فایل هلپ

مرجع دانلود فایل ,تحقیق , پروژه , پایان نامه , فایل فلش گوشی

فایل هلپ

مرجع دانلود فایل ,تحقیق , پروژه , پایان نامه , فایل فلش گوشی

تحقیق درباره نگاهى به تفاوت سنسورهاى CCD و CMOS

اختصاصی از فایل هلپ تحقیق درباره نگاهى به تفاوت سنسورهاى CCD و CMOS دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 20

 

نگاهى به تفاوت سنسورهاى CCD و CMOS

همانطور که در گذشته خواندید، تفاوت اساسى دوربین هاى دیجیتال با دوربین هاى اپتیکال (فیلمى) در آن بود که دوربین هاى دیجیتال فاقد فیلم بودند. این دوربین ها حاوى یک سنسور بودند که نور را به بارهاى الکتریکى تبدیل مى کردند.

 

ابعاد سنسورهاى تصویرى از ابعاد فیلم کوچک تر است. براى مثال ابعاد هر فریم از یک فیلم ۱۳۵ معمولى ۲۴ میلیمتر در ۳۶ میلیمتر است. اما سنسورى که براى ایجاد یک تصویر ۳/۱ مگاپیکسل استفاده مى شود حدوداً ۵ میلیمتر در ۷ میلیمتر است.

سنسورهاى تصویرى انواع مختلفى دارند. سنسور تصویرى که توسط اکثر دوربین هاى دیجیتال استفاده مى شود از نوع CCD (Charge Coupled Device) است. برخى دیگر از دوربین ها از سنسور CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) استفاده مى کنند. اگرچه سنسورهاى CMOS به زودى گسترش مى یابند و استفاده از آنها در دوربین هاى دیجیتال رایج تر مى شود، اما هیچگاه نمى توانند جاى سنسورهاى CCD را بگیرند.

هر سنسور CCD مجموعه اى از دیودهاى حساس به نور کوچک است که فوتون (نور) را به الکترون (بار الکتریکى) تبدیل مى کند. این دیودها که فتوسایت نامیده مى شوند، به نور حساس هستند. هر اندازه نور شدیدترى به یک فتوسایت تابیده شود، بار الکتریکى بیشترى در آن فتوسایت القاء مى شود.سنسورهاى CMOS نیز به روش مشابهى نور را به بار الکتریکى تبدیل مى کنند. پس از این مرحله مقادیرى بار الکتریکى روى هر فتوسایت باید خوانده شود. تفاوت اساسى این دو سنسور در روش خواندن مقادیر بارهاى الکتریکى است. در سنسورهاى CCD بار الکتریکى به همان صورت وارد یک تراشه مى شود و به صورت درایه اى از درایه هاى یک ماتریس دو بعدى قابل خواندن است. سپس مقدار این درایه ها (که هنوز آنالوگ هستند) توسط یک مبدل آنالوگ به دیجیتال به اطلاعات رقمى تبدیل مى شود. در سنسورهاى CMOS هر پیکسل چندین ترانزیستور به همراه دارد که وظیفه آنها تقویت بارهاى الکتریکى در لحظه دریافت نور است. اگرچه تقویت نور توسط ترانزیستورها در هر پیکسل مستلزم وجود مدارات پیچیده ترى نسبت به سنسورهاى CCD است، اما از آنجا که تک تک پیکسل هاى این سنسورها به صورت مجزا قابل دسترسى هستند، این سنسورها از قابلیت انعطاف بیشترى برخوردارند.براى جلوگیرى از ایجاد اعوجاج ضمن انتقال بارها در تراشه، سنسورهاى CCD به روش ویژه اى تولید مى شوند. حاصل به کار بردن این پروسه ویژه، تصاویر با کیفیت ترى از لحاظ صحت داده هاى خوانده شده و حساسیت نور است. از سوى دیگر سنسورهاى CMOS به همان روشى تولید مى شوند که اکثر تراشه ها و پردازنده هاى کامپیوترى ساخته مى شوند. اختلاف روش تولید، تفاوت هاى زیادى بین سنسورهاى CCD و CMOS ایجاد کرده است:


دانلود با لینک مستقیم


تحقیق درباره نگاهى به تفاوت سنسورهاى CCD و CMOS

OP Amp topologies

اختصاصی از فایل هلپ OP Amp topologies دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

OP Amp topologies


OP Amp topologies

مقایسه توپولوژی های مختلف تقویت کننده

در قالب مقایسه مقالات مختلف

به زبان انگلیسی


دانلود با لینک مستقیم


OP Amp topologies

پاورپوینت کامل و جامع با عنوان الکترونیک دیجیتال منطق CMOS در 89 اسلاید

اختصاصی از فایل هلپ پاورپوینت کامل و جامع با عنوان الکترونیک دیجیتال منطق CMOS در 89 اسلاید دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

پاورپوینت کامل و جامع با عنوان الکترونیک دیجیتال منطق CMOS در 89 اسلاید


پاورپوینت کامل و جامع با عنوان الکترونیک دیجیتال منطق CMOS در 89 اسلاید

 

 

 

 

در مدارهای دیجیتال، سطح منطقی (به انگلیسی: logic level) یک مقدار از مقادیر محدود است که یک سیگنال دیجیتال می‌تواند داشته باشد. اگرچه استانداردهای مختلفی برای سطح منطقی وجود دارد اما مقادیر سطوح منطقی معمولاً توسط ولتاژ میان سیگنال تا زمین (یا یک مرجع کلی) معین می‌شود. محدودهٔ ولتاژ تعیین کنندهٔ هر سطح منطقی را خانوادهٔ منطقی (استاندارد) مورد استفاده تعیین می‌کند.

در منطق دودویی، دو سطح منطقی داریم: سطح منطقی high و سطح منطقی low که در واقع به ترتیب با ۱ و ۰ دستگاه اعداد دودویی برابری می‌کنند. در واقع در این حالت، اگر سیگنال دارای ولتاژی بالاتر از مقدار از پیش تعیین شده بود آن را ۱ و اگر دارای ولتاژی پایین‌تر بود، آن را ۰ در نظر می‌گیریم. سیگنال‌های دارای یکی از این دو سطح را می‌توان در منطق بولین برای طراحی مدارهای دیجیتال یا آنالیز استفاده کرد.

در منطق سه حالته، خروجی دستگاه همچنین می‌تواند در حالت امپداَنس بالا (High impedance) باشد، البته این حالت در واقع سطح منطقی به حساب نمی‌آید اما معنی آن این است که خروجی، سطح مدار را کنترل نمی‌کند. برای مثال در حالتی که چند دستگاه به هم متصل باشند و یکی از دستگاه‌ها خروجی ۰ و دیگری خروجی ۱۱ بدهد، اتصال کوتاه رخ می‌دهد و دستگاه‌ها آسیب می‌بینند. اما اگر روی حالت High Impedance قرار بگیرند، به علت محدود شدن جریان خروجی، اتصال کوتاه رخ نمی‌دهد.

سیماس یا نیم‌رسانای اکسید فلزی مکمل یکی از رده‌های اصلی مدارهای مجمتع است.

این نوع حسگر که در دوربین‌های دیجیتال استفاده می‌شود، در واقع از فناوری نیم‌رساناها استفاده می‌کند.

نام سیماس (CMOS) از سرواژه‌های Complementary Metal–Oxide–Semiconductor (نیم‌رسانای اکسید فلزی مکمل) تشکیل شده. از ویژگی‌های سیماس مصرف انرژی بسیار کم است.

lمنطق CMOS  مهمترین خانواده مدرات منطق بشمار میرود. این منطق از اینرو Complementary نامیده میشود که در آن به تعداد مساوی از ترانزیستورهای n-channel  و p-channel استفاده شده است که بصورت مکمل هم کار میکنند.
lمزیت غیر قابل رقابت آن در توان مصرفی بسیار ناچیز ترانزیستورها در حالت ایستاست. همچنین قابلیت مجتمع سازی بسیار بالا و سرعت زیاد آن باعث شده تا در اغلب وسایلی که از باتری استفاده میکنند نظیر کامپیوترهای قابل حمل و گوشی های تلفن همراه از این تکنولوژی استفاده شود.
 
فهرست مطالب:
 
مقدمه
منطق CMOS
معکوس کننده CMOS
گیت های پایه
پیاده سازی توابع
مشخصه انتقال ولتاژ
خلاصه منحنی مشخصه
مثال
تاخیر انتشار
مثال
جریان اتصال کوتاه
مثال
اتلاف توان
توان سوییچینگ خازنی
اتلاف توان اتصال کوتاه
اتلاف توان ناشی از جریان های نشتی
اتلاف توان مربوط به زیر آستانه
اتلاف توان مربوط به جریان معکوس پیوند P-N
اتلاف توان مربوط به جریان نشتی اکسید گیت
خلاصه اتلاف توان
مثال
Fan Out
تغییر مقیاس
گیت XOR
خانواده 74HCxx
گیت NOT
مثال
انواع مدارات CMOS
منطق شبه NMOS
گیت XOR در منطق شبه NMOS
بافرینگ CMOS
مثال
افزایش طبقات بافر
CMOS پویا
سرعت و توان مصرفی گیت های پویا
نشت بار
ترانزیستور Bleeder
اشتراک بار
سایر گیت های پویا
گیت پویا با شبکه Pull-Up
خواص مهم گیت های پویا
پشت سرهم بستن گیت های پویا
منطق دومینو
و...

دانلود با لینک مستقیم


پاورپوینت کامل و جامع با عنوان الکترونیک دیجیتال منطق CMOS در 89 اسلاید

دانلود حل المسائل کتاب CMOS بهزاد رضوی

اختصاصی از فایل هلپ دانلود حل المسائل کتاب CMOS بهزاد رضوی دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

دانلود حل المسائل کتاب CMOS بهزاد رضوی


دانلود حل المسائل کتاب CMOS بهزاد رضوی

موضوع:

دانلود حل المسائل کتاب CMOS بهزاد رضوی

Design Of Analog Cmos Integrated Circuits (Razavi) Solution Book

دانلود پاسخ تشریحی کتاب طراحی مدارهای مجتمع CMOS آنالوگ دکتر رضوی

 

بی شک همه ی دانشجویان رشته برق با پروفسور بهزاد رضوی آشنا هستند. کتاب طراحی مدارهای مجتمع CMOSآنالوگ از جمله برترین کتاب های ایشان می باشد. این کتاب بهترین مرجع برای درس مدارهای مجتمع کارشناسی ارشد مهندسی برق الکترونیک می باشد و دانلود این کتاب را به همه ی دانشجویان عزیز پیشنهاد می کنیم.

اینک در این پست حل تمرین کتاب طراحی مدارهای مجتمع CMOS آنالوگ دکتر رضوی برای شما دانشجویان عزیز با تخفیف ویژه 50 درصدی فروشگاه اینترنتی مهندسان آماده دانلود می باشد.

 

  

سر فصل های این کتاب به شرح زیر است :

۱- مقدمه ای بر طراحی انالوگ

۲- فیزیک افزاره MOS

۳- تقویت کننده های یک طبقه

۴- تقویت کننده های تفاضلی

۵- آینه های جریان فعال و غیر فعال

۶- پاسخ فرکانسی تقویت کننده ها

۷- نویز

۸- فیدبک

۹- تقویت کننده های عملیاتی

۱۰- پایداری و جبران سازی فرکانسی

۱۱- مراجع Bandgap

۱۲- معرفی مدارهای سوئیچ خازنی

۱۳- غیر خطینگی و ناهمسانی

۱۴- اسیلاتورها

۱۵- حلقه های قفل شده در فاز PLL

۱۶- اثرات کانال کوتاه و مدل افزاره

۱۷- CMOS Processing Technology

۱۸- Layout and Packaging


دانلود با لینک مستقیم


دانلود حل المسائل کتاب CMOS بهزاد رضوی

198-پاورپوینت فرایند CMOS (فارسی)

اختصاصی از فایل هلپ 198-پاورپوینت فرایند CMOS (فارسی) دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

198-پاورپوینت فرایند CMOS

.ویفر SI:

ماده اولیه ساخت به شکل ویفر تک کریستالی با آلایش کم است،قطر این ویفر معمولا″بین 4تا12اینچ و ضخامت آن حد اکثر به 1mmمی رسد.این ویفرها با برش شمش تک کریستالی به شکل لایه های نازک بدست می آیند.

2.لایه نشانی epitaxial:
این لایه بر روی زیر لایه سیلیکونی قرار می گیرد ، این لایه ، لایه های بالایی را از زیرلایه جدا می کند و باعث می شود که نشتی کمتری بین لایه های افزاره با زیرلایه شود.عمل لایه نشانی روی این لایه، فرآیند ساخت را بهبود می بخشد. در این لایه نشانی از کلریدسیلان بعلاوه اکسیژن استفاده می شود.


دانلود با لینک مستقیم


198-پاورپوینت فرایند CMOS (فارسی)