فایل هلپ

مرجع دانلود فایل ,تحقیق , پروژه , پایان نامه , فایل فلش گوشی

فایل هلپ

مرجع دانلود فایل ,تحقیق , پروژه , پایان نامه , فایل فلش گوشی

مقاله دولت الکترونیک

اختصاصی از فایل هلپ مقاله دولت الکترونیک دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

مقاله دولت الکترونیک


مقاله دولت الکترونیک

این محصول در قالب ورد و قابل ویرایش در 20 صفحه می باشد.

مقدمه

یکــــی از مفاهیمی که در دهه های اخیر به گونه ای بسیار گسترده در جوامع پیشرفته مورد بررسی قرار گرفته و حتی در بعضی مواقع با موفقیت به اجرا درآمده، مفهوم دولت الکترونیک است. دولت الکترونیک، یک دولت دیجیتال بدون دیوار و ساختمان و دارای سازمانی مجازی است که خدمات دولتی خود را به صورت بهنگام (ON LINE) ارائه می کند و موجب مشارکت آنان در فعالیتهای مختلف اجتماعی سیاسی می شود.

روند ایجاد دولت الکترونیک بدین صورت بوده است که در طول نیمه دوم دهه 1990، بخش خصوصی آمریکا مسئول خلق خدمات الکترونیکی شد. وجود فناوری وب (WEB)، به برانگیختن برخی اقدامات تجاری در شرکتها منجر گشت و لذا نتایج خوب و قابل سنجشی از این اقدامات حاصل شد. مهمتر از آن، این بود که کارکنان هرچه بیشتر اثربخش شدند به طوری که در بازده کاری آنها افزایش قابل ملاحظه ای پدید آمد. برای مثال، در سال 1999، میانگین بازده کاری هر ساعت فرد، پنج درصد افزایش پیدا کرد. لذا بدین طریق، بذرهای کارایی به واسطه به کارگیری این چنین فناوریها پاشیده شد و لذا فناوری وب به تغییراتی در شغل، شاغل و ارتباطات منجر شد.
زمانی که فناوری وب در اکثر بخشهای خصوصی به کار گرفته شد، دولت از این بابت عقب مانده بود. لذا توجه دولت به این مسئله معطوف گشت که ارائه خدمات به شهروندان به صورت الکترونیک بسیار ساده تر خواهدبود.

درنتیجه وینتون سرف (VINTON CERF) که به عنوان یکی از پدربزرگهای اینترنت مشهور است این پیشنهاد را به رهبران دولتی داد که «لطفاً از فناوری اطلاعات استفاده کنید. اجازه دهید که خدماتتان، بیشتر دردسترس باشد. همچنین، هرگز از فناوری وب نهراسید، اما همواره برای آن برنامه ریزی کنید». لذا شهر گولدن به این نیاز استراتژیک پی برد و در ژوئیه 2001، برنامه ریزی استراتژیک برای دولت الکترونیک را تدوین کردند. به هــــرحال، بهــــره گیری از امکانات دولت الکترونیک می تواند موجب ارائه بهتر خدمات دولتی به شهروندان شود و امکان استفاده و دسترسی برابر کلیه شهروندان، تعامل اثربخش تر با طرفهای درگیر و غنی سازی شهروندان را فراهم آورد و درمجموع، به ایجاد مدیریت دولتی اثربخش تر منجر شود.

ازجمله نتایج موردانتظار از چنین فرایندی، کاهش فساد اداری و شفافیت بیشتر امور، بالارفتن میزان مسئولیت، دائمی شدن بهبود روندها و فرایندها، راحتی بیشتر، رشد منابع و کاهش هزینه خدمات است. با ظهور فناوریهای اطلاعاتی و ارتباطی، مراکز خدمات رسانی به مشتریان نزدیکتر می شوند و افراد می توانند حتی ازطریق رایانه های شخصی، خدمات خود را دریافت کنند. همچنین دولت الکترونیک موجب صرفه جویی در وقت و هزینه، دولت، شهروندان و کسب و کار می گردد. جهانی شدن نیز دولتها را وادار می سازد تا به منظور فروش کالا و خدمات خویش و همچنین صدور فرهنگ و شناساندن خویش به سایر فرهنگها و تمدنها، اقدام به تاسیس دولت الکترونیک کنند.


دانلود با لینک مستقیم


مقاله دولت الکترونیک

مقاله رگولاتورهای ولتاژ و مدارات تغذیه

اختصاصی از فایل هلپ مقاله رگولاتورهای ولتاژ و مدارات تغذیه دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

مقاله رگولاتورهای ولتاژ و مدارات تغذیه


مقاله رگولاتورهای ولتاژ و مدارات تغذیه

این محصول در قالب ورد و قابل ویرایش در 58 صفحه می باشد.

رگولاتورهای ولتاژ و مدارات تغذیه

تقریباً‌تمام مدارات الکترونیکی ، از مدارات سادة ترانزیستوری و آپ امپ تا سیستم های حساس میکروپرواسسوری و دیجیتالی به یک یا چند ولتاژ dc پایدار نیاز دارند منابع تغذیه رگوله نشده با ترانس – پل – خازن بعلت اینکه ولتاژهای خروجی آنها با جریان بار وولتاژ خط تغییر می کنند و نیز بدلیل اینکه آنها ریپل های 100Hz مهمی دارند . معمولاً کفایت نمی کنند . خوشبختانه ساخت منابع تغذیه پایدار که از فیدبک منفی برای رگوله شده بصورت جامع استفاده می شوند و می توانند با چیپ های رگولاتور ولتاژ مدار مجتمع که تنها به یک منبع ورودی dc رگوله نشده (‌از یک ترکیب ترانس – پل – خازن ؛ یک باطری ، یا چند منبع دیگر dc ورودی ) و چند المان دیگر نیاز دارند باسانی ساخته می شوند .

 در این فصل چگونگی ساخت رگولاتورهای ولتاژ را با استفاده از مدارات مجتمع بخصوص خواهید دید همین روشهای مداری می تواند برای ساختن رگولاتورهای با المان های مجزا به کار رود (‌ترانزیستورها ، مقاومت ها ، غیره ) اما بعلت موجود بودن چیپ های رگولاتور ارزان با کارائی زیاد ، استفاده از المانهای مجزا در طرح های جدید مزیتی ندارد . رگولاتورهای ولتاژ ما را به حوزة تلف قدرت زیاد وارد می کنند . بنابراین در مورد سینک گرمایی ور وش هایی نظیر «‌محدود کردن Fold back  »‌برای محدود کردن عملکرد درجه حرارت های ترانزیستور و جلوگیری از صدمه به مدار صحبت خواهیم کرد این روش ها می توانند برای تمام ترتیبات مدارات قدرت شامل تقویت کننده های قدرت نیز استفاده شوند . با دانشی که در اینجا نسبت به رگولاتورها بدست خواهیم آورد قادر خواهیم بود به عقب برگشته و طراحی تغذیه رگوله نشده را به تفصیل بحث نماییم  در این فصل به مراجع ولتاژ و آی سی های مرجع ولتاژ که خارج از طرح منبع تغذیه نیز استفاده می شوند نظری خواهیم انداخت .

1-2- مشخصه ها و خصوصیات منابع تغذیه :

 بطور کلی میتوان منبع تغذیه ها را از 6 نقطه نظر مختلف طبقه بندی کرد :

  • طبقه بندی از نظر میزان صاف بودن ولتاژ تغذیه

منبع تغذیه صاف نشده ، در این حالت  مقداری سیگنال AC برروی ولتاژ تغذیه سوار می شود ، که ولتاژ ریپل نام دارد ( در یکسوسازی تمام موج فرکانس آن دو برابر فرکانس سیگنال AC می باشد )

 منبع تغذیه صاف شده ، در این نوع تغذیه مدارهای اضافی برای کاهش دامنه ریپل در نظر گرفته شده است .

  • طبقه بند از نظر تثبیت ولتاژ:

منبع تغذیه تثبیت نشده ( ناپایدار ): در این حالت ولتاژDC صاف شده است . اما مدارهای اضافی برای غلبه بر تأثیرات ناشی از تغییرات بار مصرفی و یا ولتاژ ورودی در نظر گرفته نشده است .

 منبع تغذیه تثبیت شده ( پایدار ) : د راین نوع منبع تغذیه ها علاوه بر این که ولتاژDC صاف شده است ، مدارهای اضافی برای غلبه بر تأثیرات ناشی از بار مصرفی ، یا ولتاژ ورودی وجود ندارد .

  • طبقه بندی از نظر میزان محافظت :

منبع تغذیه محافظت نشده : در این حالت منبع تغذیه در مقابل جریان مصرفی بیش از حد ، یا اتصال  کوتاه محافظت نشده است .

 منبع تغذیه  محافظت شده : این نوع منبع تغذیه ها در مقابل افزایش بیش از حد جریان مصرفی ، و یا اتصال کوتاه محافظت شده اند .

 محافظت در مقابل افزایش بیش از حد ولتاژ تغذیه : در این حالت بار مصرفی در مقابل افزایش ولتاژ، تغذیه ناشی از تثبیت کننده ولتاژ ، محافظت شده است .

  • طبقه بندی از نظر چگونگی عملکرد :

منبع تغذیه سوئیچینگ این نوع منبع تغذیه ها با استفاده از روش سویئیچینگ کار می کنند ( معمولاً با فرکانسی بالاتراز 50 کیلوهرتز )

5)‌طبقه بندی از نظر پیاده سازی مدار :

 مدار گسسته : در مدارهای تثبیت کننده این نوع منبع تغذیه ها از مدارهای گسسته (‌مثلاً ترانزیستور) استفاده شده است .

مدار مجتمع :‌در تثبیت کننده این منبع تغذیه ها از مدارهای مجتمع استفاده شده است .

 مدار ترکیبی : در طبقه تثبیت کننده این نوع منبع تغذیه ها هم از مدار گسسته ، و هم از مدار مجتمع (‌آی سی ) استفاده شده است .


دانلود با لینک مستقیم


مقاله رگولاتورهای ولتاژ و مدارات تغذیه

دانلود مقاله الکترونیک

اختصاصی از فایل هلپ دانلود مقاله الکترونیک دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

دانلود مقاله الکترونیک


دانلود مقاله الکترونیک

از زمانیکه آزمایشهای ابتدایی روی الکتریسیته ساکن جهت منزوی کردن بار الکتریکی ساکن توسط مواد دی الکتریکی که بار را به خارج هدایت نمی کنند ، صورت گرفته ، لزوم مطالعه مواد دی الکتریکی با توجه به نیاز عملی به عایقها احساس گردید . کهربا ، موم ، شیشه از جمله اولین مواد عایقی بودند که کاربرد عملی داشتند . با ظهور جریان الکتریکی خواص این مواد باید بیشتر ، مطالعه می شد تا برای مقاصد کاربردی مورد استفاده واقع شده و عکس العمل آنها نسبت به اعمال یک میدان ، معین و
مشخص گردد . خواص عایقی در ماده را می توان به قدرت دی الکتریکی تعریف
کرد .
از همان آغاز شناخت الکترو استاتیک توانایی مواد دی الکتریک در افزایش ذخیرة‌ باریک خازن شناخته شده بود . کاربرهای جریان الکتریکی فرکانس بالا در ارتباط با رادیو ، تقاضاها را برای خازنهای ظرفیت بالا ، قدرت شکست بالا و ابعاد کوچک افزایش داد . برای رسیدن به این خواسته ها مواد در الکتریک زیادی آزمایش بر حسب قدرت دی الکتریک و گذردهی با توجه به کاربردشان در این حوزه رده بندی شدند و تقاضا برای مواد بهتر افزایش یافت . در موفقیت آمیز بودن هر نوع جستجو برای مواد جدید یا بهبود آنها در حوزة بخصوصی ، اطلاع از سازوگار اساسی که در ارتباط با ویژگیهای به خصوص آنهاست ، شرط اساسی است . این کار نظریه دی الکتریک است که با محاسبة رفتارها کروسکوپی بر حسب ساختمان مولکولی و اتمی ، ما را به این آگاهیها می رساند .
یک نظریة کامل، که  رفتار دی الکتریکی هر نوع ماده ای را در بر داشته باشد کار بینهایت دشوار است و احتمالاً هر گز امکان پذیر نیست . با وجود این « مدلهای » نظریه دی الکتریکهای کاربردی بر حسب فرضیات ساده شدة مجهزی بنا شده اند . با بکار بردن این مدلهای نظری ، خواص معینی که  با تغییرات پارامتریهایی که با آزمایش می توانند بررسی شوند ، پیش بینی می شود . میزان ساختمان اتمی یا مولکولی ماده بنا شده است ، موفق باشند می تواند دانش لازم را جهت جستجو در محیطهای الکتریکی مختلف مورد استفاده قرار گیرد . افزون بر این ممکن است خواصی که  تاکنون توسط آزمایش مشاهده نشده اند پیش بینی شوند . بعنوان مثال در قرن نوزدهم ، نظریه های رفتار دی الکتریک ، امکان قطبش خود به خودی یا « فرو الکتریسیته » را پیش بینی کردند .
در صورتکیه تا سال 1935 اولین مادة فرو الکتریک کشف نشده بود .
بطور خلاصه برای درک کامل رفتار دی الکتریک به دانسته های نظری قبلی در جهت شروع بحث کاربرد عملی ، درک توسعه های جدید و محاسبة خواص غیر عادی ماده مورد نیاز است جهت فراهم کردن مبنای لازم برای بررسی مدلهای نظری ، به واکنش نظریه الکترو ا ستاتیکی و آگاهی از اندازه گیری و پارامترهای ماکروسکوپی نیازمندیم . در ابتدا نظریة الکترو استاتیک را مورد بررسی قرار می دهیم .
سپس پلاریزاسیون در دی الکتریکها و قابلیت پلاریزاسیون و جامدات دی الکتریک یونی را بررسی می کنیم . بعد از آن به بررسی گذردهی و  انواع آن پرداخته و سپس انواع قطبش پذیری شکست در مایعات دی الکتریک پرداخته و در آخر  حالتهای خاصی را که به برای دی الکتریکها رخ می دهد بررسی می کنیم .
 
فصل اول :

( 1 ـ 1 )  تعریف دی الکتریک :
وقتی عایقی را در یک میدان الکتریکی با شدت معمولی وارد کنیم ، الکترونها در داخل ماده در ابعاد اتمی و یا مولکولی مقید می ماند . بنابراین میدان
می تواند توزبع بارهای اتمی را تغییر داده ابعاد و آثار قطبی شدن که باعث تغییرات اساسی در میدان الکتریکی در ابعاد ماکروسکوپیک است بوجود
آورد . عایقهایی را که خاصیت قطبی شدن از خود نشان می دهد ، دی الکتریک می نامیم .
( 1 ـ 2 ) نظریة الکترو استاتیک :
قانون کوبن ؛ نیروی ربایشی یا رانشی بین دو ذرة باردار   و   به فاصله r را نیروی الکتریکی می نامیم  ، که به کمک قانون کوبن می توان اندازه نیروی الکتریکی بین دو ذرة باردار را محاسبه کرد .
                                  ( 1 ـ 1 )                               
میدان الکتریکی ؛ هر بار الکتریکی در هر نقطه از فضای اطراف خود ، خاصیتی ایجاد می کند که به آن میدان الکتریکی می گویند . و یا می توان میدان را بطور کمی و به کمک نیروی که میدان بر بار الکتریکی واقع در میدان وارد می کند تعریف کرد : نیروی وارد بر سیکای بار الکتریکی مثبت را در هر نقطه ، میدان الکتریکی در آن نقطه می گویند .
شدت میدان الکتریکی بصورت روبه رو تعریف می شود :
                                           ( 2 ـ 1 )                                      
شدت میدان الکتریکی یا قدرت میدان ، پارامتر مهمی در مهندسی برق ، بخصوص در ارتباط با قدرتهای شکست مواد عایق می باشد . شدت میدان الکتریکی تابع محیطی است که در آن حضور دارد .
چگالی شار الکتریکی ؛ چگالی فشار الکتریکی را به  D نشان می دهیم و آن را بصورت رابطة ( 3 ـ 1 ) تعریف می کنیم و می بینم که چگالی فشار فقط تابعی از بار و موضوع آن است و به خاصیت محیط بستگی ندارد .
                                    ( 3 ـ 1 )                                                
                                    ( 4 ـ 1 )                                      
مثال 1 : با در نظر گرفتن   در مرکز کره ای به شعاع r کل فشار عبوری از سطح از حاصل ضرب D در مساحت سطح بدست می آید ، یعنی :
                                                                          
مشاهده می شود که مجموع فشار عبوری از سطح کره با  باری در مرکزش با اندازة بار برابر است و از شعاع کره مستقل است .
قانون گؤس ؛ قانون گؤس را می توان به زبان ریاضی به صورت زیر تعریف کرد :
                                              ( 5 ـ 1 )                             مثال ( 1 ) در قانون گؤس برین بصورت تصمیم می بابد که برای هر سطح بسته ای شامل مجموعه ای از بارها ، شار خروجی از سطح با بار محصور شده برابر
است .
در رابطه ای که برای قانون گؤس نوشتیم ، ds المانی است با مساحت ds و جهت آن توسط امتداد عمود بر سطحش تعیین می شود .

فصل اول :
( 1 ـ 1 )  تعریف دی الکتریک
( 1 ـ 2 ) الکترو استاتیک
فصل دوم :
( 2 ـ 1 ) پلاریزاسیون دی الکترویکها
( 2 ـ 2 ) قابلیت پلاریزاسیون اتمی
( 2 ـ 3 ) جامدات یونی
( 2 ـ 4 ) قابلیت قطبی شدن وابسته به فرکانس
( 2 ـ 5 ) ثابتهای اپتیکی فلزات
فصل سوم :
( 3 ـ 1 ) گذردهی فضای آزاد
( 3 ـ 2 ) گذردهی مختلط
( 3 ـ 3 ) اندازه گیری گذردهی
( 1 ـ 3 ـ 3 ) گذردهی نسبی de
( 2 ـ 3 ـ 3 ) اندازه گیری با استفاده از پل
( 3 ـ 3 ـ 3 ) سلولهای اندازه گیری
( 4 ـ 3 ـ 3  ) روشهای مدار تشدید
( 5 ـ 3 ـ 3 ) اندازه گیریهای خط انتقال
( 6 ـ 3 ـ 3 ـ ) اندازه گیریهای میکرو موج
فصل چهارم :
( 4 ـ 1 ) قطبش پذیری
( 1 ـ 4 ـ 1 ) قطبش پذیری نوری
( 2 ـ 4 ـ 1 ) قطبش پذیری مولکولی
( 3 ـ 4 ـ 1 ) قطبش پذیری بین لایه ای
( 4 ـ 2 ) دسته بندی دی الکتریکها
( 4 ـ 3 ) مشکلات نظریه دی الکتریکها
فصل پنجم :
( 5 ـ 1 ) شکست دی الکتریکی
( 5 ـ 2 ) الکترونها در عایقها
( 5 ـ 3 ) سازو کار شکست
( 5 ـ 4 ) انواع سازو کارهای اساسی شکست در جامدات دی الکتریک
( 1 ـ 5 ـ 4 ) شکست ذاتی
( 2 ـ 5 ـ 4 ) شکست حرارتی
(3 ـ 5 ـ 4 ) شکست تخلیه ای
( 5 ـ 5 ) شکست در مایعهای دی الکتریک
( 5 ـ 6 ) قدرت دی الکترویکی
( 1 ـ 5 ـ 6 ) عوامل مؤثر بر قدرت دی الکتریکی برای بلور خالص
فصل ششم :
( 6 ـ 1 ) پیرو الکتریسیته
( 6 ـ 2 ) پیزو الکتریسیته
( 6 ـ 3 ) فرو الکتریکها
( 1 ـ 6 ـ 3 ) طبقه بندی فرو الکتریکها

 

شامل 67 صفحه فایل word


دانلود با لینک مستقیم


دانلود مقاله الکترونیک