فایل هلپ

مرجع دانلود فایل ,تحقیق , پروژه , پایان نامه , فایل فلش گوشی

فایل هلپ

مرجع دانلود فایل ,تحقیق , پروژه , پایان نامه , فایل فلش گوشی

مقاله رگولاتورهای ولتاژ و مدارات تغذیه

اختصاصی از فایل هلپ مقاله رگولاتورهای ولتاژ و مدارات تغذیه دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

مقاله رگولاتورهای ولتاژ و مدارات تغذیه


مقاله رگولاتورهای ولتاژ و مدارات تغذیه

این محصول در قالب ورد و قابل ویرایش در 58 صفحه می باشد.

رگولاتورهای ولتاژ و مدارات تغذیه

تقریباً‌تمام مدارات الکترونیکی ، از مدارات سادة ترانزیستوری و آپ امپ تا سیستم های حساس میکروپرواسسوری و دیجیتالی به یک یا چند ولتاژ dc پایدار نیاز دارند منابع تغذیه رگوله نشده با ترانس – پل – خازن بعلت اینکه ولتاژهای خروجی آنها با جریان بار وولتاژ خط تغییر می کنند و نیز بدلیل اینکه آنها ریپل های 100Hz مهمی دارند . معمولاً کفایت نمی کنند . خوشبختانه ساخت منابع تغذیه پایدار که از فیدبک منفی برای رگوله شده بصورت جامع استفاده می شوند و می توانند با چیپ های رگولاتور ولتاژ مدار مجتمع که تنها به یک منبع ورودی dc رگوله نشده (‌از یک ترکیب ترانس – پل – خازن ؛ یک باطری ، یا چند منبع دیگر dc ورودی ) و چند المان دیگر نیاز دارند باسانی ساخته می شوند .

 در این فصل چگونگی ساخت رگولاتورهای ولتاژ را با استفاده از مدارات مجتمع بخصوص خواهید دید همین روشهای مداری می تواند برای ساختن رگولاتورهای با المان های مجزا به کار رود (‌ترانزیستورها ، مقاومت ها ، غیره ) اما بعلت موجود بودن چیپ های رگولاتور ارزان با کارائی زیاد ، استفاده از المانهای مجزا در طرح های جدید مزیتی ندارد . رگولاتورهای ولتاژ ما را به حوزة تلف قدرت زیاد وارد می کنند . بنابراین در مورد سینک گرمایی ور وش هایی نظیر «‌محدود کردن Fold back  »‌برای محدود کردن عملکرد درجه حرارت های ترانزیستور و جلوگیری از صدمه به مدار صحبت خواهیم کرد این روش ها می توانند برای تمام ترتیبات مدارات قدرت شامل تقویت کننده های قدرت نیز استفاده شوند . با دانشی که در اینجا نسبت به رگولاتورها بدست خواهیم آورد قادر خواهیم بود به عقب برگشته و طراحی تغذیه رگوله نشده را به تفصیل بحث نماییم  در این فصل به مراجع ولتاژ و آی سی های مرجع ولتاژ که خارج از طرح منبع تغذیه نیز استفاده می شوند نظری خواهیم انداخت .

1-2- مشخصه ها و خصوصیات منابع تغذیه :

 بطور کلی میتوان منبع تغذیه ها را از 6 نقطه نظر مختلف طبقه بندی کرد :

  • طبقه بندی از نظر میزان صاف بودن ولتاژ تغذیه

منبع تغذیه صاف نشده ، در این حالت  مقداری سیگنال AC برروی ولتاژ تغذیه سوار می شود ، که ولتاژ ریپل نام دارد ( در یکسوسازی تمام موج فرکانس آن دو برابر فرکانس سیگنال AC می باشد )

 منبع تغذیه صاف شده ، در این نوع تغذیه مدارهای اضافی برای کاهش دامنه ریپل در نظر گرفته شده است .

  • طبقه بند از نظر تثبیت ولتاژ:

منبع تغذیه تثبیت نشده ( ناپایدار ): در این حالت ولتاژDC صاف شده است . اما مدارهای اضافی برای غلبه بر تأثیرات ناشی از تغییرات بار مصرفی و یا ولتاژ ورودی در نظر گرفته نشده است .

 منبع تغذیه تثبیت شده ( پایدار ) : د راین نوع منبع تغذیه ها علاوه بر این که ولتاژDC صاف شده است ، مدارهای اضافی برای غلبه بر تأثیرات ناشی از بار مصرفی ، یا ولتاژ ورودی وجود ندارد .

  • طبقه بندی از نظر میزان محافظت :

منبع تغذیه محافظت نشده : در این حالت منبع تغذیه در مقابل جریان مصرفی بیش از حد ، یا اتصال  کوتاه محافظت نشده است .

 منبع تغذیه  محافظت شده : این نوع منبع تغذیه ها در مقابل افزایش بیش از حد جریان مصرفی ، و یا اتصال کوتاه محافظت شده اند .

 محافظت در مقابل افزایش بیش از حد ولتاژ تغذیه : در این حالت بار مصرفی در مقابل افزایش ولتاژ، تغذیه ناشی از تثبیت کننده ولتاژ ، محافظت شده است .

  • طبقه بندی از نظر چگونگی عملکرد :

منبع تغذیه سوئیچینگ این نوع منبع تغذیه ها با استفاده از روش سویئیچینگ کار می کنند ( معمولاً با فرکانسی بالاتراز 50 کیلوهرتز )

5)‌طبقه بندی از نظر پیاده سازی مدار :

 مدار گسسته : در مدارهای تثبیت کننده این نوع منبع تغذیه ها از مدارهای گسسته (‌مثلاً ترانزیستور) استفاده شده است .

مدار مجتمع :‌در تثبیت کننده این منبع تغذیه ها از مدارهای مجتمع استفاده شده است .

 مدار ترکیبی : در طبقه تثبیت کننده این نوع منبع تغذیه ها هم از مدار گسسته ، و هم از مدار مجتمع (‌آی سی ) استفاده شده است .


دانلود با لینک مستقیم


مقاله رگولاتورهای ولتاژ و مدارات تغذیه

مقاله درباره مدارات تلفن سکه ای

اختصاصی از فایل هلپ مقاله درباره مدارات تلفن سکه ای دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 13

 

فصل دوم

مدارات تلفن سکه ای

مدار تلفن سکه ای شامل دو قسمت زیر می باشد ؛

الف) مدار مکانیزم ( تشخیص سکه)

مدار مکانیزم از دو آی سی تشکیل شده که یکی نوسان کننده و دیگری به عنوان تقسیم کننده استفاده شده است و خروجی مدار چون به صورت سیگنال میباشد لذاباولت متر قابل اندازه گیری نبوده و فقط به صورت حدودی میتوان تغییرات ولثاژی هوا وسکه را اندازه گرفت ولتاژ( fo ) خروجی سیگنال نباید صفر و یاحدود ولتاژ تغذیه باشد .

توضیح اینکه سیمهای حدفاصل مدار با سنسور باید حتی المکان کوتاه باشد .

ب) مدار اصلی :

قلب مدار اصلی از یک آی سی میکروکنترل و باشماره AI89C52 تشکیل شده است و اطلاعات نتظیم سیستم اعم ار سکه خوانی و رایگان و یازمانبندی برروی آی سیE2PROM) حافظه به شماره UM91210C ضبط و نگهداری میشود . دراین سیستم مدار شماره گیری بروی برد اصلی بوده وفقط توسط یک سیم فلت ازکی برد به مدار اصلی وصل و آی سی شماره A,Bدرمدار کار شماره گیری تن و پالس ارانجام میدهد این سیستم قابلیت استفاده از کی برد تلفن کارتی و همگانی سکه ای را نیز دارد.

مدار اصلی شامل قسمتهای ذیل میباشد که درنقشه و مارکاژ فیبر به صورت بلوک بندی مشخص شده است .

1- ورودی خط:

که شامل چهار عدد دیود بوده که کار تصحیح جابجایی خط A,B را انجام میدهد .

2- مدار تغذیه :

این قسمت از مدار کار تامین ولتاژ وجریان مورد نیاز کل مدار تلفن را به عهده دارد وولتاژ مذکور را درخازن C4,C4 ذخیره مینماید .

3- مدار مکالمه :

مدار مکالمه همانند مدار مکالمه تلفن شهری قدیم میباشد و از بویین مکالمه ودوعدد خازن و یک مقاومت ودوعدد دیود معکوس به عنوان دیاک تشکیل شده است .

شرح مدار:

Led1 : نمایش دهنده ، دریافت سیگنال16KHz و یا حالت برنامه ریزی.

LED2 : نمایش دهنده ، دریافت و قبول سکه و یا اشکال دربرد حس کننده سکه .

JP1: انتخاب زمان باز و بسته شدن کلید شماره گیر درحالت پالس

(Make/Break ratio selector gumper) درحالت 60/40 باید به 60/40=3+2 7.66/3.33=2+1

JP2: انتخاب نوع شماره گیر در شروع شماره گیری (Tone/Pulse) Tone=3+2 Pulse=2+1

JP3: کلید انتخاب حالت برنامه ریزی و یاحالت عادی (Write protet) Norm= 2+1

(Write enable) programming mode=3+2

صفحه کلید

اتصال کابل صفحه کلید دوردیف است . یک ردیف برای صفحه کلید های بااتصال هفت پین و ردیف دیگر برای صفحه کلید های بااتصال ده پین میباشد . بافشار هر کلید مجاز صدای بیپ کوتاهی شنیده می شود .

کلیدهای(*،0،#) کلیدهای ردیف صفحه شماره گیر(# ، 0 ، *) درشروع شماره گیری ( دردوحالت پالس و تن) کار نمیکنند . بعدازواردکردن اولین شماره تلفن غیرازصفر، فقط کلید o باز می شود و کلیدهای باقی مانده درصورت فعال بودن شماره گیر تن بعداز دریافت سیگنال16KHz بازمیشود .

دریافت سکه بعدی

درصورتی که بخواهید بعداز پایان زمان مکالمه شهری و بادریافت سیگنال16KHz بادریفت سکه دیگری اجازه ادامه مکالمه داده شود . کد 101 رادرحالت برنامه ریزی وارد کنید ( پیش تنظیم = غیرفعال) درصورت نیاز ، تایمر مکالمه شهری (پیش تنظیم = صدوهشتاد ثانیه ) و با زمان بین دو سیگنال 16KHz را تنظیم کنید . ( پیش تنظیم = صدونود ثانیه) در پایان زمان و یا بادریافت سیگنال 16KHz صدای بیپ مخصوصی اطلاع میدهد که سیگنال 16KHz دریافت شده و یا زمان به پایان رسیده است و ده ثانیه اجازه خداحافظی و یادرصورت قعال بودن دریافت سکه بعدی، با انداختن سکه در تلفن در محدوده زمانی ده ثانیه ادامه مکالمات بدهند .

سرویس دبیت کارت

باوراد کردن شماره 132( کد سرویس دبیت کارت ) و درپی ان بادریافت سیگنال و یابدون دریافت سیگنال 16KHz ( پیش تنظیم = بدون 16KHz باصدای بیپ مخصوصی شماره گیر تن فعال میشود و سکه به صندوق نمیرود ( مکالمه رایگان است) ( پیش تنظیم = فعال) . بدون


دانلود با لینک مستقیم


مقاله درباره مدارات تلفن سکه ای

تحقیق درباره ی سوالات مدارات

اختصاصی از فایل هلپ تحقیق درباره ی سوالات مدارات دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 41

 

1)با استفاده از تحلیل گره ای مدار شکل 4-45 را بیابید.

 

 

 

 

 

 

2)با استفاده از تحلیل گره ای مدار شکل 4-36 را بیابید.

 

 

 

 

3)معادل تونن حوزة فرکانس شبکه شکل 10-73 را بیابید نتیجه را به صورت سری با نشان دهید.

 

 

 

 

 

یا

 

4)ادمیتانس ورودی مدار شکل 74-10 را یافته آنرا به صورت ترکیب موازی یک مقاومت R و یک القاء کنایی L نشان دهید. مقادیر R و L را به ازای فرکانس به دست آورید.

 

 

 

 

 

 

 

 

با

5)معادل نورتن شبکة 10-76 را با فرض بیابید معادل نورتن را به صورت منبع جریان موازی با مقاومت و القا کنایی با ظرفیت نشان دهید.

 

 

 

(I)


دانلود با لینک مستقیم


تحقیق درباره ی سوالات مدارات

تحقیق در مورد مختصری در مورد الکترونیک و قطعات الکترونیکی پر مصرف در مدارات الکترونیکی 12 ص

اختصاصی از فایل هلپ تحقیق در مورد مختصری در مورد الکترونیک و قطعات الکترونیکی پر مصرف در مدارات الکترونیکی 12 ص دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 14

 

مختصری در مورد الکترونیک و قطعات الکترونیکی پر مصرف در مدارات الکترونیکی

دزدگیر همه کاره

این دزدگیر تمام خواسته های شما را از یک دزدگیر حرفه ای پاسخ میدهد

چگونه یک دزدگیر همه کاره طراهی نمایم  

ویژگیهای یک دزدگیر کامل را داشته باشد.کم هزینه وارزان باشد.قطعات آنرا در اوراقیهای انباری خودم ویا دوستان پیدا نمایم.درمدار آن بتوانم  به دلخواه خود تغیر بدهم.

لیست قطعات مدار خاموش***روشن

ترانزیستورها 

 

TR1=2SA1015=2SA733=2SA954

 

TR2=2SC1815=2SC945=2SC536

 

TR3=2SB927

مقاومتها

 

R1=R3=R4=22KΩ

 

R2=10KΩ

 

R5=100Ω

 

R6=2.2KΩ

 

R7=1Ω

 

s1=s2

هر نوع کلید که دوست دارید استفاده نمایید 

خاموش***روشن

جهت خاموش و روشن مدارات که نیازبه کلیدهای کوچک دارد.و امکان استفاده از کلیدهای معمولی در ان نباشد.این مدار کار برد های زیادی دارد.که بترتیب هریکی را تو ضیح میدهیم.

خازنها

خازنها بخاطر خصوصیات خاصی که دارند.در مدارات الکترونیکی از آنها زیاد استفاده میکنند.

خازنهای ظرفیت با لا را در مدارات منبع تغذیه بخصوص بخش ورودی آن که دارای فرکانس پائین  نیز میباشد استفاده میکنند.فرکانس ورودی منظور همان فرکانس (۵۰) یا (۶۰)هرتز برق شهر میباشد.

وخازنهای ظرفیت پائین را عموما در بخش های که فرکانس بالاتر درآن وجود دارد استفاده میکند.

آمپلیپایر

ای سی آمپلیپایر:چگونه میتوان از آی سی کمیاب در موقع نیاز صرف نظر نمود وآی سی دیگری تقریبا با همان مشخصات ولی فراوانتر وارزانتر را انتخاب نموده و در مدار مورد نیازمان بکار ببریم

چگونه با تغیر در پایه های آی سی بتوانم آنرا باآی سی مورد نظرم جای گزین نمایم چگونه بخش ویژه آی سی های آمپلیپایر را مطا لعه نمایید.

مشخصات خازنهای الکترولیت

خازنها را به چند طریق علامت وظرفیت گذاری می نمایند.نوع ظرفیت گذاری خازنهابیشتربستگی به نوع خازن دارد. برروی خازن های الکترولیت ظرفیت را با اعدادنشان میدهند.وهم چنین قطب پایه های آنرا نیز با گذاشتن یک علامت (+ )یا( - )مشخص میکنند.البته علامت ( -) عمومیت بیشتری دار وروی اکثر خازنهای الکترولیت قرار دارد که نشان دهنده قطب  منفی خازن میباشد.

اکثر خازنهای الکترولیت دارای قطب مثبت ومنفی هستند.وظرفیت شان هم بالای یک میکروفاراد است.که در موقع جاگذاشتن باید به قطبیت آن توجه نمود.درصورت که پایه ها اشتباه درمحل قرار گیرد.در تلویزیونهای رنگی(ومانیتورها) که مدارات حساسی دارند.باعث بروز عیوب پیچیده میگردند.حتی احتمال منفجر شدن خازن نیز میرود.وآسیب شدید نیز به مدارات مربوطه وار میکند.

البته خازنهای الکترولیت بدون قطب هم در مدارات بکار میرود. ومشخصات عمومی آن شبیه خازنهای قطب دار


دانلود با لینک مستقیم


تحقیق در مورد مختصری در مورد الکترونیک و قطعات الکترونیکی پر مصرف در مدارات الکترونیکی 12 ص

پاورپوینت کامل و جامع با عنوان توان در مدارات VLSI در 49 اسلاید

اختصاصی از فایل هلپ پاورپوینت کامل و جامع با عنوان توان در مدارات VLSI در 49 اسلاید دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

پاورپوینت کامل و جامع با عنوان توان در مدارات VLSI در 49 اسلاید


پاورپوینت کامل و جامع با عنوان توان در مدارات VLSI در 49 اسلاید

 

 

 

 

 

 

 

مقدمه و تاریخچه

سرعت و پیچیدگی فزاینده طراحی‌های امروز افزایش قابل توجهی در مصرف توان چیپ‌های مجتمع مقیاس خیلی بزرگ (VLSI) را ایجاب می‌کند. برای پرداختن به این چالش، محققان تکنیک‌های طراحی بسیار متفاوتی ارائه کرده‌اند تا توان را کاهش دهند. پیچیدگی آی سی‌های امروزی، با بیش از ۱۰۰ میلیون ترانزیستور، با سنجش زمان بیش از ۱ گیگاهرتز، به معنی این است که بهینه سازی دستی توان بطور نامید کننده‌ای آهسته و با احتمال زیاد وقوع خطا می‌باشد. ابزارهای طراحی با کمک کامپیوتر (CADD) و متدلوژیها الزامی هستند.

یکی از ویژگی‌های کلیدی ای که منجر به موفقیت تکنولوژی نیمرسانای اکسید فلزی مکمل، یا CMOS، شد مصرف توان کم ذاتی آن بود. به این معنی که طراحان مدار و ابزارهای اتوماسیون طراحی الکترونیک (EDA) می‌توانند روی بیشینه ساختن عملکرد مدار و کمینه نمودن فضای مدار تمرکز کنند. یکی دیگر از ویژگی‌های جالب تکنولوژی CMOS خواص مقیاس گذاری مطلوب آن است که اجازه یک کاهش ثابت در اندازه ویژگی را می‌دهد (رجوع کنید به قانون مور)، که کار کردن با فرکانس ساعت بیشتر را برای سیستم‌های بسیار پیچیده تر روی تنها یک چیپ مقدور میسازد. نگرانی مصرف توان با پیدایش اولین سیستم‌های الکترونیکی قابل حمل در اواخر دهه ۱۹۸۰۰ پا به عرصه گذاشت. در این بازار عمر باتری یک عامل قطعی برای موفقیت تجاری محصول می‌باشد. یک واقعیت دیگر که تقریباً در همان زمان آشکار شد این بود که اجتماع فزاینده عوامل فعال بیشتر در هر ناحیه die منجر به مصرف انرژی زیاد یک مدار مجتمع به طور جلوگیری کننده می‌شود. یک سطح قطعی بالای توان نه تنها به دلایل اقتصادی و محیطی نا مطلوب است بلکه مشکل اتلاف گرما را نیز بوجود می‌آورد. به منظور این که دستگاه تحت میزان دمای قابل قبولی در حال کار کردن نگاه داشته شود، گرمای زیاد ممکن است مستلزم سیستم‌های رفع گرمای گران قیمت باشد.

این عوامل در افزایش توان به عنوان یک پارامتر مهم طراحی به میزان برابر با عملکرد و اندازهdie شرکت داشته‌اند. در واقع مصرف توان به عنوان یک عامل محدود کننده در ادامه مقیاس گذاری فناوری CMOS انگاشته می‌شود. برای پاسخ به این چالش تقریباً در دهه اخیر، تحقیق فشرده در توسعه ابزارهای طراحی به کمک کامپیوتر (CAD) گنجانده شده که اشاره بهمسئله بهینه سازی توان دارد. تلاش‌های ابتدایی به مدار و ابزارهای سطح منطق معطوف شده بودند زیرا در این سطح ابزارهای CADD کامل تر بوده و توانایی مانور بهتری در این زمینه‌ها وجود داشته‌است. امروز بیشتر تحقیق حول ابزارهای CAD، سیستم یا بهینه سازی سطح معماری را هدف قرار می‌دهد که بطور بالقوه اثر کلی بیشتری با توجه به وسعت عملکرد آنها دارند.

به اضافه ابزارهای بهینه سازی، تکنیک‌های کارامد برای تخمین توان لازم است، هر دو به عنوان یک نشانگر مستقل که مصرف مدار با برخی مقادیر هدف مواجه می‌شود و به عنوان یک نشانگر وابسته مزیت‌های توان گزینه‌های متفاوت طی جستجوی فضای طراحی.

تحلیل توان مدارهای CMOS

مصرف توان مدارهای CMOS دیجیتال کلاً بر حسب سه جزء در نظر گرفته می‌شوند:

  • جزء توان پویا، مرتبط با پر و خالی شدن خزن در خروجی درگاه.
  • جزء توان اتصال کوتاه. در هنگام انتقال خط ورودی از یک سطح ولتاژ به دیگری، مدت زمانی وجود دارد که هر دو انتقال PMOS و NMOS در حال اجرا هستند، که در نتیجه باعث ایجاد یک مسیر از VDD به زمین می‌شود.
  • جزء توان ایستا، به علت نشت، که حتی وقتی مدار به برق وصل نیست وجود دارد. این، بطور پی در پی، تشکیل شده از دو جزء- درگاه به نشت منبع، که اغلب با تونل زدن، مستقیماً از طریق عایق درگاه نشت می‌کند، و نشت تخلیه منبع که هم به تونل زدن و هم به رسانش زیر آستانه‌ای نسبت داده شده‌است. سهم جزء توان ایستا نسبت به عدد توان کل در عصر طراحی زیر ریزسنج‌های عمیق(DSMM) حاضر بسیار سریع در حال رشد است.

توان می‌تواند در سطوح بالاتر جزئیات تخمین زده شود. سطوح انتزاعی بالاتر سریعتر بوده و قابلیت کار با مدارهای بزرگتر را داراست، ولی دقت کمتری دارد. سطوح اصلی عبارتند از:

  • تخمین توان سطح مدار، با استفاده از یک شبیه ساز مدار مانند اسپایس (SPICE)
  • تخمین توان ایستا از مسیرهای ورودی استفاده نمی‌کند، ولی از ارقام ورودی استفاده مینماید. مشابه با تحلیل زمان ایستا.
  • تخمین توان سطح منطق، معمولاً پیوند یافته به شبیه سازی منطق.
  • تحلیل در سطح ثبت-انتقال. سریع و با ظرفیت بلا اما نه با دقت کافی.

بهینه سازی توان سطح مدار

تکنیک‌های متفاوت بسیاری استفاده می‌شوند تا مصرف توان در سطح مدار را کاهش دهند. برخی از موارد اصلی آنها عبارتند از:

  • اندازه گیری ترانزیستور: تنظیم اندازه هر درگاه یا ترانزیستور برای حداقل توان.
  • مقیاس گذاری ولتاژ: منابع ضعیف تر ولتاژ توان کمتری مصرف می‌کنند ولی آهسته تر کار می‌کنند.
  • مناطق جدای ولتاژ: قطعات مختلف می‌توانند تحت ولتاژهای متفاوتی، با ذخیره توان، کار کنند. این تمرین طراحی ممکن است زمانی که دو قطعه با منابع ولتاژ مختلف با یکدیگر ارتباط برقرار می‌کنند، احتیاج به استفاده از تعویض کننده‌های سطح داشته باشد.
  • متغیر VDD: ولتاژ برای یک قطعه می‌تواند طی عملیات تغییر کند - ولتاژ بالا (و توان بالا) وقتی که قطعه نیاز دارد تا سریع کار کند، ولتاژ پایین زمانی که عملیات با سرعت پائین قابل قبول است. ولتاژهای آستانه‌ای چندگانه: فرایندهای مدرن می‌توانند ترانزیستورها را با آستانه‌های مختلف بسازند. توان می‌تواند با استفاده از ترکیبی از ترانزیستورهای CMOSS با دو یا چند ولتاژ آستانه متفاوت ذخیره شود. در ساده‌ترین حالت دو آستانه متفاوت وجود دارد، که معمولاً ولتاژ آستانه بالا(High-Vt) و ولتاژ آستانه پایین(Low-Vt) خوانده می‌شوند، که Vt به جای ولتاژ آستانه قرار می‌گیرد. ترانزیستورهای آستانه بالا آهسته تر ولی با نشت کمتر می‌باشند، و می‌توانند در مدارهای غیر حساس استفاده شوند.
  • درگاه گذاری توان: این تکنیک از ترانزیستورهای سلیپ با ولتاژ آستانه بالا که یک قطعه مدار را زمانی که قطعه وصل نیست قطع می‌کنند، استفاده می‌کند. اندازه گیری ترانزیستور سلیپ یک پارامتر مهم طراحی است. این تکنیک، که با نام MTCMOS، یا CMOS چند آستانه‌ای نیز شناخته می‌شود توان stand-by یا نشت را کاهش داده، و همچنین ارزیابی iddq را مقدور میسازند.
  • ترانزیستورهای با کانال طولانی: ترانزیستورهای با حداقل طول بیشتر نشت کمتری دارند، اما بزرگتر و کند تر اند.
  • حالت‌های پشته سازی و توقف: درگاه‌های منطقی ممکن است طی حالت‌های ورودی معادل بطور متفاوت نشت کنند (مثلاً ۱۰ در درگاه نند، که مخالف ۰۱ است.). ماشین‌های حالت ممکن است در حالت‌های معینی نشت کمتری داشته باشند.
  • سبک‌های منطق: منطق ایستا و پویا، برای مثال، مبادله‌های سرعت/توان مختلفی دارند.

استنتاج منطقی برای توان پایین

استنتاج منطقی می‌تواند به روش‌های گوناگونی نیز بهینه شود تا مصرف توان را تحت کنترل نگاه دارد. جزئیات زیر می‌تواند اثر مهمی رویه بهینه سازی توان داشته باشد:

  • درگاه گذاری ساعت
  • فاکتورگیری منطقی
  • بهینه سازی بی اهمیت
  • تعادل مسیر
  • تکنولوژی نقشه برداری
  • رمز گذاری حالت
  • تجزیه ماشین حالت کراندار
  • دوباره زمان بندی کردن

 

فهرست مطالب:

مقدمه و تعاریف

توان در المان های مداری

شارژ خازن

شکل موج های سوییچینگ وارونگر

توان سوییچینگ

ضریب فعالیت

عوامل مصرف توان

توان پویا

توان ایستا

کاهش توان دینامیک

تخمین ضریب فعالیت

گیت کردن کلاک

گلیچ ها

خازن

تعیین اندازه گیت ها

ولتاژ

حوزه های ولتاژ

تغییر مقیاس پویای ولتاژ

فرکانس

جریان اتصال کوتاه

مدارهای تشدید شده

جریان نشتی زیر آستانه

اثر پشته ای

جریان نشتی گیت

جریان نشتی پیوندی

تخمین توان ایستا

گیت کردن توان

و...


دانلود با لینک مستقیم


پاورپوینت کامل و جامع با عنوان توان در مدارات VLSI در 49 اسلاید