چکیده:
در این مقاله یک ضرب کننده SI [1]چهار ربعی مبتنی بر مشخصه توان دو ترانزیستورهای MOS که در ناحیه اشباع کار می‌کنند طراحی شده است. ضرب کننده جریان شامل دو سلول دو برابر کننده و دو سلول حافظه است. مدار با منابع ولتاژ 3V کار می‌کند. مدار دارای محدوده دینامیکی بالا است و دارای اعوجاج هارمونیک کل [2]کم است. بررسی کارایی ضرب کننده با استفاده از شبیه سازی با HSPICE با تکنولوژی 0.5µm انجام شده است.
کلید واژه ها: ضرب کننده، SI، اعوجاج هارمونیک کل، تکنولوژی 0.5µm
مقدمه:
ضرب کننده‌های آنالوگ چهار ربعی بلوکهای مفیدی هستند در پیاده سازی توابعی نظیر کنترل اتوماتیک بهره، مدولاسیون، آشکارسازها، فیلترهای تطبیقی و شبکه‌های عصبی کاربرد دارند. ضرب کننده‌ها به دو دسته کلی ولتاژی و جریانی تقسیم می شوند که هر کدام نیز به سوئیچ شونده و پیوسته در زمان تقسیم می شوند. ضرب کننده‌های سوئیچ شونده با خازن [3]از انتشار کلاک و aliasing رنج می برند. ضرب کننده‌های SI نسبت به SC دارای سوئینگ ولتاژی کمتری هستند و در نتیجه از منبع ولتاژ با مقادیر کوچکتری استفاده می کنند. علاوه بر این ضرب کننده های SI می توانند با استفاده از پروسه CMOS دیجیتالی استاندارد در مدارهای مجتمع پیاده سازی شوند. در این مقاله ضرب کننده SI چهار ربعی که تنها در دو کلاک کار می کند را ارائه می دهیم. مهمترین مزیت آن نسبت ضرب کننده های SI قبلی استفاده از دو کلاک پالس است[1],[2]. ضرب کننده با استفاده از نرم افزار HSPICE و با تکنولوی 0.5µm شبیه سازی شده است.
ضرب کننده SI:
نمودار بلوکی ضرب کننده SI و نمودار زمانی آن شکل 1 دیده می شوند. مدار شامل سه بخش است: مدار ورودی، هسته ضرب کننده و دو سلول حافظه جریانی.
شامل 13 صفحه word
دانلود تحقیق ضرب کننده
