دانلود تحقیق درمورد یون گیری واکنشی

اختصاصی از فایل هلپ دانلود تحقیق درمورد یون گیری واکنشی دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

فرمت فایل:  ورد ( قابلیت ویرایش ) 

---

قسمتی از محتوی متن ...

تعداد صفحات : 98 صفحه

مقدمه : . یون گیری واکنشی- PECVD- Ashing- پراکنده کردن مایعات- شیمی پلاسمایی- فیزیک پلاسما- عکس العمل سطوح نسبت به یکدیگر سخنران: Herbert H.Sawin پروفسور مهندسی شیمی و مهندسی برق و علوم کامپیوتر از مؤسسه علم و صنعت ماساچوست (MIT)، شهر کمبریج، MA پیشنهادهای فهرست شدة سمینار:. July 8-12,2002کمبریج، ماساچوست ارزیابی های سمینار معرفی سمینار طرح کلی سمینار شرح حال و تحقیقات جاری هرب ساوین زمینه ها و خصوصیات خواسته شده از ثبت نام کنندگان روند کار و نوع سمینار اطلاعات برای ذخیره جا در هتل اطلاعات ثبت نام آموزش در سایت یادداشتهای نمونه سمینار مقالات اخیر ساوین تماس ها برای سوالات ثبت نام در وب سایت اطلاعات ناحیة بوستون سوابق آقای ساوین 1-معرفی فیزیک پلاسما فرآیند ریزالکترونیک 2-سیفتیک گازی (Gas Kinetics) مدل سیفتیک گازی مدل توزیع ماکسول- بولتزمن مدل گازی ساده شده محتوای انرژی نرخ برخورد بین مولکولها مسیر آزاد سیالیت عددی ذرات گاز روی یک سطح فشار گازی خواص انتقال جریان گاز وضعیت سیال رسانایی رساناها احتمال برخورد پراکندگی گاز- گار پراکندگی ذره از یک آرایش ثابت انتشار ارتجاعی برخورد غیر ارتجاعی نمونه های فرآیندهای برخورد غیر ارتجاعی عکس العمل های فاز- گازی 3-فیزیک پلاسما توزیع انرژی الکترونی سینتیک همگونی پلاسما مدل توزیع (مارجینوا) مدل توزیع (دروی وشتاین) انتقال ذره باردار شده و باردار شدن فضایی سینتیک گاز رقیق شده شکافت انتشار دو قطبی تجمع غلاف سینتیک سادة غلاف حفاظت یا پوشش «دیبای» تجمع غلاف و آزمایش بوهم (Bohm) آزمایش غلاف بوهم خصوصیات میلة آزمایش شکست و نگهداری، تخلیة rf تقریب میدان مشابه تقریب میدان غیرمشابه مدل سازی ئیدرودینامیک خودساختة تخلیة rf اندازه گیری تخریب rf مدل توازن الکترونیکی مقایسة تخریب rf اندازه گیری شده و محاسبه شده ارائه مدل به سبک مونت کارلوی تخلیة rf خود با یا سنیگ rf (تجمع خودبخودی rf) سیستم همگن (متقارن) توزیع ولتاژ در سیستم rf توزیع ولتاژ در پلاسمای خازنی rf متقارن و غیر متقارن مدار معادل تخلیة rf تنظیم الکترودها سینتیک بمباران یونی تخلیة اپتیکی لم اندازه گیری حرکت ریزنگاری تخلیة اپتیکی فرآیند برخورد الکترون برخورد الکترونی اکسیژن در پلاسما 4-تخلیه های مدار مستقیم (DC) امیژن ثانویه الکترون در بمباران یونی بمباران خنثی امیژن ثانویه عمل فتوامیژن الکترونهای ثانوی ناحیة کاتدی یونیزاسیون در غلاف توزیع انرژی یونها الکترونهای اشعه ای (الکترونهای سریع) ناحیة آند مدل سازی پلاسمایی DC 5-تخلیه های Rf فیزیک پلاسمای rf خازنی فیزیک تخلیه RF که بصورت القایی فردوج شده اند. فیزیک تخلیه رزونانس الکترون- سیلکوترون فیزیک تخلیة هلیکون پیکره بندی و سخت افزار رآکتور همگن کردن شبکه ها و تنظیم کننده ها شبکه های الکترونیکی همسان ساده شده تنظیم کننده های موج کوتاه رآکتورهای لوله ای رآکتورهای صفحه موازی (دیودی) رآکتورهای صفحه موازی نامتقارن گیرندگان یون واکنشی گیرندگان واکنشی یون که بطور مغناطیسی افزایش یا رشد یافته اند. گیرندگان اشعه یون واکنشی بایاسینگ جریان مستقیم در گیرندگان نمادین گیرندگان دیودی ارتجاعی رآکتورهای تریودی بایاسینگ Rf محدود کردن مغناطیسی چند قطبی منابع پلاسمای غیر قابل دسترسی ECR توزیع شده منابع در حال جریان نزولی ماگنترولها مونتاژ

متن بالا فقط تکه هایی از متن به صورت نمونه در این صفحه درج شده است.شما بعد از پرداخت آنلاین فایل را فورا دانلود نمایید

بعد از پرداخت ، لینک دانلود را دریافت می کنید و ۱ لینک هم برای ایمیل شما به صورت اتوماتیک ارسال خواهد شد.

تحقیق و بررسی در مورد یون گیری واکنشی 65 ص

اختصاصی از فایل هلپ تحقیق و بررسی در مورد یون گیری واکنشی 65 ص دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 98

مقدمه :

یون گیری واکنشی- PECVD- Ashing- پراکنده کردن مایعات- شیمی پلاسمایی- فیزیک پلاسما- عکس العمل سطوح نسبت به یکدیگر

سخنران: Herbert H.Sawin

پروفسور مهندسی شیمی و مهندسی برق و علوم کامپیوتر از مؤسسه علم و صنعت ماساچوست (MIT)، شهر کمبریج، MA

پیشنهادهای فهرست شدة سمینار: July 8-12,2002کمبریج، ماساچوست

ارزیابی های سمینار

معرفی سمینار

طرح کلی سمینار

شرح حال و تحقیقات جاری هرب ساوین

زمینه ها و خصوصیات خواسته شده از ثبت نام کنندگان

روند کار و نوع سمینار

اطلاعات برای ذخیره جا در هتل

اطلاعات ثبت نام

آموزش در سایت

یادداشتهای نمونه سمینار

مقالات اخیر ساوین

تماس ها برای سوالات

ثبت نام در وب سایت

اطلاعات ناحیة بوستون

سوابق آقای ساوین

1-معرفی

فیزیک پلاسما

فرآیند ریزالکترونیک

2-سیفتیک گازی (Gas Kinetics)

مدل سیفتیک گازی

مدل توزیع ماکسول- بولتزمن

مدل گازی ساده شده

محتوای انرژی

نرخ برخورد بین مولکولها

مسیر آزاد

سیالیت عددی ذرات گاز روی یک سطح

فشار گازی

خواص انتقال

جریان گاز

وضعیت سیال

رسانایی رساناها

احتمال برخورد

پراکندگی گاز- گار

پراکندگی ذره از یک آرایش ثابت

انتشار ارتجاعی

برخورد غیر ارتجاعی

نمونه های فرآیندهای برخورد غیر ارتجاعی

عکس العمل های فاز- گازی

3-فیزیک پلاسما

توزیع انرژی الکترونی

سینتیک همگونی پلاسما

مدل توزیع (مارجینوا)

مدل توزیع (دروی وشتاین)

انتقال ذره باردار شده و باردار شدن فضایی

سینتیک گاز رقیق شده

شکافت انتشار دو قطبی

پاورپوینت اموزشی توسعه نظارت برای سوئیچینگ واکنشی کلید قدرت ولتاژ بالا

اختصاصی از فایل هلپ پاورپوینت اموزشی توسعه نظارت برای سوئیچینگ واکنشی کلید قدرت ولتاژ بالا دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

تعداداسلاید: 30

دانلود مقاله یون گیری واکنشی

اختصاصی از فایل هلپ دانلود مقاله یون گیری واکنشی دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

مشخصات این فایل
عنوان: یون گیری واکنشی
فرمت فایل: word( قابل ویرایش)
تعداد صفحات: 65

این مقاله درمورد یون گیری واکنشی می باشد.

خلاصه آنچه در مقاله یون گیری واکنشی می خوانید .

مقالات نمونه در سمنیار             Sample Seminar Notes
تجمعه درزها (شکاف ها)- الکترون گیری تحت فشار القا شدة در پلی سیلیکون
تجمع درزها در الکترون گیری پلی سیلیکون تا حدودی به علت الکترون گیری خودبخود ارتقاء یافته در اثر فشار بستگی دارد و بطور کامل نمی توان گفت که معلول صد در صدی از پدیدة شارژ جلوه ای می باشد. به حداقل رساندن فشار کششی در میان لایه های نازک پلی سییکون می تواند تجمع شکافها و درزها را کاهش دهد. مثلاً برانگیخته (ملتهب) کردن و متفاوت کردن شرایط جایگری پلی سیلیکون. همچین تغییر و تصحیح فرایندهای الکترون گیری پلاسما برای افزایش حالت مفعولی دیواره ها (فاعلیت دیواره ای) یا جداره ای. مثل اضافه کردن کاتالیزورهای (پیک (قاصد)های) مفعولی به گازی که در فرایند استفاده می شود و این گاز الکترون گیری خودبخودی را را بلوکه و قبضه می کند، یک روش متناوب جلوگیری ازالکترون گیری خودبخودی در پلی سیلیکون در برخورد (رویارو شدن) اکسید و پلی سیلیکون، می باشد. شکاف دار شدن(درز دار شدن سطوح) تا زمان زیادی به پیچش (قول دار بودن) مسیر و حرکت یون که با میدان الکتریکی القاء شده بود نسبت داده می شد و نیز الکترون گیری بعدی (آتی) پلی سیلیکون با این یونها   پتانسیل عظیم شارژ ناحیه ای در سطح دی اکسید سیلیکون به سبب اختلاف در جهت دار بودن یونها و الکترونها می باشد مثلاً الکترونهایی که بطور ایزتروپیک جهت دار شده اند بطور منفی کناره ها(جداره ها)ی ضد نور (فتورسیست) را شارژ کردة یونهای جهتی بطور مثبت لایه های زیرین اکسید را شارژ می کنند (در خلال الکترون گیری بیش از اندازه). لازمة بالقوة بازتاب (انعکاس) یونهای با انرژی پائین (eV 45<) برای تشکیل درزها تقریباً   ( ) بر روی یک سطح اکسید می باشد. بهر صورت بزرگی این میدان بستگی دارد به (وابسته است× به 2 عامل (عامل 2) برای شکست ولتاژ برای توسعه اکسید (گسترش اکسید) (اکسید فزاینده) تقریباً   چنین میزان بزرگی تمایل زیادی دارد به اینکه در بین سطوح نشتی بوجود بیاورد، میدان را کاهش دهد و بدین طریق از بازتاب یونها که به منظور ایجاد توسعه برای بوجود آوردن شکاف ها استفاده دارد، جلوگیری کند. حتی در میان اکسید گسترده،   گزارش داد که نشت گسترش برای   اکسید غنی و غلیظ بالای ولتاژ بکار رفته، قابل توجه شده بود و این ولتاژها V5 بود. علاوه بر اینها، بمبارانهای یونی، الکترونی و ذرات نوری UV از پلاسما، حالات الکتروی را تهیج و برانگیخته می کرد بدینصورت نشت اکسید را بالاتر می برد و کاهش اضافی میدانها در بین اجزاء و انعکاس افزودة یون را به دنبال داشت. فشار کششی در برخورد اکسید- پلی سیلیکون الکترون گیری خود بخودی پلی سیلیکون به وسیلة خنثی های واکنشی را بالاتر می برد و سبب تجمع شیارها و دزها می شد. میدانهای فشار غیر هم شکل در بین خطوط مرتب شده مشاهده شده اند و فشارهای متمرکز شده (جایگیر شده) بزرگ در حین مقابله، القاء شده اند، بخصوص گوشه ها و کناره‌های نزدیک (هم جوار) با زیرلایه ها (substrate)؛ برای انجام (اثبات درستی) الکترون گیری که با فشار ارتقاء یافته، نمونه های مرتب شده بطور مکایکی طوری فرم گرفته بودند و انحناء یافته بودند تا فشار لایه های نازک پلی سیلیکون بدون هیچ گونه تغییری روی لایه ها، تغییر کند. فشار مکانیکی   اعمال شد مقداری بزرگتر از چیزی است در یک لایة پلی سیلیکون نمونه بدون انحناء مکانیکی انجام می شود (اعمال می شود). این تنظیم خمش مونه (خم کردن نمونه) در تصویر 1 نشان داده شده. نمونه های مرتب شده (دارای الگو) از همان لایة Wafer 6 اینچ بریده شده بودند و شامل خطوط مکرر (تکراری) و فاصله های مابین آنها، می شد. سیم های فلزی در زیر نمونه های الگویی (راه راه) سیلیکون قرار داده شده بودند و با خطوط الگو عمود بودند. سپس نمونه ها توسط سیستم اشعه ای با   و Cl هم بدون سیم فلزی و هم با آن، الکترون گیری شدند.

«تنظیم برای خم شدن 3 نقطه ای نمونه های مرتب شدة پلی سیلیکون. یک سیم تنگستن در زیر نمونة سیلیکون مرتب شده قرار داده شده بود که با خطوط حالت عموی داشت   2 پیچ فولاد ضد زنگ هم برای محکم کردن لبه های نمونه بر روی نمونه گیر در هنگام فشار مکانیکی بر سطوح لایه های نازک، بکار رفته بود. نمونه ها از یک Wafer هم با سیم و هم بدون سیم الکترون گیری شدند.»
پروفیلهای الکترون گیری شدة نمونه های مرتب پلی سیلیکون با اعمال فشار مکانیکی و بدون اعمال فشار مکانیکی در تصویر 2 برای مقایسه نشان داده شده اند. درجة شکاف دار شدن با فشار مکانیکی اعمال شده، بیشتر می شود و نشان می دهد که فشار می تواند الکترون گیری خودبخودی پلی سیلیکون را به وسیلة کلرین اتمی، (کلرین گازی تهیه شده از نمک معمولی است) بالاتر ببرد (ارتقاء دهد9.
«نمونة عکس سطح مقطع ضد نور پلی سیلیکون الکترون گرفته با   (عکس a) نمونه بدون خم شدن/ فشار مکانیکی الکترون گرفته. (b) نمونه با فشار/ خم شدن مکانیکی الکترون گرفته. هر دو نمونه از wafer  اینچی 6 گرفته شده بودند.»

زمان الکترون گیری بیشتر از حد که در این آزمایشات بکار گرفته شده بود تقریباً 15% کمتر از آن چیزی بود که در فرایند شکل گیری (تجمع) شکافها  که حدود 200% بوده گزارش شده بود که در آن مدت (طی آن زمان) تجمع شکاف ها (شکاف دار شدن) گوشه ها یا حدود متشابه مشاهده شده بودند.
سرعت (نسبت) بیشتر شکافدار شدن در آزمایشات ما نشان می دهد (ثابت می کند) که این عمل با بیشتر شدن مقدار فشار، شتاب می گیرد. بهرحال (بنابراین) آهسته و کم (جزئی) که مشاهده شدة بدون اعمال نیروی مکانیکی صورت گرفته، نشان داده است که این نمونه های پلی سیلیکون تهیه شده به وسیلة SEMATECH دارای فشار کافی هستند که شکافدار شدن با الکترون گیری بیش از حد و گسترده اتفاق خواهد افتاد.
نتایج مشهود آزمایشی قویاً تأکید می کند (بحث می کند) که تجمع (ازدیاد) شکافدار شدن به طور عمده (بیشتر) به وسیلة فشار تحت تأثیر قرار می گیرد، چنانچه (در حالیکه) شارژ و پیچیش مداری یونها در سیستم اشعه ای (ستونی) قابل توجه و زیاد نیستند. ازمایشات اشعه ای (ستونی) که در این کار (پروژه) گزارش شده اند از یک اشعة یون دسته بندی شدة (مرئی شده) ]تقریباً بیشتر از   [ « » با یک توزیع انرژی بیشتر از 15 Ve از Fwhm و درجه حرارت الکترونی (حرارت الکترونی) تخمین زدة کمتر از ev1 استفاده می کنند. میدانهای لازم برای انعکاس یونها تحت این شرایط تقریباً برابر با یک هزار   است بطور مثال مساوی با آنچه که برای شکست اکسید گسترده لازم است. شکافدار شدن با 15% الکترون گیری اضافه حتی در مواردی که نیروی مکانیکی اضافه، اعمال نمی شود هم مشاهده شده است. سرانجام، (در آخر) شکافدار شدن از نیروی (فشار) مکانیکی ذخیره شده و جمع شده نیز تأثیر می گیرد که تحت همان شرایط الکترون گیری بوجود می آید. (وجود دارد).
فشار ممکن است باعث ارتقاء (افزایش) الکترون گیری خودبخودی از راه کاهش مانع (حصار) انرژی برای Cl بمنظور نفوذ در قسمتهای توری شکل یا مشبک مانند سیلیکون و حمله به محدوده های زیرین si-si می شود. الکترون گیریخودبخود پلی سیلیکون به وسیلة هالوژن های اتمی در برخی شرایط مشاهده شده است از جمله:
1-پلی سیلیکون از نوع  ،
2-پلی سیلیکون بطور ناحیه ای یا متمرکز در یک نقطه بوسیلة نور لیزر، تخلیة اشعه‌ای شده (Radiante).

بخشی از فهرست مطالب مقاله یون گیری واکنشی

نقطه نظر (موضع) یا موضوع مورد بحث سمینار
شرح حال و تحقیق اخیر آقای Herb Sawin
قسمتهایی که در آزمایشگاه «Sawin» مورد تحقیق هستند شامل:
مقالات نمونه در سمنیار     
«بارگذاریهای آزمایشی»
«مواد مرکب»
مقالات اخیر هرب ساوین
مراجع

دانلود تحقیق کامل درمورد یون گیری واکنشی

اختصاصی از فایل هلپ دانلود تحقیق کامل درمورد یون گیری واکنشی دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک پرداخت و دانلود *پایین مطلب*
فرمت فایل:Word (قابل ویرایش و آماده پرینت)
تعداد صفحه: 98
فهرست و توضیحات:

• معرفی سمینار
• طرح کلی سمینار
• شرح حال و تحقیقات جاری هرب ساوین
• زمینه ها و خصوصیات خواسته شده از ثبت نام کنندگان
• روند کار و نوع سمینار
• اطلاعات برای ذخیره جا در هتل
• اطلاعات ثبت نام
• آموزش در سایت
• یادداشتهای نمونه سمینار
• مقالات اخیر ساوین
• تماس ها برای سوالات
• ثبت نام در وب سایت
• اطلاعات ناحیة بوستون
• سوابق آقای ساوین

1-معرفی

• فیزیک پلاسما
• فرآیند ریزالکترونیک

2-سیفتیک گازی (Gas Kinetics)

• مدل سیفتیک گازی
• مدل توزیع ماکسول- بولتزمن
• مدل گازی ساده شده
• محتوای انرژی
• نرخ برخورد بین مولکولها
• مسیر آزاد
• سیالیت عددی ذرات گاز روی یک سطح
• فشار گازی
• خواص انتقال
• جریان گاز
• وضعیت سیال
• رسانایی رساناها
• احتمال برخورد
• پراکندگی گاز- گار
• پراکندگی ذره از یک آرایش ثابت
• انتشار ارتجاعی
• برخورد غیر ارتجاعی
• نمونه های فرآیندهای برخورد غیر ارتجاعی
• عکس العمل های فاز- گازی

3-فیزیک پلاسما

• توزیع انرژی الکترونی
• سینتیک همگونی پلاسما
• مدل توزیع (مارجینوا)
• مدل توزیع (دروی وشتاین)
• انتقال ذره باردار شده و باردار شدن فضایی
• سینتیک گاز رقیق شده
• شکافت انتشار دو قطبی
• تجمع غلاف
• سینتیک سادة غلاف
• حفاظت یا پوشش «دیبای»
• تجمع غلاف و آزمایش بوهم (Bohm)
• آزمایش غلاف بوهم
• خصوصیات میلة آزمایش
• شکست و نگهداری، تخلیة rf
• تقریب میدان مشابه
• تقریب میدان غیرمشابه
• مدل سازی ئیدرودینامیک خودساختة تخلیة rf
• اندازه گیری تخریب rf
• مدل توازن الکترونیکی
• مقایسة تخریب rf اندازه گیری شده و محاسبه شده
• ارائه مدل به سبک مونت کارلوی تخلیة rf
• خود با یا سنیگ rf (تجمع خودبخودی rf)
• سیستم همگن (متقارن)
• توزیع ولتاژ در سیستم rf
• توزیع ولتاژ در پلاسمای خازنی rf متقارن و غیر متقارن
• مدار معادل تخلیة rf
• تنظیم الکترودها
• سینتیک بمباران یونی
• تخلیة اپتیکی
• لم اندازه گیری حرکت
• ریزنگاری تخلیة اپتیکی
• فرآیند برخورد الکترون
• برخورد الکترونی اکسیژن در پلاسما

4-تخلیه های مدار مستقیم (DC)

• امیژن ثانویه الکترون در بمباران یونی
• بمباران خنثی امیژن ثانویه
• عمل فتوامیژن الکترونهای ثانوی
• ناحیة کاتدی
• یونیزاسیون در غلاف
• توزیع انرژی یونها
• الکترونهای اشعه ای (الکترونهای سریع)
• ناحیة آند
• مدل سازی پلاسمایی DC

5-تخلیه های Rf

• فیزیک پلاسمای rf خازنی
• فیزیک تخلیه RF که بصورت القایی فردوج شده اند.
• فیزیک تخلیه رزونانس الکترون- سیلکوترون
• فیزیک تخلیة هلیکون

پیکره بندی و سخت افزار رآکتور

• همگن کردن شبکه ها و تنظیم کننده ها
• شبکه های الکترونیکی همسان ساده شده
• تنظیم کننده های موج کوتاه
• رآکتورهای لوله ای
• رآکتورهای صفحه موازی (دیودی)
• رآکتورهای صفحه موازی نامتقارن
• گیرندگان یون واکنشی
• گیرندگان واکنشی یون که بطور مغناطیسی افزایش یا رشد یافته اند.
• گیرندگان اشعه یون واکنشی
• بایاسینگ جریان مستقیم در گیرندگان نمادین
• گیرندگان دیودی ارتجاعی
• رآکتورهای تریودی
• بایاسینگ Rf
• محدود کردن مغناطیسی چند قطبی
• منابع پلاسمای غیر قابل دسترسی
• ECR توزیع شده
• منابع در حال جریان نزولی
• ماگنترولها
• مونتاژ کردن لایه لایه ای
• تبرید برگشتی هلیوم
• محکم کاری الکترواستاتیک
• جستجوی نقطة نهایی
• تجزیه و تحلیل تخلیة اپتیکی
• ثبت حرکات تداخلی
• ثبت لیزری امواج یا حرکات تداخلی
• مونیتورینگ یا مشاهده امپدانسی
• فاز گازی
• تولید اتم اکسیژن
• بارگزاری رآکتورها
• واکنشهای سطحی
• شیمی لایه هایی که خود بخود واکنش دارند.
• ارتقاء پلمیری
• سینتیک مواد نشتی یا رطوبت ده
• الکترون گیری شیمیایی فزاینده یونی
• اتمهایی که با گرفتن یون ارتقاء پیدا می کنند مثل Cl و Cl+
• پراکندگی و جایگزی حاصل الکترون گیری مثل
• مدلهای سینتیک الکترون گیری پلی سیلیکون
• الکترونگیری پلی سیلیکون مرتب شده
• الکترون گیری اکسید که توسط یون زیاد شده
• الکترون گیری ضد نور که توسط یون زیاد شده
• مقایسه مواد شیمیایی ارتقاء یافته با یون و بستهای الکترون گیری خود بخود شیمیایی.
• توده نگاری میکروسکوپی
• میلة آزمایش لانگ میر
• فلورسنت القایی با لیزر
• تحلیل امپدانس پلاسمایی
• ثبت تداخل با لایه های کاملاً چسبیده

طیف نگاری تخلیه اپتیکی

8-الکترون گیری جلوه ها

• ده مبارزه برتر الکترون گیری
• مکانیزمهای گسترش مقطعی
• جهت دار شدن بمباران یونی از پلاسما
• پراکندگی یونی در جوله های خاص
• تغییر سطوح در جلوه های ویژه
• الکترون دهی و الکترون گیری با پراکندگی
• اتم گیری با القاء یونی
• اتم گیری خودبخود
• جابجایی نمونه ها و فعال ها از پلاسما
• جابجایی مجدد بوسیلة خط دید تولیدات
• شکست
• جاذبة بالقوة تصویر با دیواره های هدایت پذیر (رسانا)
• نسبت منظری الکترون گیری وابسته
• تجمع نامتقارن در الکترون گیری پلی سیلیکونی و فلزات

9-مدل سازی سه بعدی از عوارض زمین و عوارض جغرافیایی

• مدل سازی سطحی ساده شده
• خصوصیات شبیه ساز مونت کارلو
• مصرف جذب شدن در سطوح عمل متقابل به هم در سطوح
• پراکندگی یکنواخت و غیریکنوخت
• انتشار فیزیکی و الکترون گیری با یون فزاینده
• پراکندگی از قسمت سطح منبع
• ارتقاء کیفیت سطحی
• مقایسة نتایج آزمایشی و مدل سازی
• تجمع شکافتهای میکروسکوپی به وسیلة پراکندگی یونها
• پراکندگی یونی
• جهت دار شدن یونی
• زاویة ماسک
• ترکیب مجدد سطحی
• جابجایی از پلاسما
• تأثیر تغییر مکان بر وضع ظاهری
• خشن کردن سطوح در حین اتم گیری

10-تخریب پلاسما

• آلودگی
• خصوصیات منحصر به فرد
• تخریب دروازه با اکسید شدن- ذرات پوز
• تخریب دروازه با اکسید شدن- فشار الکتریکی
• تخریب چهارچوبها و قابها
• خوردگی بعد از اتم گیری

11-فرآیندهای اتم گیری

• الکترون گیری و الکترون دهی اعضا
• پلی سیلیکون
• الکترون گیری دروازه ای
• الکترون گیری اکسیدی
• الکترون گیری نیتریدی
• الکترون گیری دی الکتریک با K پائین
• الکترون گیری آلومینیوم
• الکترون گیری مس

12-جابجایی

• انتشار
• جرقه ها، قوس های الکتریکی، بی ثباتی ها
• جابجایی انتشار بایاس
• تنظیم با خط صحیح دید
• منابع رطوبت ده با غلظت بالا
• ترکیب و آلیاژ
• جابجایی انتشاری عکس العملی
• مقدمه چینی برای هدف
• جابجایی بخار متصاعد شیمیایی پلاسما
• وسایل و تجهیزات مربوط به VD
• تمیز کردن اطاقک واکنش
• عملیات آزمایشی PECVD و ماهیت
• نیترید سیلیکون
• دی اکسید سیلیکون
• آکسی فلورید یدهای سیلیکون
• اکسیدهای سیلیکون و کربن
• لایه های پرفلور و کربن

13-پردازش کار با پلاسما در سطوح بزرگ

• جدای یک منبع با فاصله از یک لایه زیرین
• استفاده از منابع پلاسمای با فاصله و آرایش یافته
• مقیاس گذاری منابع پلاسما
• منابع پلاسمای خطی
• منابع جاری پلاسما

14-رآکتورهای لایه لایة ستونی ماکروویو که در فشارهای بالا عمل می کنند

• وسایل عمل آزمایشی
• آزمایشات
• مشخص کردن خصوصیات فرآورده های بعدی
• مکانیزم پیش بینی شده برای کاهش
• استفاده از واحد کاهنده در تأسیسات ساختن (تولید) مدار جامع (IC)
• کاهش PFCهای دیگر
• جمع بندی
• کاهش پیودهای اندوکسیونی با پلاسما
• سابقه
• خلاصة نتایج
• نمرة تحقیقات و نتایج
• محاسبات سینیک شیمیایی
• رآکتورهای کاهنده تجارتی
• رآکتورهای کاهنده تجارتی موج سطحی

15-فرآیند پلاسمای غیر میکروالکترونیک

• استرلیزه کردن با پلاسما
• صفحة مدار چاپی از نوع دوتایی که با چسب به هم متصل می شوند
• مراحل پردازش میکرومکانیکی
• الکترون گیری عمیق چندگانه ای زمانی
• الکترون گیری Si در سیستم STS
• نسبت الکترون گیری
• نسبت منظری پیامد الکترون گیری RIE وابسته
• نسبت الکترون گیری ضد نور
• متحدالشکل بودن
• عوامل تقویت کننده

16-ضمیمه

17-مرجع ها

معرفی سمینار (همایش)

تقریباً 40% از مراحل ساخت و تکمیل در صنعت میکروالکترونیک از فرایندهای پلاسما استفاده می کنند. کاربردها در میکرومکانیک، صفحه نمایش های تخت، تغییر سطوح (تصحیح سطوح)، تمیز کردن، استرلیزه کردن ایجاد پوشش(لایه) با پاشیدن مایع، و قسمتهای متنوع و بیشمار دیگر به سرعت در حال رشد و توسعه زیاد بر مبنای توسعة تکنولوژیکی هستند که برای فرآیندهای میکروالکترونیک (پردازش میکرو الکترونیکی) ساخته می شوند. درک اساسی (مبنای) پردازش (فرآیند) پلاسما(یی) اکنون همین قدر کافیست که مدل ها و نمونه های پلاسمایی بسان (در شکل) ابزارهایی برای فرایندها و روش تولید پلاسمای و ابزار پلاسمایی، ساخته و پرداخته می شوند و جلوه می کنند، همچنانکه مشکلات فرآیند رفع عیب از روی علت، خودنمایی می کنند. در کل رفع اشکالات (عیب یابی) پلاسما اکنون ابزاری شده همانگونه که نشان دهنده های فرآیند ابزارهای عیب یابی و تجسس (بازرسی) و کنترل کننده های فرایند (مراحل انجام کار)، در نقش توسعة قابلیت اعتماد و انعطاف پذیری مراحل انجام کار.

بازنگری ها و مرور سمینار معطوف است به اساس و اصول فیزیک پلاسما که مورد نیاز است برای درک و فهمیدن فرایندهای پلاسما برای استفاده در ساخت و پرداخت و تولید میکروالکترونیک. ارائه مدل هم به سبک فیزیک پلاسما و هم شیمی پلاسما مورد بحث قرار خواهد گرفت. ساختار (ساختمان) که از این مفهوم نشأت می گیرد، پیکره بندی و ساختارهای رآکتور پلاسمایی برتر، برای بدست آوردن (ساختن) یک درک و فهم ثابت و استوار از این مقوله، مورد بحث قرار خواهد گرفت. سپس همین مفاهیم رآکتور در کل و به طور عمومی برای پردازش پلاسمایی مورد استفاده قرار خواهند گرفت. موارد کاربردی مثل پردازش (فرایند) نمایش صفحه ای، استرلیزه کردن، پاک کردن، لایه گذاری یا پوشش دادن با پاشیدن مایع، تصحیح و تغییر سطح پلی مری و انبار کردن، مورد بحث واقع خواهند شد. این سمینار مشابه آن چیزی است که آقای Herb Sawin در دانشگاه MIT در 20 سال گذشته تدریس و معرفی کرده است. این مطلب در طول 16 سال گذشته تا کنون به مهندسین صنعتی در قالب یک برنامه تابستانی یک هفته ای در MIT معرفی و پیشنهاد می شده و در بسیاری از شرکتها هم اکنون روی خط ارتباطی خود، آن را دارند.

نقطه نظر (موضع) یا موضوع مورد بحث سمینار

هر سال که یادداشت ها و مقاله های سمینار توسعه می یابند و بازنگری و تصحیح می‌شوند، محتویات برنامه هم عوض می شوند. یادداشتهای سمینار بتازگی بالغ بر 450 صفحه می شوند و مدارکی در برگیرندة تمام موارد و مواد مطرح شده و پیشنهاد شده در سمینار می باشند. این متن کاملاً فهرست بندی و دارای ضمیمه و مرجع شده است. موارد زیر (فهرست زیر) مواضع و موضوعاتی هستند که توسعه یافته و تغییر کرده اند و برای ارائه در سمینار جاری آماده شده اند.

شرح حال و تحقیق اخیر آقای Herb Sawin

سخنران برنامه آقای هرب ساوین است، پروفسور مهندسی شیمی، مهندسی الکتریسیته و علوم کامپیوتر از انستیتو تکنولوژی ماساچوست (MIT). فروفسور ساوین در حدود 22 سال بر روی موضوع پردازش (فرایند) پلاسما کار کرده و در حدود 160 مقالة تألیف شده و رساله (یادداشت) در پروندة خود دارد. تحقیقات او شامل مطالعه در فیزیک پلاسما، شیمی پلاسما، واکنش های سطوح تغییر و تصحیح سطوح، عیب یابی و تعمیر پلاسمایی، مدل سازی (ارائه مدل) از پردازش. در مورد ویژه او بطور نزدیک با صنعت در توسعه و درک مفاهیم یون گیری الکترونها و ذخیره سازی بخار شیمیایی غنی شده با پلاسما، کار کرده است و نیز عیب یابی پلاسمایی و تمیز کردن لایه های مجاور با میکرو- ماشین ینگ (Micro Machining) «همین او یک متبکر در بیش از 8 مقاله و رساله است که 5 تای آنها از MIT برای صنایع (صنعت) و تکنولوژی اجازه نامه گرفته اند. این مقالات راجع به موضوعات زیر بحث می کنند»:

• پاک کردن خشک لایه های Ni، Fe، Cu، Na، فلزهای آلکالی و اکسیدها
• جایگیر کردن یا (مستقر کردن) لایه های نازک تفلون مانند بصورت بخار شیمیایی برای دی الکتریک های یک لایه در میان و کاربردهای دیگر
• مونیتورینگ (مشاهدة بصری) میزان چند لایه شدن (لایه گیری) اینترفرومتریک لایه ای، پاک کردن، تأخیر RIE، و مرحلة پایانی در برخی فرایندها (End point).
• تحلیل نامحسوس برای حساسیت بیشتر بازرسی (جستجو) در مرحلة پایانی (کاری).
• پیکره بندی (ساختار) رآکتور پلاسمایی
• پاک کردن لایه های مجاور با بخار با روش HF.

برخی از نکات بارز کار آخر او (Sawin) شامل موارد ذیل است:

• او راجع به سینه تیک(کینه تیک) سطوح یون گرفته که مسئول (عامل) یون گیری جهت دار و سمتی مطالعه کرده است که از اشعه ها برای روان کردن (جاری کردن) (و بردن) مایعاتی که هنگام عملیات کار (مراحل انجام کار) بر روی سطوح ریخته می شوند (برخورد می کنند)، استفاده می شود.

او در آزمایشات اولیه ای از یونهای Ar و اشعة CL2 استفاده کرد او می توانست تخلیة فراورده ها (محصول) را از ثبت (یون گیری) لایه های سیلیکونی، اندازه بگیرد. با این تکنیک او اولین کسی بود که توانست زمان جایگزینی (جایگیری) بین برخورد یونها و رهاسازی (تخلیه) الکترونها (نتیجة واکنش) از روی سطح الکتروناه (که برحسب 100 میکرو ثانیه بود). این زمان جایگیری نشان می داد که مکانیزم (ی) برای ارتقاء (افزایش)، از طریق روشهای شیمیایی میسرتر بود تا اینکه بوسیلة پاشیدن مواد از روش فیزیکی یا مکنیزم میله های داغ؟ که عموماً هم به این روش در آن زمان اعتقاد داشتند.

ابتدا برای مشخص کردن و ارائه مدلی از واکنش (پدیدة) شارژ صوری (ظاهری) و تأثیر آن بر اتم گیری وابستة نسبت منظری (تأخیر RIE).

نشان داد که فشار در روی (در مرحلة) رویاروی دی اکسید- پلی سیلیکون عاملی بزرگ در شکل گیری درزها و شکافها می باشد. انعکاس یون با پارژ صوری (ظاهری) برای اندازه گیری مقدار شکاف خوردن (درست شدن شکافها) وسیله و روش کافی‌ای نیست (این روش کافی نیست).

• آزمایشات تخلیة (ستون) ترکیب شده که در حال حاضر در آزمایشگاه آقای ساوین اجرا می شوند، در مدت زمان (از نظر زمانی) بین سیلان واقعی (جاری شدن واقعی) و پیچیدگی با هم تفاوت دارند. مثلاً الکترون گیری (فرم گیری) سیلیکون و اکسید در قالب (رابطة) ستونهای ، F، تعریف و تعیین شده است. جاری شدن (حرکت) لایه ها و ستونهای مذکور با آنها (آن دسته) که در متن فرایندهای الکترون گیری پلاسمایی وجود دارند، قابل مقایسه هستند. تناسب(میزان) الکترون گیری، جایگزین شدن مجدد(ذخیرة مجدد) و منتخب (برگزیده) بودن این فرایند، اندازه گیری شده است و در یک مدل شبیه سازی شدة تصویری قرار داده شده است تا مدلی از فرایندهای الکترون گیری (جهت دار) را ارائه بدهد. او همچنین مقدار جابجایی وزن (جرم) در اثر نیروی واردة (سینه تیک) [Kinetics] الکترون گیری پلی سیلیکون را در ، ، ، و اندازه گیری کرده است. اهمیت دوباره ذخیره کردن (جایگیری مجدد) محصولاتی مثل اندازه گیری کرده است. اهمیت دوباره ذخیره کردن (جایگیری مجدد) محصولاتی مثل  که میزان الکترون گیری را کاهش می دهند. در مصارف عادی و معمولی نشان داده شده که 2 برابر اهمیت دارد. تغییر وضعیت جرم در اثر نیروی وارده در این کار در یک شبیه ساز مصور قرار داه شده تا برای نشان دادن مدلهای پلاسما استفاده شود.
• ساوین و گروهش یکی از اولین کسانی بودند که از مدل هیدرودینامیک برای نمایش صوری فیزیک تخلیه (شارژ) استفاده کردند و نظریاتشان را به طور گسترده‌ای در این قسمت منتشر کردند. مقالة او اولین مقاله ای بود که شامل یک تأثیر درونی انتقال یون می بود و از سوی کسانی که از این فرمول استفاده می‌کردند و قریب به 52 مرتبه از سال 1987 که وی مقاله اش را منتشر کرد، اقتباس و استناد شده بود. در مجموع گروه او یک روش تیراندازی (تخلیة ناگهانی) عددی را توسعه داده بودند برای هم راستا شدن (هم جهت شدن) با حالت یکنواخت ناپایدار و لرزشی در تخلیة rf که توسط دیگران که در این زمینه تشکیل یک گروه و دسته را داده بودند.
• تحت حمایت (Sematech) تکنیک (روش) اینتروفرومتری کامل لایه های فشرده، اختراع (ابداع) شده و ثبت اختراع هم شده بود. این روش نه تنها می تواند متشابه (هم شکل بودن) نسبت الکترون گیری در میان لایه های به هم فشرده را در خلال جایگیری و یا الکترون گیری اندازه بگیرد، بلکه همچنین می تواند اختلافات و تغییرات نسبت الکترون گیری را هم در یک صفحة (لایه) از بین رفته اندازه گیری کند آن هم با وقتی بیشتر از 1% نسبت الکترون گیری. این روش تضمین کرده (قول داده است) که ابزاری با ارزش برای توسعة فرایندها و کنترل باشد. یک شرکت موفق و در حال پیشرفت که بر مبنای این مفهوم ساخته شده بود، شکل گرفت و تولیدات خود را به صنعت ارائه کرد (فروخت) که اکنون تبدیل به شرکتی بزرگ شده است که کارش نظارت و نگرش بر وضعیت مراحل انجام کار در ساخت و تولید می باشد.
• اولین اندازه گیری انتشار زاویه ای بمباران یونی در روی یک الکترود در تخلیة rf در لابراتوار Sawin انجام شد. این اندازه گیریها توسط مدل (نمایش مدل) مونته کارلو از پراکندگی یون در غلاف (پوششی) بود که سبب می شد یون انرژی پیدا کند و جایگیری زاویه ای روی دهد. همچنین این اندازه گیری ها در مدلسازی از وضعیت حرکت ناحیه ای خاص به سمتی خاص در سطح لایه های بهم فشرده در خلال فرایند، دست به دست هم دادند تا محاسبات صورت گیرد. از آنجا که انتشار زاویه ای برای کنترل جهت یابی و ابعاد بحرانی،در الکترون گیری مهم و حیاتی هستند، این کارهای اساسی و پایه ای از اهمیت فراوان برخوردار هستند.

برای اندازه گیری مقدار شیمی پلاسمای فرایندها گروه ساوین تکنیک مدولاسیون قدرت rf را توسعه دادند که می تواند مراحل مرزی نسبت را در کینه تیک شیمیایی مشخص و شکل دهی کند. این مدولاسیون دانسیتة الکترون رخ دهد اما مدولاسیون خیلی کمی در انرژی الکترون در دیگر فیزیک پلاسما بوجود می آید. با اضافه کردن مقدار کمی Ar، دانسیتة سریع الکترون، با مشاهدة مدولاسیون تخلیة بصری Ar، اندازه گیری می شود. همچنین مدولاسیون تخلیه که از واکنشی در پلاسما شکل می گیرد مثل Cl، F، CF، CF2 و غیره، می توانند انواع تعیین مقدار بشوند و وقتی که با تخلیة Ar که برای تصحیح دانسیتة الکترون انجام می شود به حال عادی باز می گردند، تمرکز انتخابی این گونه ها(انواع) تعیین می‌شود. تجزیه و تحلیل های «Fourire» برای تعیین طرز عمل (تابع) انتقالی آزمایشی و متعاقباً برای تابع پذیری کینه تیک شیمیایی استفاده می شود. استفاده از این روش، نشان داده است که ترکیب بیشترین تخلیه ها با (بوسیلة) توازن فرایند پراکنده شدن با برخورد الکترون و ترکیب مجدد سطوح (انرژی) تعیین شده است مثلاً فاز گازی (قسمت گازی) فرایندهای واکنش شیمیایی بصورت سمبلیک و نمونه، مهم نمی باشند. قبل از انجام این کار، کارهای تئوری و آزمایشی زیادی که مدلهای کینه تیک تخلیه ای داشتند و با واکنش های فازگازی جمع بندی شده بودند، در صدر روش ها بودند و روشهای برتری بودند. مشاهدة با تکنیک آنالیز سریع «Sawin» نشان داد که این مدلها یک تا 2 برابر اندازة واقعی از نظر بزرگی، بودند.

این فقط قسمتی از متن مقاله است . جهت دریافت کل متن مقاله ، لطفا آن را خریداری نمایید