طرح هادی روستای شیرکلا و معصوم آباد به همراه فایلهای اتوکد

اختصاصی از فایل هلپ طرح هادی روستای شیرکلا و معصوم آباد به همراه فایلهای اتوکد دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

طرح هادی روستای شیرکلا و معصوم آباد در 70 صفحه با فرمت pdf به همراه فایلهای اتوکد بسیار کامل برای انجام پروژه های معماری و شهرسازی 

فایل های اتوکد شامل: فایل محله بندی روستای شیرکلا و معصوم آباد، فایل مالکیت، فایل شیب بندی، فایل وضع موجود، فایل شبکه معبر، کاربری پیشنهادی  هستند.

دانلود پروژه طرح هادی روستای گوش

اختصاصی از فایل هلپ دانلود پروژه طرح هادی روستای گوش دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

 پیشینه و سابقه روستانشینی در ایران طی مطالعات و تحقیقات علمی و باستان شناسی به عمل آمده، عمر روستایی را در ایران به 5000 سال قبل از میلاد برآورد می نماید. با وجود تحولات زیادی در سیمای اقتصادی- اجتماعی وسیاستهای توسعه جهانی در چند دهه اخیر به وقوع پیوسته و به رغم افزایش سطح رفاه در شهرها گسترش شهر نشینی و هجوم جمعیت عظیم مهاجرین روستایی به شهرها هنوز حدود 57% جمعیت جهان در سکونت گاههای روستایی زندگی می کنند که توجیه کافی ومناسبی برای بذل توجه به جایگاه برنامه ریزی روستایی را نشان می دهند. کشور ما نیز با داشتن رقم 38.3 درصد کل جمعیت با مسئله عدم هماهنگی و تجانس نظام استقرار بخشی از جمعیت روستایی با شرایط تحول و توسعه در شرایط کنونی مواجه می باشد. شاید بتوان عمده ترین مسائل موجود در حوزه های روستایی را به ترتیب زیر نام برد:
1.    نابسامانی در وضعیت معیشت و فعالیت بسیار محدود و ابتدایی.
2.    نابسامانی در پیوند حوزه های روستایی با بدنه نظام اسکان به دلیل فقدان یک شبکه دسترسی کارآمد.
3.    بی ثباتی شدید اسکان در حوزه ها که خود باعث ناپایداری جمعیت می باشد.
به دنبال درک واقعیتهای مکانی- فضایی فوق و خالی شدن نقاط روستایی به سمت مراکز بزرگ روستایی و شهری که خود زمینه ساز بروز عوارض خاص اجتماعی، اقتصادی، کالبدی و زیست محیطی در مقصد نیز شده است. ضرورت و تغییر نگرش و توجه خاص به عرصه های روستایی و سامان بخشی به نظام و الگوی استقرار روستاها احساس گردید. نتیجه اصلی تحقیق مبتنی بر رعایت دو اصل می باشد، شناسایی وضع موجود روستا و روابط بین عناصر سازنده مورد مطالعه براساس نتایج حاصله. شروع مرحله دوم یعنی دستیابی به روشها، قوانین و تئوری هایی است که به کمک آنها بتوان به شناخت سیستم ها دست یافت و خصوصیت و رفتار آینده آنرا پیش بینی نمود.

مقدمه1
فصل اول: شناخت و ارزیابی وضع موجود
1معرفی اجمالی شهرستان
سابقه تاریخی 2
موقعیت جغرافیایی3
ویژگی های طبیعی4
ویژگی های انسانی 6
ویژگی های اقتصادی 9
2شناسایی حوزه نفوذ
تعیین حوزه نفوذ روستا 12
بررسی ویژگی های طبیعی حوزه نفوذ روستا12
3شناسایی روستا
موقعیت جغرافیایی12
تعیین محدوده اراضی کشاورزی و منابع طبیعی13
بررسی منابع آب 13
بررسی ویزگی های جمعیتی13
ویژگی های اقتصادی18
شناخت عوامل مؤثر در پیدایش روستا21
شناخت و تعیین نحوه کاربری فضاهای موجود 22
شناسایی مراکز تفرج گاهی و جاذبه های توریستی و تأثیر آن بر توسعه روستا22
شناخت کیفیت ابنیه و بررسی مصالح ساختمانی26
بررسی شبکه های ارتباطی26
فصل دوم: تجزیه و تحلیل و ارائه پیشنهادات
1برآورد کمبودهای اساسی حوزه نفوذ روستا27
2تجزیه و تحلیل و پیش بینی جمعیت آینده روستا27
3پیشنهاد معیارها و ضوابط کلی طراحی کالبدی روستا28
فهرست منابع و ماخذ

شامل 30 صفحه فایل word

به همراه نقشه ها ، مستندات به صورت کامل

دانلود با لینک مستقیم

دانلود پروژه طرح هادی روستای گوش

تحقیق آشنایی با ساختمان و عملکرد نیمه هادی دیود و ترانزیستور

اختصاصی از فایل هلپ تحقیق آشنایی با ساختمان و عملکرد نیمه هادی دیود و ترانزیستور دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

*تحقیق آشنایی با ساختمان و عملکرد  نیمه هادی دیود و ترانزیستور*

تعداد صفحات: 36

فرمت فایل: word

نیمه هادی ها و ساختمان داخلی آنها

نیمه هادی ها عناصری هستند که از لحاظ هدایت ، ما بین هادی و عایق قرار دارند، و مدار آخر نیمه هادیها ، دارای 4 الکترون می‌باشد.

ژرمانیم و سیلیکون دو عنصری هستند که خاصیت نیمه هادی ها را دارا می‌باشند و به دلیل داشتن شرایط فیزیکی خوب ، برای ساخت نیمه هادی دیود ترانزیستور ، آی سی (IC ) و .... مورد استفاده قرار می‌گیرد.

ژرمانیم دارای عدد اتمی‌32 می‌باشد .

این نیمه هادی ، در سال 1886 توسط ونیکلر[1] کشف شد.

این نیمه هادی ، در سال 1810توسط گیلوساک[2] و تنارد[3] کشف شد. اتمهای نیمه هادی ژرمانیم و سیلیسیم به صورت یک بلور سه بعدی است که با قرار گرفتن بلورها در کنار یکدیگر ، شبکه کریستالی آنها پدید می‌آید .

اتم های ژرمانیم و سیلیسیم به دلیل نداشتن چهار الکترون در مدار خارجی خود تمایل به دریافت الکترون دارد تا مدار خود را کامل نماید. لذا بین اتم های نیمه هادی فوق ، پیوند اشتراکی برقرار می‌شود.

بر اثر انرژی گرمائی محیط اطراف نیمه هادی ، پیوند اشتراکی شکسته شده و الکترون آزاد می‌گردد. الکترون فوق و دیگر الکترون هائی که بر اثر انرژی گرمایی بوجود می‌آید در نیمه هادی وجود دارد و این الکترون ها به هیچ اتمی‌وابسته نیست.

د ر مقابل حرکت الکترون ها ، حرکت دیگری به نام جریان در حفره ها که دارای بار مثبت می‌باشند، وجود دارد. این حفره ها، بر اثر از دست دادن الکترون در پیوند بوجود می‌آید.

بر اثر شکسته شدن پیوندها و بو جود آمدن الکترون های آزاد و حفره ها ، در نیمه هادی دو جریان بوجود می‌آید.جریان اول حرکت الکترون که بر اثر جذب الکترون ها به سمت حفره ها به سمت الکترون ها بوجود خواهد آمد و جریان دوم حرکت حفره هاست که بر اثر جذب حفره ها به سمت الکترون ها بوجود می‌آید. در یک کریستال نیمه هادی، تعداد الکترونها و حفره ها با هم برابرند ولی حرکت الکترون ها و حفره ها عکس یکدیگر می‌باشند.

  1.                      نیمه هادی نوع N وP

از آنجایی که تعداد الکترونها و حفره های موجود  در کریستال ژرمانیم و سیلیسیم در دمای محیط کم است و جریان انتقالی کم می‌باشد، لذا به عناصر فوق ناخالصی اضافه می‌کنند.

هرگاه به عناصر نیمه هادی ، یک عنصر 5 ظرفیتی مانند آرسنیک یا آنتیوان تزریق[4] شود، چهار الکترون مدار آخر آرسنیک با چهار اتم مجاور سیلسیم یا ژرمانیم تشکیل پیوند اشتراکی داده و الکترون پنجم آن ، به صورت آزاد باقی می‌ماند.

بنابرین هر اتم  آرسنیک، یک الکترون اضافی تولید می‌کند، بدون اینکه حفره ای ایجاد شده باشد. نیمه هادی هایی که ناخالصی آن از اتم های پنج ظرفیتی باشد، نیمه هادی نوع N[5] نام دارد.

در نیمه هادی نوع N ، چون تعداد الکترون ها خیلی بیشتر از تعداد حفره هاست لذا عمل هدایت جریان را انجام می‌دهند . به حامل هدایت فوق حامل اکثریت و به حفره ها حامل اقلیت می‌گویند.

[1] winkler

[2] Gilosake

[3] Tanard

[4] Dopping

[5] Negative

دانلود مقاله حسگرهای نیمه هادی در خودرو

اختصاصی از فایل هلپ دانلود مقاله حسگرهای نیمه هادی در خودرو دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

مقدمه:
در این تحقیق سعی بر ارائه ی مطالب متنوع و البته جدید و پیشرفته شده است و از کنجاندن مطالب ضعیف، اضافی، تکراری و قدیمی پرهیز شده است. تلاش دانشجو بر این بوده که مطالب جدید و به روز باشند و سعی شده است که نوآوریهای جدید در سیستمهای برقی خودرو در این تحقیق گنجانده شود و بر همین اساس به جای استفاده از کتابهای موجود در بازار سعی بر استفاده از اینترنت و مقاله های معتبر ترجمه شده بوده است امیدوارم مورد قبول شما استاد عزیز قرار بگیرد. ایضاً به عرض استاد گرامی برسانم چون بنده تکنولوژی دستژاه الکتریکی و کارگاه را همزمان واحدگیری نموده ام و با توجه به مرتبط بودن نمرات تکنولوژی و کارگاه این تحقیق همزمان مربوط به تکنولوژی دستگاه های الکتریکی و کارگاه به شما ارائه می گردد.

حسگرهای نیمه هادی در خودرو
حسگرها انواع زیادی دارند که به روشهای گوناگون دسته بندی می شوند. یکی از روشهای دسته بندی بر اساس کمیت مورد اندازه گیری است. بر اساس این دسته بندی حسگرها به صورت حسگرهای صوتی، مکانیکی، مغناطیسی و تشعشعی، حرارتی، شیمیایی و زیست محیطی دسته بندی می شوند. هر حسگر بسته به کاربرد خاصی که دارد باید ترکیبی از مشخصه های حساسیت، پایداری، حد تفکیک، هسیترزیس، خطی بودن، طول عمر، آفست، محدودة اندازه گیری، سرعت پاسخ دهی، قابلیت ساخت با مدار مجتمع و سازگاری با فرآیندهای تولید مدارات مجتمع و سازگاری با فرآیندهای تولید مدارات مجتمع و سازگاری با فرآیندهای تولید مدارات مجتمع (IC) را کم و بیش داشته باشد.
یک حسگر خوب علاوه بر دارا بودن دسته ای از شرایط فوق باید تحت تأثیر تغییرات عواملی چوندما، شتاب، ارتعاش، ضربه، رطوبت، فشار محیط و مواد خورنده در محدودة باتلورانس مشخص عمل کند.
یکی از شاخه های کاربردی حسگرهای نیمه هادی کاربردهای صنعتی بوده و از رایجترین و پرکاربردترین موارد در این شاخه صنعت خودروسازی است. در خودروهای جدید روز به روز تعداد کنترل کننده ها در نتیجه حسگرها رو به فزونی و تکامل است تا کنترل دقیقتر و بهینه در سیستمهای درونی خودرو حاکم شود. کنترل و اندازه گیری فشار روغن، دمای رادیاتور و موتور، میزان سوخت موجود، شتاب، سرعت، میزان و درصد گازهای خروجی، درصد ترکیب هوا و سوخت و زمان مناسب جرقه زنی شمعها از مواردی است که در خودرو نیاز به حسگر دارد.
در این مقاله ابتدا کلیاتی درباره حسگرهای نیمه هادی بیان و سپس مبادرت به دسته بندی حسگرها بر اساس انرژیها و سیگنالهای ورودی آنها می کنیم. در ادامه مشخصه‌های یک حسگر و تاریخچه تکامل آنها ذکر می شود. در خاتمه مثالی از کاربرد حسگرهای نیمه هادی در سیستمهای مختلف خودرو که امروزه بسیار متداول شده است، بیان خواهیم کرد.

دسته بندی حسگرهای نیمه هادی
لغت خسگر از کلمه لاتین "sentire" به معنی درک کردن یا دریافتن گرفته شده است. یک حسگر، کمیتی را حس و سیگنال یا انرژی مورد نظر را به سیگنال یا انرژی از نوع دیگر تبئیل می کند.
حسگرهایی که در آنها مواد نیمه هادی وظیفه اصلی را به عهده دارند، حسگرهای نیمه هادی نام دارند. برخی اوقات ماده ای که عملکرد مناسب را دارا است، عنصری نیمه هادی نیست. در این موارد می توان لایه ای از این ماده را بر روی نیمه هادی رسوب داد. لذا از این نظر دارای دو دسته حسگر هستیم: حسگرهای روی نیمه هادی و حسگرهای درون نیمه هادی. لازم به ذکر است که مهمترین ماده در هر دو نوع مذکور سیلیکن است.
حسگرهای نیمه هادی به دلیل کوچکی ابعاد تکنیکهایی که در ساخت آنها به کار می‌رود از حسگرهای دیگر متمایز هستند. اکثر حسگرهای نیمه هادی با روشهای کم و بیش مشابه با روشهای به کار برده شده در ساخت مدارات مجتمع، تولید می شوند. با استفاده از این روش، تولید صدها یا هزارها حسگر یکسان به طور هم زمان انجام می شود و در نتیجه نسبت عملکرد بر قیمت به طور محسوسی فزونی می یابد. کوچکی ابعاد نه تنها به کاهش قیمت می انجامد بلکه ما را قادر می سازد تا حسگر و مدارات جانبی مورد نیاز را بر روی یک تراشه به صورت مجتمع تولید کنیم چنین حسگرهایی حسگرهای مجتمع نام دارند و چون بعضی اعمال روی همان تراشه که حسگر بر روی آن قرار دارد انجام می شود، این حسگرها به حسگرهای هوشمند موسومند مزیت این حسگرها، عملکرد بهتر آنها است.
در شکل (1) اندازه حسگرهای نیمه هادی را با اجسام دیگر مورد مقایسه قرار داده ایم. با توجه به شکل دیده می شود که ابعاد این حسگرها در حدود میکرون است. به همین دلیل گاهی به آنها زیر حسگر گفته می شود.

انواع سیگنالها و انرژی ها
وظیفه اصلی حسگرها تبدیل انرژی کمیت مورد نظر، به انرژی از نوعی دیگر است. بنابراین برای دسته بندی حسگرها به بررسی انواع انرژیها می پردازیم. یک دسته بندی برای اکثر انرژیهای مورد بحث به صورت زیر است.
1-انرژی اتمی که از نیروی بین هسته و الکترونها بحث می کند.
2-انرژی الکتریکی در رابطه با میدان الکتریکی، جریان و ولتاژ الکتریکی
3-انرژی گرانشی وابسته له جاذبه جسم و زمین
4-انرگی مغناطیسی در مورد میدانهای مغناطیسی
5-انرژی جرمی که توسط انشتین به عنوان قسمتی از تئوری نسبیت بیان می شود.
6-انرژی مکانیکی وابسته به حرکت، جا به جایی و نیرو
7-انرژی مولکولی وابسته به انرژی پیوندی مولکولها
8-انرژی هسته ای درباره پیوند درون هسته ها
9-انرژی تابشی یا تشعشعی در رابطه با امواج الکترو مغناطیسی، امواج رادویی، میکروویو، مادون قرمز، نور مرئی، ماورای بنفش و اشعه های ایکس و گاما.
هریک از این انرژیها دارای سیگنالی متناظر با خود است.(ما در موارد عملی با انرژیهای هسته ای و جرمی کمتر سروکار داریم) انرژی های اتمی و مول
کولی متناظر با سیگنال شیمیایی و انرگیهای ثقلی و مکانیکی متناظر با سیگنال مکانیکی اند بنابراین دارای شش نوع سیگنال خواهیم بود. این شش نوع سیگنال به قرار زیر هستند:
1-سیگنال شیمیایی
2-سیگنال الکتریکی
3-سیگنال معناطیسی
4-سیگنال مکانیکی
5-سیگنال تابشی یا تشعشعی
6-سیگنال حرارتی

سیستم اندازه گیری
شکل(2) وضعیت کلی یک سیستم اندازه گیری را نشان می دهد. ابتدا کمیت مورد نظر به حسگر اعمال شده و حسگر سیگنالی متناسب با آن که اغلب الکتریکی است، تولید می کند. سپس این سیگنال در اصلاح کننده، پردازش و اصلاح می شود ولی نوع آن تغییر نمی کند، اعمال دیگر از قبیل تقویت نیز در این مرحله انجام می شود. سرانجام ترانس دیوسری در خروجی، این انرژی را به شکل مناسب جهت نمایش،ضبط و یا اعمال دیگر تبدیل می کند.
همان گونه که در شکل(2) دیده می شود، حسگر به منبع تغذیه متصل است. به این نوع حسگرها که کمیت مورد نظر را بر روی انرژی منبعی که به آن متصلند مدوله می‌کنند، حسگرهای مدوله کننده گوییم. در مقابل حسگرهایی وجود دارند که نیازی به منبع تغذیه نداشته و انرژی لازمه را از انرژی کمیت مورد نظر دریافت می کنند.
بهترین توع سیگنال خروجی یک حسگر، سیگنال الکتریکی است. زیرا سیگنال الکتریکی دارای مزایای خاصی است. برخی از این مزایا در زیر آمده است.
1-به علت ساختار الکترونی ماده و با انتخاب ماده ای مناسب برای حسگر، می توان هر کمیت غیر الکتریکی را به سادگی به تغییر مشابهی به صورت الکتریکی تبدیل کرد.
2-وجود مدارهای الکترونیکی متنوع جهت پردازش سیگنالهای الکتریکی از قبیل تقویت کننده، مدوله یا دمدوله کننده، فیلترها و اصلاح کننده ها
3-مناسب ترین سیگنال برای انتقال، سیگنال الکتریکی است.
4-وجود انواع روشها برای نمایش در خروجی و ضبط اطلاعات و تحریک عمل کننده

مشخصه های مهم یک حسگر
برخی از مشخصه های مهم یک حسگر به قرار زیر است:
1-شرایط محیطی، که ممکن است عملکرد حسگز را تحت تأثیر قرار دهند. اهم این شرایط عبارتند از شتاب، ارتعاش، فشار، رطوبت، میدانهای الکتریکی و مغناطیسی و اثر مواد خورنده، این شرایط باید به گونه ای باشند که حسگر بتواند در محدوده خاص عمل کند.
2-خروجی تمام رنج(FSO): تفاضل جبری بین نقاط ابتدایی و انتهایی خروجی را گوسسم این مقدار در شکل (3) آمده است.
3-هیستر زیس:بیشترین تفاوت در خروجی به ازای مقداری خاص از ورودی، این مقدار به صورت درصدی از FSO بیان می شود و در شکل (4) دیده می شود.
4-خطی بودن:میزان تطابق منحنی مشخصه حسگر با یک خط راست را گویند و مقدار آن برابر بیشترین فاصله این دو از هم است که بر حسب FSO بیان می شود. منحنی مشخصه یک حسگر خطی در شکل 3 آمده است.
5-محدوده کمیت مورد سنجش: با توجه به شکل (3) محدوده ای را گوییم که حسگر در آن محدوده به صورت مطلوب عمل می کند.
6-آفست:مقدار خروجی حسگر با اعمال ورودی صفر، در دمای اتاق را گوییم که در شکل (3) نشان داده شده است.
7-طول عمر:کمترین زمانی که حسگر به طور مداوم و در محدوده با تلورانس مطلوب به صورت صحیح عمل کند.
8-اضافه بار:اضافه بار یعنی عملکرد حسگر تحت ورودی بزرگتر از حد یکی از مشخصه های مهم اضافه بار، زمان برگشت حسگر به حالت عادی است.
9-حد تفکیک:کمترین تغییرات کمیت مورد سنجش که قادر به تولید سیگنال قابل تشخیص در خروجی حسگر باشد.
10-حساسیت:نسبت تغییرات خروجی حسگر به تغییرات ورودی را گوییم که در حقیقت شیب منحنی مشخصه حسگر در هر نقطه است. مطلوب است حساسیت حسگر ثابت و تا حد امکان زیاد باشد.
11-سرعت پاسخ دهی: زمان عکس العمل خروجی حسگر به تغییرات ورودی به صورت پله بیانگر سرعت پاسخ دهی است هرچه این زمان کمتر باشد سرعت پاسخ دهی حسگر بیشتر است.

تاریخچة مراحل تکامل و پیشرفت حسگرها
آغاز کار با حسگرهای نیمه هادی به سال 1874 که Brawn یکسو کننده فلز- نیمه هادی را به کاربرد بر می گردد. در حقیقت در این حسگر ورودی ولتاژ است و خروجی مقاومت، یکسو کننده که وابسته به پلاریته ولتاژ است. شروع جدی اسن مراحل از اختراع ترانزیستور در سال 1974 بود. بعدها اثر پیز و مقاومتی کشف شد ودر حسگرها مورد استفاده قرار گرفت.

نقش حساس ناخالصیها درون محلول الکترولیت و تأثیر آنها بر کارکرد باتری
عمل سولفاته کردن صفحات مثبت و منفی درون باتری به چندین عامل مهم بستگی دارد که از آن جمله اند.
1)ناخالصیهای وارد شده به محلول الکترولیت از طریق آب معمولی نه آب مقطر.
2)ناخالصیهای وارد شده به محلول الکترولیت از طریق اسید سولفوریک با درجه خلوص کم.
3)ناخالصیهای وارد شده به محلول الکترولیت از طریق سر باتریهای فلزی به غیر از سر باتری های سربی.
4)ناخالصیهای وا

فرمت این مقاله به صورت Word و با قابلیت ویرایش میباشد

تعداد صفحات این مقاله   33 صفحه

پس از پرداخت ، میتوانید مقاله را به صورت انلاین دانلود کنید

پایان نامه بررسی اثر خطای اتصالی در هادی های CTC

اختصاصی از فایل هلپ پایان نامه بررسی اثر خطای اتصالی در هادی های CTC دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

این فایل در قالب ورد و قابل ویرایش در  90 صفحه می باشد.

 

فهرست

فصل اول : آشنایی با مراحل کلی طراحی ترانسفورماتور       ۱
۱-۱-مقدمه     ۲
۱-۲-طراحی     ۴
۱-۳-آزمایش ها    ۵
۱-۴- محاسبات هسته             ۹
۱-۵-ساختمان هسته    ۱۳
فصل دوم : انواع سیم پیچی های ترانسفورماتور و ساختمان آنها    ۱۴
۲-۱-مقدمه     ۱۵
۲-۲-تعاریف     ۱۵
۲-۲-۱ سیم پیچی    ۱۵
۲-۲-۲ فاز ترانسفورماتور             ۱۶
۲-۲-۳ جزء سیم پیچ    ۱۶
۲-۲-۴-هادی موازی    ۱۶
۲-۲-۵ انواع هادی ها    ۱۸
۲-۲-۶ سیم پیچ با هادی های درهم شده         ۱۹
۲-۴-ساختمان سیم پیچ های لایه ای         ۳۱
فصل سوم : ساختار هادیهای CTC            ۳۹
۳-۱-مقدمه     ۴۰
۳-۲-معرفی هادی CTC             ۴۱
۳-۳- ساختمان هادی    CTC             ۴۳
۳-۴- توصیفی از جابجایی Transposition         ۴۶
۳-۵-بوبین ساخته شده از هادی CTC         ۴۷
۳-۶-ابعاد هادی های CTC با عایق کاغذی         ۴۷
۳-۷-بررسی اثر موقعیت خطا در بوبین         ۵۱
۳-۷-۱ بررسی اثر موقعیت خطا در بوبین با هادی دو قلو       ۵۲
۳-۸-مدل مداری هادی CTC             ۵۸
۳-۸-۱- چگونگی بدست آوردن مقادیر اندوکتانس های هادی CTC   ۵۸
۳-۸-۲-روش حل مدار در مدلسازی هادی CTC        ۶۵
۳-۸-۳-بررسی علت عدم تعادل جریان در رشته های موازی    ۶۸
۳-۹-نرم افزار CTCFMS             ۷۰
فصل چهارم : نتایج عددی و تحلیل چند ترانسفورماتور نمونه    ۷۴
تحلیل خطا در چند ترانسفورماتور نمونه         ۷۵
فصل پنجم : نتیجه گیری و پیشنهادات         ۸۱
۵-۱-نتایج کلی بدست آمده از پروژه         ۸۲
۵-۲-پیشنهادات    ۸۳
مراجع      ۸۴

مراجع:

[۱] S.V. Kulvarni, S.A. Kaparde, “Transformer Engineering Design and Practice” Marcel Deker, New York, 2004

[2] S.Rao, “Power Transformers and Specials Transformers – Principles and Practice” 3rd edition, Khanna Publisher, Dehli, 2004

[3]محمدرضا مشکوه الدینی “ترانسفورماتورهای قدرت” انتشارات دانشگاه صنعت آب و برق  ۱۳۸۵

[۴] Girgis, R.S, Ed G.te Nyenhuis ” Experimental Invstigation on effect of Core

Production Attributies” IEEE transaction on Power Delivery, Vol. 13, No. 2, Apr 1998

[5] E. Rahimpour, “ Modeling of Transformer Winding in order to Detect of Mechanical Deformation, Ph.D. Desertion, ECE Department, University of Tehran, Iran, April 2002

[6] S.E. Zochol et al, “ Transformer modeling as applied to differential protection “ Schweitzer Engineering Laboratories, Inc. , 2004

[7] خلیل ولی پور “مدلسازی و شبیه سازی مشروح حالت گذرای ترانسفورماتور خشک” رساله دکتری، دانشکده مهندسی برق، دانشگاه خواجه نصیرالدین طوسی، ۱۳۸۶

۱-۱-مقدمه

طراحی ترانسفورماتور یعنی آماده سازی نقشه‌های اجرایی ترانسفورماتور اولین گام در ساخت آن است.

 برای شروع کار محاسبه و طراحی حداقل مشخصات زیر باید ارائه شود:

-         قدرت نامی ترانسفورماتور

-         ولتاژهای فشار قوی و ضعیف و گروه برداری

-         امپدانس اتصال کوتاه، تلفات بی باری و بارداری

-         ارتفاع،  دما، درصد رطوبت نسبی و آلودگی محیط نصب

-         استانداردها

در بعضی مواقع پاره‌ای مشخصات ویژه نیز اعمال می‌نمایند به عنوان مثال محدودیت در چگالی شار یا چگالی جریان و یا محدودیت در ابعاد فیزیکی ترانسفورماتور. پس از دریافت اطلاعت و بر اساس مدارک موجود قسمت فعال ترانسفورماتور شامل سیم پیچیها، هسته و مواد عایقی محاسبه می‌وند.

مدارک و استانداردهای مورد استفاده دیگر عبارتند از VDE و DIN و IEC.

ترانسفورماتور طراحی شده را می‌توان به دو گروه نرمال و ویژه تقسیم کرد:

-    منظور از ترانسفورماتور نرمال ترانسفورماتور هایی می‌باشند که به طور گسترده در شبکه توزیع مصرف دارند و بدین جهت به طور گسترده تولید می‌شوند . ترانسفورماتورهای ۲۰۰kVA و ۱۰۰ ۵۰ و ۲۵ ، گروه برداری Yzn5 و نسبت ولتاژی ۲۰kV4%/0.4kV

-         ترانسهای ویژه دارای شرایط خاصی هستند که توسط مشتری ارائه می‌شوند و تولیدی محدود دارند.

ترانسفورماتور های توزیع عموماً دارای سیستم خنک کنندگی ONAN و Tap changer به صورت Off Load می‌باشند که برای ردیف‌ ۲۰ کیلوولت، سه پله و برای ردیف ۳۰ کیلو ولت، پنج پله می‌باشند.

۱-۲-طراحی

طراحی ترانسفورماتور یعنی اجرای محاسبات مکانیکی جهت دفع حرارت ناشی از تلفات و هم چنین آماده سازی نقشه‌های مکانیکی ترانسفورماتور. مراحل مختلف این کار عبارتند از:

-         طراحی هسته

-         طراحی ابعاد برد شامل انتخاب نبشی‌ها یا تسمه‌های مناسب

-         طراحی ساختمان جمعی سیم پیچیها

-    سیم بندیهای فشار قوی و فشار ضعیف (در فشار ضعیف انتخاب شینه‌های انعطاف پذیر در توانهای بالا، خمکاری تسمه‌های خروجی از بوبین جهت تعیین ارتفاع، مهار تسمه‌ها با استفاده از بستهای چوبی، تعیین حداقل فاصله تا مرکز بوشینگها و در فشار قوی با توجه به گروه برداری تعیین قطر و طول سیمهای اتصال دهنده فازها جهت ایجاد گروه برداری مناسب، انتخاب کلید تنظیم ولتاژ)

-         طراحی در پوش با توجه به ابعاد و سوراخکاری برد

-         طراحی مخزن شامل محاسبات مکانیکی جهت محاسبه تعداد، عمق، گام و ارتفاع و رله‌ها

۱-۳-آزمایش ها

یکی از مباحث مهم ترانسفورماتور آزمایش و تست ترانسفورماتور برای حصول اطمینان از کیفیت الکتریکی و حرارتی ترانسفورماتور می‌باشد. این آزمایشات طبق استاندارد IEC-60076  انجام می‌شود و به طور کلی به سه بخش تقسیم می‌شوند:

تستهای روتین – تستهای نوعی – تستهای ویژه

۱-۳-۱-تستهای روتین

اینگونه تستها، تستهای غیر مخرب می‌باشند و می بایست طبق استاندارد بر روی تمامی ترانسفورماتورها انجام گیرند. برای ترانسفورماتورهای توزیع این تستها عبارتند از :

-    اندازه گیری نسبت تبدیل : این اندازه گیری در بی باری یعنی در حالتیکه ثانویه ترانسفورماتور مدار باز می باشد انجام می پذیرد در این حالت از افت ولتاژ ناشی از جریان بی باری می‌توان صرفنظر کرد.

-    گروه برداری: این تست با تست نسبت تبدیل تلفیق شده است چون در صورتیکه نسبت تبدیل درست باشد می‌توان اطمینان پیدا کرد که گروه برداری هم مشکل نخواهد داشت.

-    اندازه گیری مقاومت سیم پیچها: مقدار مقاومت سیم پیچ جزء مقادیر گارانتی شده از طرف سازنده نیست اما داشتن آن برای محاسبه تلفات بار در دمای ۷۵ درجه (مطابق استاندارد) و نیز برای تعیین میزان جهش حرارتی سیم پیچ در آزمایش لازم است. این اندازه‌گیری در دمای محیط انجام می‌پذیرد و با توجه به آنکه مقاومت سیم پیچ تابعی از دماست می بایست نتیجه اندازه‌گیری را به دمای ۷۵ درجه انتقال  داد. لازم به ذکر است برای ثبت مقاومت اندازه گیری شده مقدار دما نیز باید ثبت شود.

-    اندازه گیری شدت جریان و تلفات بی باری: هرگاه ترانسفورماتور تحت ولتاژ و فرکانس نامی قرار گیرد و طرف دیگر آن بی بار باشد تلفات حاصل در ترانسفورماتور را تلفات بی باری و جریانی که در اینحالت ترانسفورماتور می‌کشد را جریان بی باری می‌نامند. این تلفات و جریان برای هر ترانسفورماتور متصل به شبکه حتی در زمانی که از آن بارگیری نمی‌شود وجود دارد بنابراین با توجه به پیوسته بودن آن مقدار آن باید پایین و در محدوده گارانتی باشد. این تلفات شامل تلفات فوکو، هیسترزیس، ژولی و دی الکتریک می‌باشد که از بین این موارد دو مورد آخر با توجه به کوچکی قابل صرفنظر کردن می‌ باشند. این تست از سمت فشار ضعیف انجام می‌شود و تلورانس تلفات بی باری ۱۵درصد و جریان بی باری ۳۰ درصد می‌باشد. موارد زیر در میزان جریان و تلفات بی باری موثر است: کیفیت ورقها، نحوه برش، هسته چینی و فاصله هوایی.

-    اندازه‌گیری تلفات اتصال کوتاه: در این تست فشار ضعیف را اتصال کوتاه می‌کنند و ولتاژ فشار قوی را آنقدر افزایش می‌دهیم تا جریان نامی از آن عبور کند، در اینحالت می‌توان گفت که در سمت فشار ضعیف نیز جریان نامی عبور می کند . در این آزمایش نیز با توجه به اینکه دمای محیط در مقدار مقاومت و در نتیجه تلفات بار تاثیر دارد دمای محیط می بایست ثبت شود و همچنین تلفات در دمای ۷۵ درجه محاسبه گردد. مقدار درصد ولتاژ اتصال کوتاه نیز با انتقال مقادیر بدست آمده به دمای ۷۵ درجه محاسبه می‌گردد. درصد امپدانس اتصال کوتاه برای ترانسفورماتورهای تا ۲۵۰kVA به منظور کاهش تلفات بار در شبکه ۴ درصد و برای تستهای بزرگتر جهت کاهش مقدار جریان اتصال کوتاه ۶ درصد می‌باشد.

-    تستهای عایقی: تستهایی که تاکنون گفته شد جهت اندازه‌گیری پارامترهای ترانس و کنترل مقادیر شده آن بود اما تستهای دیگری نیز وجود دارد که جهت کسب اطمینان از کیفیت عایقی ترانسفورماتور انجام می‌پذیرد این تستها برای ترانسفورماتورهای توزیع عبارتند از :

الف- تست عایقی فشار ضعیف:در این تست فشار ضعیف را به ولتاژ ۳kv متصل می‌کنند و فشار قوی و بدنه را به زمین متصل می‌کنند. مدت زمان تست ۶۰ ثانیه می‌باشد. در صورت نامناسب بودن عایقها و شکست آنها آرک خواهیم داشت. هدف از انجام این تست بررسی عایق بین بوبین فشار ضعیف از یک سو و هسته، بدنه و بوبین فشار قوی از سوی دیگر می‌باشد.

ب- تست عایقی فشار قوی: این تست مشابه تست عایقی فشار ضعیف می‌باشد و تنها ولتاژ اعمالی به فشار قوی ۵۰kV بوده و بدنه و فشار ضعیف دارای پتانسیل زمین میش‌وند . هدف از انجام این تست بررسی عایق بین بوبین فشار قوی از یک سو هسته ، بدنه و بوبین فشار قوی از سوی دیگر می‌باشد.

پ- تست ولتاژ القایی: در این تست بطرف فشار ضعیف دو برابر ولتاژ نامی اعمال می‌کنند و در نتیجه در طرف فشار قوی که بی بار است دو برابر ولتاژ نامی القا می‌شود. برای جلوگیری از به اشباع رفتن هسته فرکانس آزمایش را بالا می‌برند. در آزمایشگاه فرکانس تست ۱۵۰Hz می‌باشد بنابراین طبق رابطه t=120*f_n/f_t زمان تست ۴۰ ثانیه می‌باشد. این تست برای بررسی کیفیت عایق بین لایه‌های بوبینها و عایق بین فازها انجام می‌ود.

در تستهای عایقی آرک نزدن بستگی به عواملی همچون کیفیت روغن، فاصله عایقی و ایزوله‌ها دارد. جرقه گیرها را برای پرهیز از عملشان در هنگام تست بر می‌دارند.

۱-۳-۲-تستهای نوعی

 این آزمایشات به صورت مدل و نمونه ای انجام می‌شوند، بدین ترتیب که معمولاً اولین واحد از یک نوع ترانسفورماتورتحت آزمایش قرار می گیرد. از جمله این تستها می‌توان به تست حرارتی و تست ضربه اشاره کرد.

۱-۳-۳–تستهای ویژه: این تستها بر طبق خواست و با دریافت هزینه انجام می‌گیرد. از جمله این تستها می‌توان به موارد زیر اشاره کرد:

اندازه گیری سطح صدا – تحمل اتصال کوتاه واقعی -  اندازه‌گیری‌ هارمونیک جریان بی باری تست بار – تعیین ظرفیت خازنی و تانژانت دلتا- اندازه‌گیری تخلیه جزیی – اندازه‌گیری امپدانس توالی صفر

۱-۴-محاسبات هسته

-         فواصل بین ساقهای هسته، فاصله مرکز تا مرکز سیم پیچها که با توجه به قطر سیم پیچها بدست می‌آید.

-         وزن کل آهن به کار رفته در هسته محاسبه می شود.

-          تلفات اتصال کوتاه محاسبه می شود این تلفات شامل تلفات DC در سیم پیچهای HV,LV میباشد.

-         محاسبه %U_k : مهمترین پارامتری که باید به آن برسیم U_k درصد (امپدانس اتصال کوتاه) می باشد.

-         P₀ را که مربوط به تلفات فوکو و هیتر زمین می‌باشد.

-         محاسبه جریان بی باری I_o

-         محاسبه جریان هجومی

توضیحاتی در مورد پارامترهای مختلف ترانس:

P_o (Noload loss)

عبارتست از قدرت اکتیو مصرف شده وقتی که ولتاژ نامی با فرکانس نامی به سیم پیچ اولیه در بی باری اعمال می‌شود و معمولاً شامل تلفات هسته می‌باشد.

تلفات بار (short circuit losses):

تلفات اکتیو که در شرایط نامی در ترانسفورماتور مصرف می‌شود، تلفات بار ناشی از تلفات حرارتی عبور جریان در مقاومت سیم پیچها و تلفات اضافی حاصل از جریان گردابی در سیم می‌باشد.

U_k امپدانس ولتاژ نامی :

امپدانسی است که اگر خروجی را اتصال کوتاه کنیم و درصدی از ولتاژ نامی را اعمال نماییم جریان نامی از خروجی عبور کند. امپدانس ولتاژ نامی در شبکه ایران دارای استاندارد زیر می‌باشد:

برای قدرتهای ۲۵KVA  الی ۲۰۰ KVA : %U_k = 4%

بری قدرتهای بالای ۲۵۰KVA : %U_k = 6%

I_sc جریان اتصال کوتاه:

مقدار جریان در ترمینالهای خط، بعد از اینکه عناصر DC رو به کاهش گذاشتند. در مواقع نامی ، جریان اتصال کوتاه را می‌توان از روی جریان نامی و امپدانس ولتاژ (I_N.U_k) بدست آورد.

 راندمان: راندمان عبارتست از قدرت اکتیو خروجی به ورودی .

 تنظیم ولتاژ (Tapping and Tapping rany)

جهت کنترل ولتاژ در سیمهای فشار قوی سرهای اضافی طراحی گردیده‌اند . این محدوده تغییر ولتاژ عبارتست از اختلاف بین ولتاژ طراحی شده و حداکثر و یا حداقل ولتاژ قابل تنظیم سیم پیچ می‌باشد. تنظیم ولتاژ‌ها نسبت به ولتاژ مبنا به صورت مثبت و منفی می باشد.

نکته مهم: نوع کلیدهای استفاده شده در ترانسفورماتورهای توزیع از نوع (off load) off circuit بوده و هنگام عملیات روی کلید و تغییر پله‌های تنظیم ولتاژ می بایست ترانسفورماتور از دو سمت بی برق باشد.

جریان هجومی: جریانی است که در لحظه برقرار کردن برق از سیم پیچ می‌گذرد.