مهندسی ساختار ترانزیستور اثر میدانی ماسفتی مبتنی
بر نانونوار گرافین
در این مقاله با تغییراتی در آلایش ناحیه کانال و مهندسی ساختار گیت، ساختار جدیدی به منظور کاهش جریان ساختار ماسفتی ارائه شده Ambipolar خاموشی و اصلاح رفتاراست. در ساختار جدید ناحیه ذاتی کانال که گیت کام ا لا بر روی آن و یک اتصال دوگیتی
مقاله مهندسی ساختار ترانزیستور اثر میدانی ماسفتی مبتنی بر نانونوار گرافین
