کارآفرینی تسمه مغناطیسی 27 ص

اختصاصی از فایل هلپ کارآفرینی تسمه مغناطیسی 27 ص دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 27

فهرست مطالب

عنوان صفحه

خلاصه طرح

مطالعات اقتصدی

2-1. تعریف محصول

2-2. موارد مصرف و کاربرد

2-3. کالاهای رقیب یا جانشین

2-4. قیمت فروش محصول تولیدی

3. بررسی های فنی

3-1. بررسی تکنولوژی های مختلف

3-2. بررسی روشهای مختلف تولید محصول

3-3. بررسی شیوه های کنترل تولید محصول

3-4. مشخصات مواد اولیه

3-5. مشخصات ماشین آلات و تجهیزات خط تولید و ...

3-6. نقشه استقرار ماشین آلات در خط تولید

3-7. مشخصات ماشین آلات و تجهیزات حمل و نقل در ارتباط با تولید

3-8. برآورد زیربنا و زمین مورد نیاز

3-9. محاسبه میزان برق و آب و سوخت

3-10. نیروی انسانی مورد نیاز 3-11. پلان کلی کارخانه

3-12. نمودار گردش مواد

4. بررسی های مالی

4-1. برآورد سرمایه ثابت

4-2. برآورد سرمایه در گردش

4-3. برآورد کل سرمایه مورد نیاز

4-4. نحوة تأمین مالی

4-5. محاسبه هزینه استهلاک

4-6. محاسبه هزینه های نگهداری و تعمیرات

4-7. محاسبه قیمت تمام شده و قیمت فروش

4-8. توجیه اقتصادی و مالی طرح

4-8-1. مقایسه قیمت فروش محصول و قیمت عمده فروشی در بازار

4-8-2. نقطة سر بسر طرح

4-8-3. نرخ بازگشت سرمایه

4-8-4. زمان برگشت سرمایه

4-8-5. سود بعد از کسر مالیات

4-8-6. درصد مواد اولیه خارجی طرح

4-8-7 . ارزش افزوده طرح

4-8-8 . صرفه جوئی ارزی طرح

4-8-9 . سرمایه ثابت سرانه طرح

1- خلاصه طرح :

عنوان محصول

: ته مغناطیسی دائمی

ظرفیت سالیانه

: یکصد تن

تعداد روز کار

: 270

تعداد شیفت

: 2 شیفت

مساحت زمین

: 594 متر مربع

سطح زیر بنا

: 199 متر مربع

سرمایه ثابت

: 5/330 میلیون ریال

سرمایه کل

3/370 میلیون ریال

تعداد کارکنان

: 20 نفر

فروش کل محصول

: 500 میلیون ریال

سود ویژه

: 3/110 میلیون ریال

ارزش افزوده

4/390 میلیون ریال

سرمایه گذاری سرانه

: 6/10 میلیون ریال

ظرفیت در نقطه سر به سر

: 70 تن

نرخ بازده سرمایه

: 33%

صرفه جوئی ارزی سالیانه

: 1.300.000دلار

درصد صرفه جوئی ارزی

: 30%

دانلود درس پژوهی علوم پایه ششم ابتدایی نیروی مغناطیسی

اختصاصی از فایل هلپ دانلود درس پژوهی علوم پایه ششم ابتدایی نیروی مغناطیسی دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

دانلود درس پژوهی  علوم  پایه ششم ابتدایی نیروی مغناطیسی

دانلود درس پژوهی  علوم  پایه ششم ابتدایی نیروی مغناطیسی  کامل و آماده بافرمت ورد وقابل ویرایش تعدادصفحات35

در این درس پژوهی کلیه مستندات و مراحل اجرا به طور کامل رعایت گردیده است

در آموزشگاه ما  مدیریت وهمکاران این آموزشگاه تصمیم گرفتند که در برنامه درس پژوهی شرکت نمایتد با تشکیل شورای معلمان چالش های هر پایه مشخص شد ودر پایان جلسه تصمیم گرفته شد که باتوجه به مباحث این کتاب آموزش درس حاضر به عنوان موضوع درس پژوهی انتخاب شود

ابتدادانش آموزان هدف انتخاب شدنداز اولیائ دانش آموزان رضایت نامه جهت حضور در اجرای طرح اخذ گردید  سپس ضمن تقسیم کار ومشخص نمودن نقش اعضاد گروه درس پژوهی بارضایت کامل همکاران جهت ایفای نقش وقیلمبرداری به شرح زیر انتخاب شدند . با همکاری گروه 7نفره  طرح درس اولیه باتوجه به سند تحول بنیادین تنظیم گردید .وسایل کمک آموزشی باهمکاری مدرس ودانش آموزان تهیه شد تاریخ بزگزاری تدریس اولیه مشخص وتدریس اولیه انجام شد.

بعداز انجام تدریس توسط مجری توسط ناظرین حاضر در کلاس تدریس ایشان مورد نقد وبرسی قرار گرفت اشکالات کار مشخص شد وبا بازبینی فیلم توسط مدرس محترم اشکالات کار مشخص شد. سپس وباهمکاری اعضاءگروه طرح درس دوم تهیه روشها وراهکارهای نوین انتخاب ومجددا تدریس در کلاس صورت گرفت.

که الحمد الله باتوجه به تدریس اولیه وتحقق اهداف مورد نظر نتایج بهتری بدست آمد که نتیجه ی آن را می توانستیم در نحوه ی پاسخگویی دانش آموزان وارزشیابی پایانی مشاهده نماییم .

آنچه در این مجموعه وجود دارد

فصل اول

مقدمه

تعیین مساله و انتخاب موضوع

بیان ضرورت و اهمیت پرداختن به موضوع از طریق درس پژوهی

تشریح ویژگی ها و شرایط خاص مسئله

جدید و علمی بودن مسئله

فصل دوم

برنامه ریزی درس پژوهی

فرایند درس پژوهی

طراحی آموزشی1

تعیین راهکارها در راستای حل مسئله

بیان دلیل راهکار انتخابی

گروه بندی بدون تعیین سرگروه و با توجه به سبک های شناختی

توجه به تفاوت های فردی

معنادار کردن یادگیری

توجه به عوامل انگیزشی و نگرشی

همراه نمودن دانش آموزان در ساخت وسایل و دست سازه های آموزشی

روش های نوین تدریس

تداعی معنا (تصویر سازی ذهنی)

بهره گیری از ارزشیابی به عنوان تدریس

تعیین فعالیت های متناسب با راه کار

تعیین نقش و وظایف اعضا

استفاده از افراد پایه ی   بالاتر در انتخاب اعضای تیم

برنامه تشکیل جلسات

مشخصات کلی

جدول هدف گذاری بر اساس سند ملی

طرح درس شماره یک

طراحی آموزشی بر اساس الگوهی پیش سازمان دهنده (اجرای اول)

فصل سوم

کیفیت اجرا1

اجرا وباز اندیشی 1

فصل چهارم

باز اندیشی 1

طرح درس اصلاح شده 2

فرایند درس پژوهی

ارایه پیشنهادات جهت تکمیل یا اصلاح طرح: جلسه توجیهی اول

مراحل درس پژوهی

اهداف

تعیین نقش و وظایف اعضا

مشخصات کلی

فصل پنجم

پیشنهادات

محدودیت ها

منابع وماخذ

پیوست ها

دانلود درس پژوهی  علوم  پایه ششم ابتدایی نیروی مغناطیسی کامل و آماده بافرمت ورد وقابل ویرایش از این جا اقدام کنید.

تحقیق درباره ایمنی در میدانهای مغناطیسی

اختصاصی از فایل هلپ تحقیق درباره ایمنی در میدانهای مغناطیسی دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 5

ایمنی در میدانهای مغناطیسی :

مقدمه

هر جا که الکتریسیته وجود دارد ارتعاشات مغناطیسی نیز وجود دارند و در واقع میدان  جاذبه زمین ، خود یک مغناطیس بزرگ است. میدانهای مغناطیسی در همه جا به وفور یافت می شود، نظیر خانه ها، ادارات امروزی که بستگی به میزان مصرف نیروی الکتریکی مورد نیاز روزانه آنها دارد. میدانهای مغناطیسی اطرافمان را می توان کاهش داد. در واقع این کار به تنهایی و بدون در نظر گرفتن الکتریسیته امکان پذیر نخواهد بود.

تا صد سال پیش مواجهه انسان با میدانهای مغناطیسی منحصر به منابع طبیعی تولید آن بود. بشر در تمام دوران زندگی خود روی کره زمین در تماس با میدانهای مغناطیسی ضعیفی با شدت حدود 30 تا 70 میکرو تسلا بوده است. به هنگام طوفان های خورشیدی به میزان شدن میدانهای مغناطیسی در روی زمین افزوده می شود. مطالعات اپیدمیولوژیکی ارتباط مواجهه افراد با میدانهای مغناطیسی را با اثرات سوء فیزیولوژیکی از جمله ناراحتی های روانی، اختلال در سیستم قلبی- عروقی در انسان نشان داده است.

میدانهای مغناطیسی بسیار بیشتر از مقادیر طبیعی در تمامی صنایعی که به نوعی از الکتریسیته استفاده می کنند وجود دارد .

تشعشعات الکترومغناطیسی معمولا در خانه ها و ادارات به میزان کمتر از 1 میکرو تسلا یافت می شوند. انتقال نیرو حاصل از امواج مغناطیسی با ولتاژ کمتر400 کیلو ولت حدود 20 میکرو تسلا است. همچنین میدانهای خطوط نیروی کمتر از 20 کیلو ولت در مناطق مسکونی، بطور متوسط2 تا 3 میکرو تسلا است و فقط در فاصله ای به طول 10 متر قدرت میدان کمتر از 1 میکرو تسلا کاهش می یابد.

آزمایشات انجام گرفته نشان داده اند که میدانهای مغناطیسی ELF آثار زیانباری روی بهداشت و سلامت افراد دارند. مقادیر مجاز از سوی کشورهای بزرگ صنعتی در زمینه مواجهه افراد با این میدانها وضع گردیده که یقینا با توجه به اثرات بهداشتی میدانهای مغناطیسی است. ارزیابی میزان مواجهه حرفه ای در ساختن محیطی ایمن برای افراد شاغل مفید بوده و آنها را از خطرات احتمالی تماسهای بیشتر از حد مجاز مصون نگاه خواهد داشت.

مروری بر پژوهشهای گذشته

در سال 1935  Dulland Dull 4000 مورد اختلالات عصبی و خودکشی  را در یک دوره 5 ساله در شهرهای کپنهاک و زوریخ ارائه دادند و ارتباط آنها را با 67 طوفان مغناطیسی بیان نمودند.

در مطالعات اپیدمیولوژیک دیگر افزایش شیوع تعداد سرطان ها در کارگرانی که در میدانهای مغناطیسی خطوط انتقال نیرو با فرکانس های 50 تا 60 هرتز هستند گزارش شده است.

A.M. Koehler از دانشگاه هاروارد گزارشی  از احساس درد ملایمی در دندانهای فردی که در تماس با میدانهای مغناطیسی یکنواخت با شدت 20000 گوس برای مدت 15 دقیقه بود را ارائه نمود.

مشخصه های فیزیکی میدانهای مغناطیسی

میدان مغناطیسی: در محیط اطراف هر آهن ربا خاصیتی به وجود می آید که به موجب آن به هر عقربه مغناطیسی یا هر آهن ربای دیگر واقع در آن نیرو اعمال می شود. میدان مغناطیسی را با نماد B نمایش می دهند و یکای میدان مغناطیسی در SI تسلا می باشد.

یک تسلا واحد نسبتا بزرگی برای میدانهای مغناطیسی است. در تکنولوژی و علوم کاربردی برای میدان مغناطیسی واحد کوچکتری به کار می برند که یک گوس نام دارد و با نماد G نمایش می دهند.                                                         تسلا      4-10   =  یک گوس

بزرگی میدان مغناطیس زمین در نقاط مختلف زمین یکسان نیست ولی مقدار متوسط آن حدود 5-10*3 تسلا یا 3/0 گوس است.

میدانهای مغناطیسی را بطور کلی می توان در دودسته بررسی نمود:

-   میدانهای مغناطیسی طبیعی به عنوان میدانهایی که ناخواسته در مواجهه با آن هستیم.

-    میدانهای مغناطیسی مصنوعی یا ساخته بشر که از منابع متعددی ساطع می شوند و شدتها و بسامدهای آنها گستره وسیعی دارند.

بطور کلی میدانهای مغناطیسی متناوب (AC)  مربوط به شبکه های برق شهری، مخابرات و وسایل خانگی خیلی ضعیف تر از میدانهای مغناطیسی مستقیم (DC) هستند.

میدان الکتریکی: در اطراف یک جسم دارای بار میدان الکتریکی وجود دارد که اثر آن به صورت نیرو الکتریکی وارد بر بارهای موجود در آن میدان ظاهرمی شود. این تاثیر که مداوما در اطراف جسم A که دارای بار الکتریکی است یک میدان الکتریکی وجود دارد و اگر جسم دارای بار B در میدان قرار گیرد و بر آن نیرو الکتریکی وارد می شود. این تاثیر که در اطراف هر جسم دارای بار وجود دارد را میدان الکتریکی می نامند واحد آن V/m می باشد.

شدت میدان الکتریکی: نیروی وارد بر یکای الکتریکی مثبت در هر نقطه از میدان می باشد. واحد آن N/C یا M/S می باشد.

اثرات میدانهای الکترومغناطیس روی بدن انسان

در مورد اثرات بیولوژیکی میدانهای مغناطیسی یکنواخت روی انسان شواهد متعددی در دسترس می باشد.

گزارش نتایج مطالعات در اتحادیه جماهیر شوروی روی شاغلین در تماس با میدانهای مغناطیسی دائمی را داده اند:

برادی کاردی – تاکیکاردی – کاهش فشار خون شریانی با علائم تحریک پذیری، خستگی، تغییر در اشتها، سردرد نیز مشاهده شده است تغییر در  الکتر آنسفالوگرام (EEG) مخصوصا تحریکات نوری در کارکنان همراه با خارش، سوزش، کرختی مو، ایجاد نقوش رنگی روی پوست دست گزارش شده است. البته به شدت میدانهای مغناطیسی که سبب ایجاد چنین علائمی شده اند اشاره نشده است.

به دلیل اینکه میدانهای مغناطیسی می تواند توسط فعالیت بعضی از اندامها مثل ضربان قلب و مغز ایجاد شود می توان حدس زد که کارکنان شاغل در مواجهه با میدانهای مغناطیسی یکنواخت با شدت زیاد فعالیت الکتریکی مغز و قلبشان تحت تاثیر خطوط نیرویی که در اطراف آنها وجود دارد قرار می گیرد.

همچنین اثر میدانهای مغناطیسی روی رفتار آدمی و دستگاه عصبی (CNS) توسط محققین اثبات شده است.

کسانی که در داخل اعضای بدن خود قلب مصنوعی دارند یا در بدنشان پلاتین یا اجسام فلزی قرار دارد نباید در مواجهه با چنین میدانهایی قرار گیرند البته بدلیل طبیعت خاص شغلشان ، اجتناب از مواجهه با میدان های مغناطیسی برای این افراد امکان ندارد .

وسیله اندازه گیری میدانهای الکتریکی و مغناطیسی (LEBOLD DIDACTIC GMBH)

دستگاه الکترومغناطیس سنج از قسمتهای زیر تشکیل شده است:

1- سوئیچ اندازه گیری رنج

2-  سوئیچ Off و On جهت خاموش و روشن کردن دستگاه

3- صفحه اندازه گیری یا نشانگر LCD

4-  سیم پیچ اندازه گیری کننده میدانهای الکتریکی و مغناطیسی

5- دکمه فیلتر

6- محل باطری

7- نشانگر هشدار باطری

8-   نشانگر فیلتر

9-   میزان اندازه گیری شده

10-                      ردیف های نشانه

11-                      کمیت اندازه گیری

12-                       مقدار عدد صفحه نمایش * 1000

با شدت میدان سنج 667922، می توان میدانهای الکتریکی متناوب را در محدوده 2000- 0 ولت بر متر و میدانهای مغناطیسی در محدوده 20000 – 0 نانوتسلا را اندازه گیری کرد. محدوده فرکانس 16 تا 100 کیلو هرتز می باشد. دکمه فیلتر (v) محدود فرکانس را به 500 – 16 هرتز تغییر می دهد و ســبب می شود اجــــزاء فرکانس پایین تشـــخیص داده شود (مثل ولتاژهای اصلی در 50 هرتز) و اجزایی که توسط وسایل با فرکانس بالاتر تولید می شوند (مثل مانیتور های کامپیوتر). هنگامی که فیلتر روشن است، علامت (~) در سمت چپ صفحه نمایش ظاهر می شود.

حدود مجاز تماس با میدانهای الکتریکی پایا و با فرکانس 30 KHz و کمتر از آن

پرتوگیری شغلی در فرکانس صفر هرتز تا 100 هرتز نباید از شدت میدان 25 کیلو ولت برمتر بیشتر باشد. در فرکانس 100 هرتز تا 4 کیلو هرتز مقدار سقف شدن میدان از رابطه زیر بدست می‌آید.

              حد تماس شغلی برحسب (V/M) 

F: فرکانس بر حسب هرتز

مقدار سقف حد تماس برای فرکانس‌های 4 کیلوهرتز تا 30 کیلوهرتز 625 ولت بر متر می‌باشد. این مقادیر سقف برای فرکانس‌های صفر تا 30 کیلوهرتز برای بخشی از بدن و نیز برای تمام بدن در نظر گرفته می‌شود.

حدود مجاز تماس با میدانهای مغناطیسی با فرکانس 30 KHz و کمتر از آن

پرتوگیری شغلی در گسترة فرکانسی 300 هرتز تا 30 کیلو هرتز نباید از مقدار سقف 0.2 mT تجاوز نماید.

مقادیر سقف برای فرکانس‌های 300 هرتز تا 30 کیلوهرتز شامل پرتوگیری تمام بدن و همچنین قسمتی از بدن می‌باشد.

مقدار حد تماس شغلی برای فرکانس‌های کمتر از 300 هرتز در ناحیه دستها و پاها با ضریب 10 و همچنین بازو و ساق پا با ضریب 5 می‌تواند افزایش یابد.

پرتوگیری شغلی در گسترة فرکانسی یک تا 300 هرتز از طریق رابطه زیر بدست می‌آید.                                                                                                                                    

B: حد تماس شغلی شار مغناطیسی میلی تسلا.                                         

F: فرکانس بر حسب هرتز.

حداکثر چگالی شار مجاز در فرکانس 60 هرتز 1 میلی تسلا می‌باشد.

حد مجاز تماس با میدانهای مغناطیسی پایا

مقادیر حد تماس شغلی با شدتهای شار مغناطیسی پایا به مقادیری اشاره دارد که به نظر میرسد چنانچه تقریباً کلیه شاغلین به طور مکرر در روزهای متوالی در مواجهه با آن قرار گیرند اثر سوء بر سلامت آنان عارض نگردد. مقادیر تعیین شده باید به عنوان راهنما جهت کنترل مواجهه با میدانهای مغناطیسی پایا استفاده شود نباید به‌ عنوان مرز مشخصی بین ایمنی و خطر تلقی گردد.

جدول 1 : مقادیر تماس شغلی مجاز با میدانهای مغناطیسی برای تمام بدن و برای دستها و پاها

موقعیت

TWA هشت ساعته

مقدار سقف

تمام بدن

60 mT

2 T

دستها و پاها

600 mT

5 T

افراد حامل وسایل پزشکی الکترونیکی

____

0.5 mT

 روش اندازه گیری میدانهای الکتریکی و مغناطیسی

برای اندازه گیری میدانهای الکتریکی و مغناطیسی حاصل از جریانهای الکتریسیته لازم است ،جهت صفحه گیرنده دستگاه عمود بر جهت میدان الکتریکی و مغناطیسی قرار گیرد،در غیر اینصورت شدتهای بدست آمده از میدانها غیر واقعی خواهد بود.

 ابتدا برای اندازه گیری میدان الکتریکی، سوئیچ اندازه گیری رنج را چرخانده و بر روی حالتی قرار می دهیم، تا بتوان بوسیله دستگاه ،شدت میدان الکتریکی را بر حسب V/m بدست آورد.سه حالت بالای سوئیچ مربوط به شدت میدانهای الکتریکی و سه حالت پایین آن مربوط به شدت میدانهای مغناطیسی است . ابتدا دستگاه را بر روی کمترین رنج قرار داده و شدت میدان مورد نظر را اندازه گیری می کنیم، در صورتی که  شدت میدان بالاتر از رنج داده شده به دستگاه باشد ،یک خط عمودی در سمت چپ صفحه نمایشگر دستگاه ظاهر می شود.در این حالت لازم است رنج اندازه گیری دستگاه را بالا برد. در رنج پایین ،دستگاه قادر است میدانهای الکتریکی را تا شدت 20 ولت بر متر اندازه گیری نماید.در صورت وجود میدانهای الکتریکی با شدت بالاتر از رنجهای 20-200 و یا 200-2000 استفاده می کنیم.دستگاه برای نشان دادن شدت میدانهای بالای

تحقیق درباره خواص مغناطیسی و ساختاری ابررسانای 2223 Bi آلائیده با کادمیم

اختصاصی از فایل هلپ تحقیق درباره خواص مغناطیسی و ساختاری ابررسانای 2223 Bi آلائیده با کادمیم دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 4

خواص مغناطیسی و ساختاری ابررسانای 2223- Bi آلائیده با کادمیم

چکیده

در این مقاله ابررسانای BPCSCCO)) Bi1.64-xPb0.36CdxSr2Ca2Cu3Oy که در آن 06/0 و 04/0 ، 02/0 ، 0/0 = x می باشد به روش واکنش حالت جامد تهیه گردید. پذیرفتاری مغناطیسی نمونهها اندازهگیری شده و ساختار آنها توسط XRD ، SEM و EDX مورد مطالعه قرار گرفته است. اگرچه وجود سرب برای تشکیل فاز 2223- Bi ضروری بوده، اما حضور کادمیم به ایجاد درصد بالای فاز مذکور و پایداری آن کمک می کند. نتایج حاصل از الگوهای پراش و پذیرفتاری مغناطیسی نشان میدهند که مقدار کم کادمیم و زمان پخت طولانی درصد فاز 2223-Bi افزایش داده و پیوند بیندانهای را بهبود میبخشد، به طوری که بیشترین فاز 2223-Bi مربوط به نمونهی با زمان پخت 270 ساعت و آلایش کادمیم به مقدار 04/0 می باشد.

واژههای کلیدی: پذیرفتاری مغناطیسی، ابررسانای پایهی بیسموت، آلایش، کادمیم

Magnetic and structure properties of Cd doping Bi-2223 superconductor

S. E. Mousavi Ghahfarokhi and M. Zargar Shoushtari

Physics Department, Shahid Chamran University, Ahvaz, I. R. Iran

[e-mail]

Abstract

In this paper, Bi1.64-xPb0.36CdxSr2Ca2Cu3Oy (BPCSCCO) superconductor with x = 0.0, 0.02, 0.04 and 0.06 is made by the solid state reaction method. The magnetic susceptibility measurements were performed by using AC susceptometer. The microstructure and morphology of the samples have been studied by X-ray diffraction, scanning electron microscope and energy dispersive X-ray. The results show that the partial substitution of Pb for Bi in the Bi-based superconductor increases the volume fraction of Bi-2223 phase. We also found that by doping of Cd, the high Tc phase is promoted and stabilized in the Bi-Pb-Sr-Ca-Cu-O system. The results of the X-Ray diffraction patterns and magnetic susceptibility measurements show that the low amount of Cd and long annealing time enhance the fraction of Bi-2223 phase. The maximum value volume fraction of Bi-2223 phase for sample with annealing time of 270 hours and 0.04 of Cd doping is obtained

Keywords: magnetic susceptibility, Bi-based superconductor, doping, cadmium

مقدمه

ابررسانای پایهی بیسموت دارای سه فاز اصلی به صورت 2201- Bi، 2212 – Bi و 2223 – Bi دارا می باشد. در بین این فازها، فاز 2223- Bi با دمای گذار بالاتر و توانایی آن در عبور جریان الکتریکی مورد توجه است [1، 2]. برای تهیه نمونة ابررسانایی که دارای درصد بیشتر فاز 2223- Bi نسبت به سایر فازهای اصلی باشد شیوههای متفاوتی پیشنهاد شده است. ازآن جمله میتوان فرایند پخت آرام و طولانی [3، 4]، استوکیومتری عناصر با دقت زیاد [5]، نوع و مقدار آلایش نمونه توسط اتمهای دیگر [6، 7] و دمای کلوخهسازی [8] را نام برد. در این مقاله برای تهیة نمونهها از هر یک از این شیوهها استفاده شده است تا بتوان شرایط تشکیل فاز 2223 – Bi را فراهم نمود. در این مقاله، با توجه به شرایط مطلوب جانشین سازی[9] انتظار می رود با آلایش کادمیم به جای Bi به توان درصد فاز2223 – Bi را افزایش داد. به همین خاطر برای اولین بار با آلایش کادمیم به جای Bi در ابررسانای Bi1.64-xPb0.36CdxSr2Ca2Cu3Oy، که درآن 06/0 و 04/0 ،02/0 ،0/0 = x است نمونههایی ازآن ساخته و پذیرفتاری مغناطیسی آنها اندازهگیری گردید. به منظور بررسی ریزساختارها، با گرفتن الگوهای پراش اشعه X ، تصاویر SEM و EDX، ریزساختار نمونهها مورد بررسی قرار گرفت.

شرح آزمایش و اندازهگیریها

برای ساخت نمونههای Bi1.64-xPb0.36CdxSr2Ca2Cu3Oy مقادیر معینیاز پودرهای اولیه،CdO, SrCO3, CaCO3, CuO, PbO و Bi2O3 با درجه خلوص بالا با نسبتهای وزنی مناسب وزن شدند. پس از مخلوط کردن، پودرها به مدت یک ساعت آسیاب شدند. سپس اقدام به ساخت نمونههایی با مقادیر کادمیم 06/0 و 04/0 ،02/0 ،0/0 x = گردید. برای پیشگیری از تشکیل فازهای ناخواسته در طول فرایند ساخت، با استفاده از روش واکنش حالت جامد، عمل تکلیس که شامل یک گرما دهی در دمای (C820 ، به مدت 15 ساعت انجام گرفت. محصول تکلیس شده، به مدت 3 ساعت آسیاب شد. میلهها و قرصهایی تحت فشارKg/cm2103(25 تهیه و درون کوره قرار گرفتند. مرحله کلوخهسازی در دمای(C845 با زمانهای پخت متفاوت انجام گرفت. در مطالعه خواص مغناطیسی، از دستگاه پذیرفتارسنج متناوب (مدل 7000 ساخت شرکت Lake Shore) استفاده گردیده است. اصول این اندازهگیری بر پایهی رانش شار مغناطیسی از داخل ابررسانا (اثر مایسنر) استوار است. هر گونه تغییرتوزیع شار مغناطیسی (انرژی) در فضایی که نمونه در آن قرار دارد، میتواند یک ولتاژ القایی درون سیمپیچی که به دور نمونه پیچیده شده، ایجاد کند. این ولتاژ القایی با پذیرفتاری مغناطیسی نمونه (() متناسب است.

(1)

در رابطه 1، v ولتاز مؤثر اندازهگیری شده، ( پذیرفتاری مغناطیسی حجمی نمونه، V حجم نمونه، H میدان مغناطیسی مؤثر، f فرکانس میدان متناوب و ( ضریب درجهبندی دستگاه است. اگر نمونه دارای ضریب وامغناطش باشد، مقدار پذیرفتاری به صورت زیر تغییر می کند.

(2)

در رابطه 2 برای نمونة استوانهای که میدان مغناطیسی موازی محور آن است 0 = D می باشد [10]. در نمونههای مکعب مستطیل مورد استفاده نیز به دلیل آنکه طول نمونهها به مراتب بیش از عرض و ضخامت آن است، میتوان نمونهها را به طور تقریبی استوانهای در نظر گرفت. نتایج حاصل از اندازهگیری پذیرفتاری مغناطیسی نمونهها در شکلهای 1 و2 نشان داده شده است. از نمونههای ساخته شده، الگوهای پراش توسط دیفراکتومتر مدل PW1840 ساخت شرکت فیلیپس با آند مس و همچنین تصاویرSEM و EDX توسط میکروسکوپ الکترونی روبشی مدل 1455VP ساخت شرکت LEO تهیه گردید.

بحث و نتیجهگیری

مشخصهیابی نمونهها توسط پراش اشعه x ‏و از آن طریق اندازهگیری درصد فازها انجام شد. نتایج اندازهگیریها و محاسبات در مرجع [11] آورده شده است.

شکل 1 پذیرفتاری مغناطیسی نمونههای 06/0 و 04/0 ،0/0 = x در زمان پخت 270 ساعت را نشان میدهد، مشاهده میشود که هر چند دمای گذار درون دانهای آنها تقریباً یکسان می باشد، ولی گذار بیندانهای نمونهها در دماهای مختلف صورت میگیرد. بهطوریکه گذار بین دانهای نمونهی با مقدار کادمیم 04/0 = x نسبت به درصدهای دیگر (06/0 و 0/0 = x ) در دماهای بالاتری صورت میپذیرد. بنابراین نتیجه گرفته شد که پیوند بیندانهای در نمونهی با مقدار کادمیم 04/0 = x بهتر از سایر نمونههای آلایش داده شده میباشد. با توجه به دادههای XRD و پذیرفتاری مغناطیسی مشاهده میشود که برای نمونهی با مقدار کادمیم 06/0 = x ، نمونه تخریب شده است. علت تخریب، آن است که درصد فاز 2223 – Bi در نمونه کاهش و فازهای 2201 –Bi، 2212-Bi و همچنین فازهای ناخواسته افزایش می یابند. چون این فازها در مرزدانهها قرار گرفته و مانند پیوندگاههای ضعیف عمل میکنند، لذا با افزایش آنها پیوند بیندانهای تخریب میشود.

شکل 1 وابستگی پذیرفتاری مغناطیسی به دما برای مقادیر متفاوت کادمیم با زمان پخت 270 ساعت در میدان A/m 50.

شکلهای (d)-(c)-(b)-(a)- 2 پذیرفتاری مغناطیسی نمونههایی با مقادیر کادمیم 06/0 و 04/0 ،02/0 ،0/0 = x در میدانهای مغناطیسی مختلف با زمان پخت 270 ساعت را نشان می دهند. ا ز این شکلها ملاحظه می گردد که گذار فاز میان دانهای شدیداً به دامنه میدان مغناطیسی ac وابسته است. کاهش میدان باعث انتقال تیزتر و باریک شدن قلة بخش موهومی می شود، که این امر نشان دهنده کاهش اتلاف پس ماند است.

شکل 2 (a) منحنی تغییرات پذیرفتاری مغناطیسی نمونه ابررسانایBi1.64-xPb0.36CdxSr2Ca2Cu3Oy با 0/0 = x و زمان پخت 270 ساعت بر حسب دما به ازاء میدانهای A/m 5 و A/m 50

شکل 2 (b) منحنی تغییرات پذیرفتاری مغناطیسی نمونه ابررسانای Bi1.64-xPb0.36CdxSr2Ca2Cu3Oy با 02/0 = x و زمان پخت 270 ساعت بر حسب دما به ازاء میدانهای A/m 5 و A/m 50

شکل 2 (c) منحنی تغییرات پذیرفتاری مغناطیسی نمونه ابررسانای Bi1.64-xPb0.36CdxSr2Ca2Cu3Oy با 04/0 = x و زمان پخت 270 ساعت بر حسب دما به ازاء میدانهای A/m 5 و A/m 50

شکل 2 (d) منحنی تغییرات پذیرفتاری مغناطیسی نمونه ابررسانای Bi1.64-xPb0.36CdxSr2Ca2Cu3Oy با 06/0 = x و زمان پخت270 ساعت بر حسب دما به ازاء میدانهای A/m 5 و A/m 50

همچنین از شکلهای (d)-(c)-(b)-(a)- 2 مشاهده می شود که پایداری فاز 2223- Bi نسبت به افزایش میدان مغناطیسی در نمونه با مقدار کادمیم 04/0 = x بهتر از سایر نمونهها میباشد. علت این پایداری، آن است که پیوند بیندانهای در نمونهی با مقدار کادمیم 04/0 = x قویتر بوده و با افزایش میدان، پیوند بیندانهای در این نمونه نسبت به سایر نمونهها کمتر تخریب میشود. نتایج آزمایشEDX از نمونهها که یک نمونة از آنها در شکل 4 نشان داده شده است، مشاهده میشود که هیج گونه نا خالصی در نمونهها وارد نشده است.

شکل 3 تصویر EDX از نمونهای با مقدار کادمیم 04/0 = x با زمان پخت 270 ساعت.

نتیجهگیری

با استفاده از دستگاه پذیرفتارسنج، پذیرفتاری مغناطیسی نمونههای ابررسانای Bi1.64-xPb0.36CdxSr2Ca2Cu3Oy اندازهگیری گردید. با محاسبه درصد فازها و پذیرفتاری مغناطیسی نمونهها مشخص گردید که با افزایش مقدار کادمیم تا 04/0 = x درصد فاز 2223- Bi، پیوند بین دانهای و پایداری نمونهها نسبت به افزایش میدان مغناطیسی افزایش و برای مقادیر کادمیم 04/0 ( x کاهش می یابد بهطوریکه بهترین نمونه، نمونهی با مقدار کادمیم 04/0 = x و زمان پخت 270 ساعت میباشد.

مراجع

1. J Passai, M Lahtinen, J T Eriksson and M Polak, Physica C 259 (1996) 1.

2. M Ishizuka, and J Sakuraba, Physica C 433 (2006) 173.

3. J M Trascon, W R Mckinnon, P Barboux, D M Hwang and G W Hull, Phys. Rev. B 38 (1988) 8885.

4. T Hatano, K Aota, S Ikeda, K Nakamura and K Ogawa, Jpn. J. Appl. Phys. 27 (1988) L2055.

5. Y T Huang, C Y Shei, W N Wang, C K Chiang and W H Lee, Physica C 169 (1990) 27.

6. M Zargar Shoushtari, M R Kashian and H Yazdani, Physica B 321 (2002) 305.

7. سیدابراهیم موسوی قهفرخی، مرتضی زرگرشوشتری و منصور فربد، کنفرانس فیزیک ایران 1386 صفحه 335.

8. T Uzumaki, K Yamanaka, N Kamehara and K Niwa, Appl. Phys. Lett. 54 (1989) 2253.

9. W Hume, "The Structure of Metals and Alloys", London (1969).

10. S Chikazumi, and S H Charap, "Physics of Magnetism", John Wiley, New York, (1964).

11. سیدابراهیم موسوی قهفرخی، مرتضی زرگرشوشتری، مجلة پژوهش فیزیک ایران، جلد 9، شمارة 1، بهار 1388 صفحه 49

تحقیق درمورد تست ذرات مغناطیسی

اختصاصی از فایل هلپ تحقیق درمورد تست ذرات مغناطیسی دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

دسته بندی : برق و الکترونیک ،

فرمت فایل:   ( قابلیت ویرایش و آماده چاپ ) 

فروشگاه کتاب : مرجع فایل 

---

 قسمتی از محتوای متن ...

تعداد صفحات : 10 صفحه

«تست ذرات مغناطیسی (MT)» در این مطلب شما توضیحات مختصری در رابطه با انواع مختلف تستهای ذرات مغناطیسی و همچنین توضیحات مختصری درباره مایعات نافذ و تست التراسونیک که جزء تستهای غیر مخرب محسوب می شوند را می خوانید ، در پایان نیز توضیحات مختصری را در مورد انواع مختلف ضخامت سنجها  آورده شده است.  تست ذرات مغناطیسی (MT): از این روش می توان برای یافتن عیوب سطحی و یا نزدیک به سطح در قطعات فرومغناطیسی استفاده نمود.
در این تکنیک تمام یا بخشی از قطعه مغناطیس شده و فلوی مغناطیسی از داخل قطعه عبور داده می شود.
هر گاه عیبی در سطح یا نزدیکی سطح قطعه وجود داشته باشد باعث نشت فلوی مغناطیسی در قطعه می گردد و نتیجتا باعث به وجود آمدن دو قطب S,N می گردد.
که با پاشیدن ذرات ریز فرومغناطیسی مانند اکسید آهن آغشته به مواد فلروسنت بر روی سطح قطعه می توان ترک را زیر نور ماوراء بنفش مشاهده نمود.
  مغناطیس کردن به وسیله کابل (MAGNETIZATION by cable):گاهی اوقات ابعاد قطعات به اندازه ای بزرگ است که امکان استفاده از کویل امکان پذیر نیست.
وقتی این مسئله اتفاق می افتد یک سیم مسی عایق شده ( روپوش دار) را میتوان برای ایجاد میدان مغناطیسی در ماده استفاده کرد.
در این روش سیم (کابل) را به دور قطعه می چرخانیم ( شبیه کویل ) تا یک میدان طولی در قطعه ایجاد شود.
استفاده از روش پراد (Use of prode method):پراد وسیله ای است که با استفاده از عبور جریان از میله های مسی موجب ایجاد یک میدان مغناطیسی موضعی می شود .
( (Local magnetizeبطور کلی با روش پراد بیشترین قدرت آشکارسازی برای عیوب موازی خط جوش وجود دارد.
روش یوک (Yoke):یوک قطعه ای است فلزی و U شکل با یک سیم پیچ پیچیده شده دور آن که جریان را از خود عبور می دهد.
هنگامی که کویل حامل جریان شود در امتداد قطعه یوک ، یک میدان مغناطیسی طولی در قطعه تست ایجاد می شود.
در میدان مغناطیسی ایجاد شده توسط یوک میدان مغناطیسی خارجی می تواند ذرات آهن را به شدت جذب کند و جهت بررسی عیوب سطحی به کار می رود.
اگر ذرات آهن در میدان میان دو قطب یوک اعمال شود.
علائم عیوب سطحی را به آسانی می توان مشاهده نمود.
جریان متناوب یکی از مناسبترین جریانهای الکتریکی است که موارد مصرف روزمره دارد به همین دلیل از آن استفاده زیادی به منظور منبعی برای تست ذرات مغناطیسی می باشد.   ذرات (Particles ):ذرات مورد استفاده در تست MT از موادی که به دقت از لحاظ مغناطیس شوندگی ، شکل و قابلیت نفوذپذیری انتخاب شده اند می باشند.
این ذرات، مغناطیس باقی مانده را در خود نگه نمی دارند.
این ذرات از براده های تراش کاری هم کوچکترند و در حقیقت این ذرات شبیه پودر می باشند .
ذرات بر مبنای روشهای استفاده آنها به دو گروه خشک و تر طبقه بندی می شوند.
ذرات مغناطیسی توسط نشت میدان مغناطیسی جذب می شوند و تجمع ذرات در محل عیب و نشت میدان می توان موجب آشکار شدن علائم عیب شود .در روش فلروسنت از لامپ UV ( ماوراء بنفش ) که دارای نور مرئی می باشند و به آن نور سیاه نیزگفته می شود استفاده می گردد.
پس عملیات تست به وسیله روش فلروسنت در نور مرئی انجام پذیر نیست.
ذرات مغناطیسی باید دارای قابلیت نفوذپذیری زیاد باشند

  متن بالا فقط تکه هایی از محتوی متن مقاله میباشد که به صورت نمونه در این صفحه درج شدهاست.شما بعد از پرداخت آنلاین ،فایل را فورا دانلود نمایید 

---

  لطفا به نکات زیر در هنگام خرید دانلود مقاله :  توجه فرمایید.

• در این مطلب،محتوی متن اولیه قرار داده شده است.
• به علت اینکه امکان درج تصاویر استفاده شده در ورد وجود ندارد،در صورتی که مایل به دریافت  تصاویری از ان قبل از خرید هستید، می توانید با پشتیبانی تماس حاصل فرمایید.
• پس از پرداخت هزینه ،ارسال آنی مقاله یا تحقیق مورد نظر خرید شده ، به ادرس ایمیل شما و لینک دانلود فایل برای شما نمایش داده خواهد شد.
• در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون بالا ،دلیل آن کپی کردن این مطالب از داخل متن میباشد ودر فایل اصلی این ورد،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد.
• در صورتی که محتوی متن ورد داری جدول و یا عکس باشند در متون ورد قرار نخواهند گرفت.
• هدف اصلی فروشگاه ، کمک به سیستم آموزشی میباشد.
• بانک ها از جمله بانک ملی اجازه خرید اینترنتی با مبلغ کمتر از 5000 تومان را نمی دهند، پس تحقیق ها و مقاله ها و ...  قیمت 5000 تومان به بالا میباشد.درصورتی که نیاز به تخفیف داشتید با پشتیبانی فروشگاه درارتباط باشید.

---

دانلود فایل   پرداخت آنلاین