در ساخت قطعات الکترونیکی و اپتیکی ، زمینه های تحقیقاتی وسیعی از نانو تکنولوژی را به بخش مواد نانوساختاری اختصاص داده است .تکنیک های مختلفی برای ساخت نانو ساختارها توسعه یافته است که از علم لایه های نازک نشات گرفته اند و می توان به روش های رشد اپیتاکسی ، لیتوگرافی با باریکه های الکترونی ، رسوب از بخار و روشهای خاص self-Assembly اشاره نمود . مواد نانوساختاری یک گروه جدید از مواد را با خواص متفاوت نسبت به گونه های مولکولی و ساختارهای حالت جامد توده ای ارائه می دهد .این مواد با داشتن اثرات حدی کوانتومی ، رفتار بی همتایی را ایجاد می کنند که می توانند در ساخت دستگاهای جدید اپتیکی ، مغناطیسی ، الکترونیکی ، و ترمو الکتریکی نقش مهمی را ایفا نماید . در این جا سعی می شود رشد علم لایه های نازک و مهندسی سطح در سال های اخیر و تکنولوژی توسعه یافته مرتبط از جمله نانوتکنولوژی مورد بحث قرار گیرد .

مقدمه

علوم نانوبه کلیه پژوهش ها ، بحث ها مطالعات برهمکنشها ، مشاهدات ، اندازه گیری ها و کنترلماده در مقیاس نانو متری اطلاق می شود که در گسترش علوم فیزیک ، شیمی ، مواد ، زیست شناسی و مهندسی تاثیر بسزایی داشته است . علوم نانو دارای پتانسل موثری در تحقیق و تحول علوم و رشد آن ها می باشند .
نانو تکنولوژی به روشی اطلاق می شود که بتوان ابزار و سیستم هایی نظیر نانو مکانیک ، نانو ربات ها ، سنسور ها ، بیو تراشه ها و ... را با کنترل مواد در مقیاس نانو متری ساخت ، مقیاسی که شامل اتم ، مولکول و ساختارهای مولکولی است . نانوتکنولوزی با به واقعیت رساندن اکتیویته ها و فرایند ها در مقیاس نانو، ساختارهای بزرگتری با نظم مولکولی جدید را توسعه می دهد. براساس این ساختارها ، تحت عنوان نانوساختارها ، ابزاآلات کوچکتری ساخته می شود که خواص و قابلیت های فیزیکی ، شیمیایی و بیولوژیکی جدید را ارائه می دهند . هدف ازعلوم نانو و نانوتکنولوژی شناسایی دقیق این خواص و در نتیجه دستیابی به توان تولید نانو ساختارها و راندمان بالا می باشد. شکل های 1 و2 برخی ازانواع نانوساختارهای اولیه ساخته شده را نشان می دهند .
نظریه جایگزین شدن مولکول ها یا اتم ها که می تواند به عنوان یک انقلاب علمی محسوب شود درسال 1959 توسط ریچارد فینمن برنده جایزه نوبل ارائه گردیده است.
وی معتقد بود با وجود فقدان ابزار تجربی هیچ گونه مانعی برای بررسی در ابعاد نانومتری وجود ندارد . حتی قوانین فیزیک هم محدودیتی را اعمال نمی کنند.بنابراین برای رسیدن به ابعاد کوچکتر نیاز به طراحی مجدد دستگاههای تجربی وجود دارد که البته باید در تصحیح و تطبیق پارامتر ها هم تغییر صورت پذیرد . به عنوان مثال نیروی جاذبه پدیده مهمی است اما نیروهای واندروالس و کشش سطحی نقش فوق العاده ای خواهد داشت . شکل 3 تحول تکنولوژی صورت گرفته درقرن گذشته را نشان می دهد . ملاحظه می شود که شروع قرن بیست و یکم یک بازه زمانی شبه پایدار از تکنولوزی نیمه هادی به نانوتکنولوژی می باشد .

علم لایه های نازک

لایه نازک زیرساختاری است که از نشست لایه های اتمی یک ماده بر روی زیر لایه جامد حاصل می شود . لایه های نازک با ضخامت های بین چند نانومتر تا میکرومتر دارای خواص متفاوتی از مواد بایک می باشند . این تفاوت ها به ویزه در ضخامت های بسیار کم یا در مراحل اولیه رشد مهم جلوه می نماید و اساسا به اجزای میکروساختاری و تجمع صورت گرفته در طول تحول نشست اتم های ازآزاد از فاز گازی به فاز جامد تحت شرایط تعادل ترمودینامیکی بستگی دارد .
درسال های اخیر ، علم لایه های نازک به عنووان یک رشته تحقیقاتی مهم در سراسر دنیا مطرح شده است . اهمیت پوشش ها و سنتزمواد جدید در صنایع سبب جهش ناگهانی در تکنولوژی فرآوری لایه های نازک گردیده است . امروزه این پیشرفت ها با جهش های علمی و تکنولوژیکی صنایع مایکرو الکترونیکی ، اپتیک و نانو تکنولوژی همراه گشته است . تغییرات سریع مورد نیاز درمواد و ابزار متشکل از لایه های نازک، جایگاه های جدیدی در توسعه فرآیند ها ، مواد وتکنولوژی های جدیدی را ایجاد نموده است . شکل 4 ، عناصر اصلی تاثیرگذار برعلم لایه های نازک نشان می دهد .
عمده پیشرفت های صورت گرفته در علم لایه های نازک در صنایع ماکرو الکترونیک می باشد . البته کاربرهای روبه رشدی نیز در لایه های نازک اپتیکی ، مغناطیسی ، الکتروشیمی ، پوشش های محافظ و تزئینی و کاتالیزورها در حال شکل گرفتن می باشند . بیشتر اکتیویته های لایه نازک در رشته تحقیقاتی جدیدی تحت عنوان مهندسی سطح مطرح می گردد . مهندسی سطح یکی از مهمترین رشته های رشد یافته در سال گذشته بوده است که شامل طراحی و فرآوری لایه های سطحی ، فصل مشترک های داخلی و مشخصه های آن ها می باشد . مهندسی سطح با توسعه لایه های نازک و مشخصه های سطحی مواد ارتباط مستقیم دارد.


تکنولوژی لایه های نازک و نانو تکنولوژی

افزایش تحقیقات علمی به موازات فراهم آوردن کشفیات بشری ، جهش های تکنولوژیکی حاصل از آن یافته ها را نیز به همراه دارد . تکنولوژی ، علم را از طریق استفاده از ابزار آلات علمی و حل مشکلات تحت تاثیر قرار می دهد در حالی علم با تئوری و تعیین پارامترهای مجزای برهمکنش ها وتاثیرمتقابل آنها سبب توسعه تکنولوژی می شود . نتیجه این فرآیندهای در حال تغییر ، پیشرفت هر دوی آن ها می باشد . در حال حاضر توسعه علمی و تکنولوژیکی باعث رشد علوم نانو و نانوتکنولوژیکی گردیده است .
فاصله بین حل کردن مسائل بنیادی مواد وتوسعه ابزار لایه های نازک جدید در کاربردهای میکرو الکترونیک و نانو تکنولوژی به سرعت در حال افزایش است . به عنوان مثال در بسیاری از کاربردها ، توسعه سیستم لایه های نازک با مشکلات فرآوری و بنیادی مواد همراه است که نیاز دارد در آینده تلاش های زیادی صرف حل آن ها گردد . مثال های واضح در این مورد چسبندگی و پایداری حرارتی و اتمسفری لایه های نازک است . پیشرفت های آ ینده برای از رو برداشتن موانع در جهت مینیاتوری کردن اندازه ابزار در مقیاس نانومتری بسیار بحرانی و حساس است . تحقیقات بنیادی دراین زمینه درحوزه توسعه ابزارتجربی لازم برای مشخصه یابی
In-Situ (for example methods ELLIPSOMETRY,SPM,RHEED,
بررسی PLASMA-ASSISED TECHNIQUES) ساختار لایه های نازک و همچنین توسعه تکنیک های نویین سنتز و ساخت می باشد .این تکنیک ها باید قابل اطمینان تر ، ارزان تر و با قابلیت تولید لایه هایی با خواص نو و اصلاح شده باشند .

نا نوابزار های ساخته شده از لایه های نازک

نیازهای ضروری اخیربه ابزارو تکنیک های ساخت که قابلیت توسعه ساختارهایی با ابعاد 0.1تا 50nmرا دارا باشند ، زمینه های تحقیقاتی گوناگونی را فراهم آورده است .)شکل 5(

الف (صنایع الکترونیک (ترانزیستورها)

مدارات مجتمع پایه سلیسیومی رشد واقعی ویژه ای را از طریق اختراع و توسعه آن هااز خود نشان داده اند .از ترانزیستور های دو قطبی اولیه در سال 1948، مدار مجتمع صفحه ای در سال1961وهدف اولیهMOSFETدرسال 1964 ، امروزه صنعت نیمه هادی دارای پیشرفتهای تکنیکی با تولید قطعاتی نظیر میکروپرسسورها )با محدوده کاری 1GHzو (بیشتر ،میکروپرسسورهای با بیشتر از صد میلیون ترانزیستور، تراشه های حافظه و غیره می باشد . رشد تکنولوژیکی سریع آنها در سال1965 توسط گوردن مور تحت عنوان قانون مشهور موری پیشبینی شده است که بر این اساس چگالی و عملکرد مدار مجتمع در هر 18 ماه دوبرابر می گردد . پیشبینی وی با پیشرفت های واقعی صورت گرفته در شکل های 6 الی 8 مقایسه شده است . این پیشرفت ها از طریق کاهش ابعاد ترانزیستور ، افزایش چگالی ترانزیستور و فرکانس عملیاتی حاصل گردیده است .
MOSFET در 40طولسال گذشته از نظر مغیاس رشد قابل ملاحظه ای نشان داده و در صنعت مدارات مجتمع بسیار موفق بوده است . اما محدودیت های مقیاسی و در پی آن محدودیت های تکنولوژیکی مانع از رشد آن ها گردیده است . اگرچه امروزه MOSFET در مقیاس نانو متری تولید می شود ولیکن نانوتکنولوژی محسوب نمی گردد. نانو تکنولوژی قطعات الکترونیکی میتواند تحول عظیمی گردد که MOSFETرا متوقف سازد . در این راستا نانوتکنولوژی نظیر تولید نانوتیوب های کربنی برای ساخت ترانزیستور زمینه تحقیقاتی وسیعی را گشوده است که چگالی ، سرعت ، انرژی و... و سایر نیازمندی های قطعات الکترونیکی را می تواند براورده سازد .

 

 

 

فرمت این مقاله به صورت Word و با قابلیت ویرایش میباشد

تعداد صفحات این مقاله   23 صفحه

پس از پرداخت ، میتوانید مقاله را به صورت انلاین دانلود کنید

 


دانلود با لینک مستقیم


دانلودمقاله جایگاه علم و تکنولوژی لایه های نازک و مهندسی سطح در توسعه

مقاله مرور مختصری بر روشهای ریخته گری مقاطع نازک در قالبهای فلزی

اختصاصی از فایل هلپ مقاله مرور مختصری بر روشهای ریخته گری مقاطع نازک در قالبهای فلزی دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

مقاله مرور مختصری بر روشهای ریخته گری مقاطع نازک در قالبهای فلزی


مقاله مرور مختصری بر روشهای ریخته گری مقاطع نازک در قالبهای فلزی

نیاز صنعت به افزایش سرعت تولید و ساخت قطعات نازک با کیفیت سطحی مناسب و وزن کم باعث شد تا در جنگ جهانی دوم روشهای ریخته گری وزنی
Gravity Casting جای خود را به روشهای ریخته گری تزریقی در قالبهای فلزیInjection Casting بدهند .

       از ویژگیهای سیستمهای تزریقی آنست که می توان قالب را در مراحل مشخصی پر کرد که هر یک می تواند بطور جداگانه تنظیم و کنترل شوند . جدیدترین پیشرفتهای انجام شده در این زمینه ،ابداع روشهای ریخته گری از کف ویا به عبارتی پرکردن روبه بالای قالب Uphill Filling بوسیلة یک لولة عمودی با اتصال مستقیم به کوره است .

       بزرگترین مزیت این روش حذف شرایطی است که باعث ریخته شدن مذاب از بالا به پایین می شد .(مثل ریختن مذاب از کوره به پاتیل ، پاتیل به حوضچة بارریز و سقوط مذاب در راهگاه بارریز ) بنابراین امکان تلاطم و آشفتگی سطحی و ورود اکسیدها به داخل مذاب بطور چشمگیری کاهش یافته و امکان تولید قطعه ای با کیفیت بالا افزایش می یابد

 

 

 

 

 

این مقاله به صورت  ورد (docx ) می باشد و تعداد صفحات آن 34صفحه  آماده پرینت می باشد

چیزی که این مقالات را متمایز کرده است آماده پرینت بودن مقالات می باشد تا خریدار از خرید خود راضی باشد

مقالات را با ورژن  office2010  به بالا بازکنید


دانلود با لینک مستقیم


مقاله مرور مختصری بر روشهای ریخته گری مقاطع نازک در قالبهای فلزی