فایل هلپ

مرجع دانلود فایل ,تحقیق , پروژه , پایان نامه , فایل فلش گوشی

فایل هلپ

مرجع دانلود فایل ,تحقیق , پروژه , پایان نامه , فایل فلش گوشی

تحقیق در مورد ترانزیستور

اختصاصی از فایل هلپ تحقیق در مورد ترانزیستور دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

تحقیق در مورد ترانزیستور ، ورد 29 صفحه

 

تاریخچه ترانزیستور

ترانزیستور در سال 1947 در آزمایشگاه های بل هنگام تحقیق برای تقویت کننده های بهتر و یافتن جایگزینی بهتر برای رله های مکانیکی اختراع شد.لوله های خلاء، صوت و موسیقی را در نیمه اول قرن بیستم تقویت کرده بودنداما توان زیادی مصرف می کردند و سریعا می سوختند .

ترانزیستور چیست؟
ترانزیستور در سال 1947 در آزمایشگاه های بل هنگام تحقیق برای تقویت کننده های بهتر و یافتن جایگزینی بهتر برای رله های مکانیکی اختراع شد.لوله های خلاء، صوت و موسیقی را در نیمه اول قرن بیستم تقویت کرده بودنداما توان زیادی مصرف می کردند و سریعا می سوختند . شبکه های تلفن نیز به صد ها هزار رله مکانیکی برای اتصال مدارات به همدیگر نیاز داشتند تا شبکه بتواند سر پا بایستد و چون این رله های مکانیکی بودند لازم بود برای عملکرد مطلوب همیشه تمیز باشند .در نتیجه نگه داری و سرویس آنها مشکل و پر هزینه بود.
با ظهور ترانزیستور قیمت ها نسبت به زمان استفاده از لامپ خلاء شکسته شد و بهبودی زیادی در کیفیت شبکه های تلفن حاصل گردید.
ترانزیستور چگونه کار می کند؟
ترانزیستور کاربرد های زیادی دارد اما دو کاربرد پایه ای آن به عنوان سوئیچ و استفاده در مدولاسیون است که کاربرد دومی بیشتر به عنوان تقوت کننده مورد نظر است.
این دو کاربرد ترانزیستور را می توان اینگونه توضیح داد :

 

ترانزیستور چه کاری انجام می دهد؟

بنابراین، ترانزیستور چیست؟

اختراع رادیو

مشکل آشکار سازی

تقویت

لامپ های خلاء یکسو ساز

تقویت کنندگی لامپ خلاء

ترانزیستور

آرایش های مداری مشهور :

ترانزیستور دوقطبی پیوندی

انواع ترانزیستور پیوندی نحوه اتصال ترازیستورها ترانزیستور ها چطورکارمی کنند ؟

ترانزیستور چطور از عهده ی اطلاعات برمی آید ؟

ساختار و طرز کار ترانزیستور اثر میدانی فت


دانلود با لینک مستقیم


تحقیق در مورد ترانزیستور

مقاله مهندسی ساختار ترانزیستور اثر میدانی ماسفتی مبتنی بر نانونوار گرافین

اختصاصی از فایل هلپ مقاله مهندسی ساختار ترانزیستور اثر میدانی ماسفتی مبتنی بر نانونوار گرافین دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

مهندسی ساختار ترانزیستور اثر میدانی ماسفتی مبتنی
بر نانونوار گرافین

 

در این مقاله با تغییراتی در آلایش ناحیه کانال و مهندسی ساختار گیت، ساختار جدیدی به منظور کاهش جریان ساختار ماسفتی ارائه شده Ambipolar خاموشی و اصلاح رفتاراست. در ساختار جدید ناحیه ذاتی کانال که گیت کام ا لا بر روی آن و یک اتصال دوگیتی

دانلود با لینک مستقیم


مقاله مهندسی ساختار ترانزیستور اثر میدانی ماسفتی مبتنی بر نانونوار گرافین