ترانزیستورهای معمولی را که هدایت جریان در آنها به علت حرکت حفره ها و الکترونها انجام می شود ترانزیستور دوقطبی می گویند .
ترانزیستور یک وسیلة تقویتی است که با جریان کنترل می شود . اگر جریان کوچکی در بیس آن برقرار گردد ، جریان بسیار بزرگتری در کلکتور به وجود می آید .
کلمه ترانزیستور درواقع از عبارت « مقاومت انتقالی » (TRANSFER RESISTOR) گرفته شده است .
ترانزیستور پیوندی یا دو قطبی ، از دو پیوند PN تشکیل شده که مانند یک ساندویچ ، یکی از قسمتها بین دو لایة دیگر قرار گرفته است .
به واسطة این واقعیت که در عمل تقویت هم الکترونها و هم حفره ها عمل هدایت را انجام می دهند ، به این گونه ترانزیستورها دو قطبی می گویند تا از نوع یک قطبی متمایز باشند .
ترانزیستور اثر میدانی ـ ترانزیستور با اثر میدان
این نوع ترانزیستور که غالبا با FET مشخص می شود از ترانزیستورهای دوقطبی به مراتب جدیدتر است و در آن از یک میدان الکترواستاتیک به عنوان عامل کنترل کننده استفاده می شود .
در انواع اولیة FET از یک اتصال PN به عنوان یک گیت ( دریچة میدانی باز و بست کنندة مسیر بار ) در بین سورس (منبع بارها) و درین(عنصر دریافت کنندة بارها) استفاده می شد . در ترانزیستورهای FET وقتی به گیت ولتاژ موافق داده شود جریان ورودی قابل ملاحظه شده و بهرة قدرت پایین می آید .
در این نوع ترانزیستور ولتاژ ورودی است که جریان خروجی را کنترل می کند . درFET جریان ورودی بسیار ناچیز ( گاه کمتر از یک پیکو آمپر )است و این ، بخصوص در مواردی مفید واقع می گردد که سیگنال ورودی مدار ، از وسیله ای مثل میکروفون خازنی یا کریستال پیزوالکتریک ( که نمی توانند جریان قابل توجهی ایجاد نمایند )گرفته می شود FETها عمدتا بر دو نوع اند . ترانزیستور اثر میدان پیوندی و ترانزیستور اثر میدان با گیت عایق شده . ولی دومی را معمولا با نام ترانزیستور اثر میدان با نیمه هادی اکسید فلزی می شناسند که در حقیقت ترکیبات داخلی آن را توصیف می نماید .
از مزیتهای این ترانزیستور نسبت به نوع دیگر ، امپدانس زیاد در ورودی آن است که می تواند جریانهای بسیار ضعیف را جذب کند و دیگر باند فرکانس بسیار وسیع آن است .
ترانزیستور MOSFET
نوعی دیگر از ترانزیستورهای FET است که امروزه در الکترونیک مصرف فراوان دارد . این ترانزیستور هم مانند ترانزیستورهای JFET دارای یک نیمه هادی نوع N به نام کانال می باشد که به قسمت پایین آ سورس ( S ) وبه قسمت بالای آن درین ( D ) گفته می شود ؛ اما بر خلاف ترانزیستور JFET در این نوع ترانزیستور تنها یک ناحیة نیمه
شامل 7 صفحه فایل word قابل ویرایش
دانلود مقاله انواع ترانزیستورها
